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光刻膠

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光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要收起

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  • 國(guó)產(chǎn)光刻膠，破冰前行
    國(guó)產(chǎn)光刻膠，破冰前行
    今年以來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展，光刻膠作為核心材料，迎來(lái)了技術(shù)突破與市場(chǎng)擴(kuò)展的雙重契機(jī)，尤其是在國(guó)內(nèi)，光刻膠的研發(fā)和生產(chǎn)取得了一系列積極進(jìn)展：此前，由華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家研究中心團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立的太紫微公司推出了T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，對(duì)標(biāo)國(guó)際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列；光刻膠廠商阜陽(yáng)欣奕華沖刺IPO，已開(kāi)啟上市輔導(dǎo)備案；威邁芯材半導(dǎo)體高端光刻材料DUV級(jí)別（ArF/KrF）項(xiàng)目主體封頂；湖北武漢光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠....而近日，鼎龍股份、容大感光又再次帶來(lái)新消息。
  • 一個(gè)國(guó)內(nèi)供應(yīng)商還比較少的行業(yè)：光刻配套試劑
    一個(gè)國(guó)內(nèi)供應(yīng)商還比較少的行業(yè)：光刻配套試劑
    但凡對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)稍微有些了解的朋友對(duì)于光刻膠這個(gè)名詞一定耳熟能詳了。但大多數(shù)人不一定熟知的是：其實(shí)在實(shí)際半導(dǎo)體制造中還需要不少和光刻膠配套使用的化學(xué)試劑，比如：顯影液和剝離液：這兩種化學(xué)試劑知道的人還比較多，也比較容易理解
  • 介紹一款光刻增粘劑-Ti Prime
    學(xué)員問(wèn)：在做光刻時(shí)，光刻膠很容易脫落，有什么好的改進(jìn)措施嗎？為什么光刻膠會(huì)脫落？脫落主要是因?yàn)楣饪棠z與晶圓的粘附性不佳，而導(dǎo)致粘附性不佳的原因有很多，比如晶圓的材質(zhì)原因，晶圓表面過(guò)于光滑，晶圓表面殘留水分，光刻膠過(guò)厚內(nèi)應(yīng)力過(guò)大等。這個(gè)時(shí)候，在晶圓表面增加一個(gè)增粘步驟是很有必要的。
  • 勻膠時(shí)邊膠過(guò)厚如何改善？
    什么是wafer edge bead？wafer edge bead，又叫做邊膠，是指在晶圓的邊緣區(qū)上的光刻膠出現(xiàn)較厚的突起現(xiàn)象。
  • 什么是正負(fù)反轉(zhuǎn)光刻膠？
    學(xué)員問(wèn)：圖形反轉(zhuǎn)膠兼具了正膠和負(fù)膠的作用，請(qǐng)問(wèn)如何實(shí)現(xiàn)兩種功能的轉(zhuǎn)換？原理是什么？什么是正負(fù)反轉(zhuǎn)膠？在一款光刻膠中既可以實(shí)現(xiàn)正膠功能，也可以實(shí)現(xiàn)負(fù)膠功能。主要功能以負(fù)膠為主，用于晶圓制造的lift off制程。最常見(jiàn)的正負(fù)反轉(zhuǎn)膠要數(shù)AZ5214E,固含量28%左右，勻膠厚度在1-2um之間。
  • 光刻膠的旋涂曲線受那些因素影響？
    光刻膠的旋涂曲線受那些因素影響？
    學(xué)員問(wèn)：聽(tīng)光刻的老師傅說(shuō)，光刻膠的旋涂一般會(huì)遵循特定的旋涂曲線規(guī)律，可以介紹下旋涂曲線的相關(guān)知識(shí)嗎？
  • PMMA是光刻膠嗎？
    學(xué)員問(wèn)：PMMA是電子束光刻中用的材料，具有光敏性嗎，算光刻膠嗎？什么是PMMA？
  • 最新，國(guó)產(chǎn)光刻膠通過(guò)驗(yàn)證！
    最新，國(guó)產(chǎn)光刻膠通過(guò)驗(yàn)證！
    據(jù)“中國(guó)光谷”消息，光谷企業(yè)近日在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)配方全自主設(shè)計(jì)，有望開(kāi)創(chuàng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。
  • 新型顯示光刻膠亟待突破
    新型顯示光刻膠亟待突破
    近日，中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)液晶分會(huì)常務(wù)副秘書(shū)長(zhǎng)胡春明表示，我國(guó)顯示面板行業(yè)發(fā)展迅速，相關(guān)的原材料大多已實(shí)現(xiàn)本地供應(yīng)，但彩色/黑色光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率仍然非常低，新型顯示用光刻膠這個(gè)整體市場(chǎng)規(guī)模不足百億元的原材料卻緊扣著超萬(wàn)億元總投資的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
  • 勻膠轉(zhuǎn)速過(guò)大為什么會(huì)造成光刻膠條紋？
    學(xué)員問(wèn)：勻膠后發(fā)現(xiàn)晶圓表面出現(xiàn)很多條紋，什么原因?qū)е碌?？有什么解決思路？為什么會(huì)出現(xiàn)光刻膠條紋？光刻膠條紋的出現(xiàn)最根本原因是膠面的不平整，均勻性不好，有的部位膠比較厚有的部位膠比較薄，以條紋狀的形式分布。這種原因是由于勻膠的轉(zhuǎn)速過(guò)大導(dǎo)致的。
  • 這家瑞士零部件公司，為何能與國(guó)際半導(dǎo)體龍頭頻頻合作？
    這家瑞士零部件公司，為何能與國(guó)際半導(dǎo)體龍頭頻頻合作？
    大家好，這里是芯片揭秘，本期節(jié)目我們邀請(qǐng)到一家非常國(guó)際化的公司——SAWATEC，給大家?guī)?lái)他們最新的產(chǎn)品展示。坐在我身邊的是SAWATEC的董事長(zhǎng)兼CEO MARCELLO PICCIRLLO先生，和SAWATEC中國(guó)區(qū)總經(jīng)理宋春玲女士。
  • 正性光刻膠的曝光機(jī)理
    學(xué)員問(wèn)：正膠在曝光后，曝光部分會(huì)被顯影液除去，未曝光部分會(huì)被保留，機(jī)理是什么？可以講一講嗎？光刻膠主要是由感光劑，樹(shù)脂，溶劑，添加劑（增塑劑、表面活性劑、光敏穩(wěn)定劑等）。樹(shù)脂是光刻膠的基本骨架，對(duì)光不敏感。溶劑主要包括PGMEA,EGMEAD等，用于稀釋光刻膠，調(diào)整其粘度。感光劑主要是對(duì)于光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。
  • 全球芯片關(guān)鍵技術(shù)研究最新進(jìn)展
    全球芯片關(guān)鍵技術(shù)研究最新進(jìn)展
    在全球新一輪科技革命中，芯片產(chǎn)業(yè)不僅關(guān)乎著國(guó)家信息安全和科技地位，也是衡量一個(gè)國(guó)家現(xiàn)代化進(jìn)程和綜合國(guó)力的指標(biāo)之一，并被業(yè)界稱為全球最具戰(zhàn)略性價(jià)值的產(chǎn)品。供需市場(chǎng)瞬息萬(wàn)變，面對(duì)全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈分工模式的大變局，具備自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈和供應(yīng)鏈體系是全球各地區(qū)永不松懈的動(dòng)力和目標(biāo)，因此，突破芯片產(chǎn)業(yè)“卡脖子”技術(shù)瓶頸成為其破局必經(jīng)之道。
  • 什么是光刻膠的堅(jiān)膜與“打膠”？
    什么是光刻膠的堅(jiān)膜與“打膠”？
    學(xué)員問(wèn)：想問(wèn)下腐蝕前的堅(jiān)膜是為了增加膠的附著性，那堅(jiān)膜后加一步“打膠”，這一步是什么作用，“打膠”該怎么“打”？
  • 日本光刻膠市場(chǎng)地位：是否真的堅(jiān)不可摧？
    日本光刻膠市場(chǎng)地位：是否真的堅(jiān)不可摧？
    近期，隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸回暖，光刻膠作為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的重要材料，其生產(chǎn)廠商的訂單也開(kāi)始增多，擴(kuò)大產(chǎn)能成了新風(fēng)向。例如，信越化學(xué)宣布，為了擴(kuò)大半導(dǎo)體光刻材料業(yè)務(wù)，決定在日本群馬縣伊勢(shì)崎市新建其第四座生產(chǎn)工廠。東京應(yīng)化宣布在韓國(guó)京畿道平澤市新建工廠，作為其在韓國(guó)的光刻膠研發(fā)、生產(chǎn)和銷售基地。當(dāng)前，日本企業(yè)占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)約70%到90%的份額，特別是在高端的ArF和EUV光刻膠領(lǐng)域，市場(chǎng)占有率甚至超過(guò)90%，光刻膠也成為了日本在全球半導(dǎo)體制造鏈中的絕對(duì)依仗。
  • 高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)正努力爭(zhēng)取進(jìn)入所謂的“埃時(shí)代”（Angstrom era）。在所謂的3nm工藝節(jié)點(diǎn)附近的節(jié)點(diǎn)上，以“?！倍皇且浴凹{米”來(lái)命名技術(shù)節(jié)點(diǎn)成為了一種時(shí)尚，因此不是1.5nm，而是15埃。正是在這一點(diǎn)上，對(duì)晶圓上更精細(xì)圖案的要求超出了當(dāng)今EUV光刻系統(tǒng)和程序的能力。
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    04/23 10:40
  • 剛?cè)胄泄饪棠z行業(yè)，需要掌握哪些知識(shí)？
    剛?cè)胄泄饪棠z行業(yè)，需要掌握哪些知識(shí)？
    光刻工序的費(fèi)用占了芯片制程費(fèi)用的三分之一，其中光刻膠是光刻制程必不可少的材料。目前光刻膠的國(guó)產(chǎn)替代是一個(gè)機(jī)遇。光刻膠種類包括PCB 光刻膠、顯示用光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠。
  • 上海新陽(yáng)、容大感光等企業(yè)光刻膠最新動(dòng)態(tài)披露
    上海新陽(yáng)、容大感光等企業(yè)光刻膠最新動(dòng)態(tài)披露
    光刻膠是半導(dǎo)體制作的關(guān)鍵材料，被譽(yù)為電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)“皇冠上的明珠”。其能夠利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)過(guò)曝光、顯影等光刻工藝，將所需微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上。半導(dǎo)體光刻膠品種眾多，包括EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠、I/G線光刻膠。
  • 為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
    為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
    介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯?？涛g終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響。 刻蝕終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計(jì)量學(xué)測(cè)量。當(dāng)出現(xiàn)特定的傳感器測(cè)量結(jié)果或閾值時(shí)，可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作。如
  • 存儲(chǔ)器、CIS、光刻膠之后，模擬芯片聞風(fēng)而“漲”？
    存儲(chǔ)器、CIS、光刻膠之后，模擬芯片聞風(fēng)而“漲”？
    自今年下半年以來(lái)，隨著原廠大幅減產(chǎn)，智能手機(jī)新機(jī)型發(fā)表及AI PC等刺激終端消費(fèi)需求，消費(fèi)性電子周期回暖，可以明顯看到半導(dǎo)體景氣正由谷底回升。在此之際，部分芯片聞風(fēng)而“漲”，半導(dǎo)體市場(chǎng)掀起新一輪漲價(jià)潮。

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