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SK海力士

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Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商,也在整個半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。2022年8月,媒體報道,海力士計(jì)劃在美國新建先進(jìn)芯片封裝廠,預(yù)計(jì)明年第一季度破土動工。

Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商,也在整個半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。2022年8月,媒體報道,海力士計(jì)劃在美國新建先進(jìn)芯片封裝廠,預(yù)計(jì)明年第一季度破土動工。收起

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    SK海力士12月18日表示,已完成人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心用高容量固態(tài)硬盤(Solid State Drive)產(chǎn)品“PS1012U.2”61TB的開發(fā)。U.2是指SSD的一種外形規(guī)格(FormFactor),是2.5英寸大小的SSD。其特點(diǎn)是存儲空間大,耐久性高。因此,SK海力士開發(fā)的PS1012將主要用于服務(wù)器或高性能工作站。
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    SK海力士將在清州M15X Fab部署其核心人力。這是為了提高高帶寬存儲器(HBM)的生產(chǎn)能力。據(jù)業(yè)界12月15日透露,SK海力士將從本月末開始將京畿利川校區(qū)的部分DRAM前工程組長級人員轉(zhuǎn)移到清州園區(qū)。
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    SK海力士總經(jīng)理郭魯正表示:“明年1月將努力向員工支付超額利潤獎金(PS)?!痹诟邘挻鎯ζ鳎℉BM)等人工智能(AI)存儲器市場取得了良好的業(yè)績,預(yù)計(jì)將支付最高值的PS。
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    SK海力士正在尋求新的LiDAR(激光雷達(dá))業(yè)務(wù)。SPAD(單光子雪崩光電二極管,Single photon avalanche diode,SPAD)產(chǎn)品開發(fā)由負(fù)責(zé)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器(CIS)業(yè)務(wù)的CIS開發(fā)組織進(jìn)行。
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    SK海力士正在通過組織重組加速進(jìn)軍“AI內(nèi)存”市場。為了提高下一代存儲器的競爭力,SK海力士決定創(chuàng)建新的開發(fā)和量產(chǎn)組織,并加強(qiáng)主要業(yè)務(wù)部門的權(quán)限和協(xié)作系統(tǒng)。SK海力士強(qiáng)調(diào),“今年是復(fù)興元年,我們并沒有固步自封,而是專注于打造‘強(qiáng)大的One Team’體系,以繼續(xù)引領(lǐng)未來技術(shù)和市場,例如下一代AI半導(dǎo)體?!?/div>
  • SK集團(tuán)高管地震:75人晉升,2人成副總裁
    SK集團(tuán)高管地震:75人晉升,2人成副總裁
    SK集團(tuán)12月5日進(jìn)行2025年高管人事調(diào)整和組織重組。特別是,SK海力士高管被分配到附屬公司,為人工智能大擴(kuò)張時代做好準(zhǔn)備。SK集團(tuán)將N-S委員會(N-S Committee)負(fù)責(zé)人(副總裁)、SK海力士安賢(Ahn Hyeon)以及SK Supex Pursuit Council戰(zhàn)略支持組組長(副總裁)孫賢浩等兩人提拔為總裁。此外,SK海力士的高管被派往SK On等子公司,傳播創(chuàng)新DNA。
  • SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝,又甩三星
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    SK海力士決定采用3納米代工工藝生產(chǎn)明年下半年量產(chǎn)的定制化HBM4,全力進(jìn)軍美國市場。這意味著該公司將集中精力開發(fā)和量產(chǎn)具有 NVIDIA 和 Google 等美國人工智能 (AI) 加速器公司所尋求的最佳規(guī)格的產(chǎn)品。換句話說,這意味著他們將放棄低性能HBM市場。
  • SK高管地震!SK海力士CEO將晉升
    SK高管地震!SK海力士CEO將晉升
    本周SK集團(tuán)高管將改組,商界普遍認(rèn)為,人事變動范圍不會很大,去年年末人事變動中有四名副總裁辭職,全年對下屬企業(yè)進(jìn)行了人事變動。然而,由于業(yè)務(wù)重組而導(dǎo)致的組織瘦身預(yù)計(jì)是不可避免的。
  • 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    2024年第三季DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元,季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響,盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降,但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM(高帶寬內(nèi)存)需求上升。平均銷售單價部分,三大原廠延續(xù)前一季的上漲趨勢,加上HBM持續(xù)擠壓整體DRAM產(chǎn)能,合約價于第三季達(dá)成8%至13%的漲幅。 展望2024年第四季,Trend
  • SK海力士開始量產(chǎn)321層NAND,明年上半年供貨
    SK海力士開始量產(chǎn)321層NAND,明年上半年供貨
    SK海力士11月21日宣布,已開始量產(chǎn)全球最高321層1Tb(Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存,預(yù)計(jì)明年上半年供貨。SK海力士表示,“2023年6月,我們公司已經(jīng)量產(chǎn)并向市場供應(yīng)了上一代最高水平的238層NAND產(chǎn)品,而這一次,我們是第一個推出超過300層的NAND,突破技術(shù)極限。我們將通過向客戶提供產(chǎn)品來響應(yīng)市場需求?!?/div>
  • 加碼HBM!SK海力士Q3借款超1100億!
    加碼HBM!SK海力士Q3借款超1100億!
    在內(nèi)存半導(dǎo)體市場存在不確定性的情況下,SK海力士通過主導(dǎo)高帶寬內(nèi)存(HBM)市場提升了業(yè)績,該公司正基于其現(xiàn)金生成能力的增強(qiáng)而專注于債務(wù)管理。今年,值得注意的是現(xiàn)金持有量穩(wěn)步增加,而借款也大幅減少。為了應(yīng)對人工智能(AI)存儲器市場,今明兩年的設(shè)備投資較去年大幅擴(kuò)大的可能性很大,而且還計(jì)劃投資建立新的生產(chǎn)基地,看來公司正在先發(fā)制人地加快改善財務(wù)結(jié)構(gòu)。
  • SK海力士NAND市占將首超20%
    SK海力士NAND市占將首超20%
    SK海力士今年全球NAND閃存市場份額預(yù)計(jì)將首次超過20%。SK集團(tuán)會長崔泰源已決定親自負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù),因此縮小與第一名三星電子差距的工作預(yù)計(jì)將加快。
  • 研報 |TrendForce: SK hynix率先推出HBM3e 16hi產(chǎn)品,推升位元容量上限
    研報 |TrendForce: SK hynix率先推出HBM3e 16hi產(chǎn)品,推升位元容量上限
    SK hynix(SK海力士)近日在SK AI Summit 2024活動透露其正在開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,每顆HBM芯片容量為48GB,預(yù)計(jì)在2025年上半年送樣。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究,這款新產(chǎn)品的潛在應(yīng)用包括CSP(云端服務(wù)業(yè)者)自行研發(fā)的ASIC和general purpose GPU(通用型GPU),有望在HBM4世代量產(chǎn)前,提早于HBM3e世代推升位元容量上限。
  • SK hynix率先推出HBM3e 16hi產(chǎn)品,推升位元容量上限
    SK hynix(SK海力士)近日在SK AI Summit 2024活動透露其正在開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,每顆HBM芯片容量為48GB,預(yù)計(jì)在2025年上半年送樣。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究,這款新產(chǎn)品的潛在應(yīng)用包括CSP(云端服務(wù)業(yè)者)自行研發(fā)的ASIC和general purpose GPU(通用型GPU),有望在HBM4世代量產(chǎn)前,提早于HBM3e世代推升位元容量上限。
  • SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
    SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
    SK 海力士從第七代高帶寬存儲器(HBM4E)開始應(yīng)用“混合鍵合”?;旌湘I合是一種直接用銅連接DRAM頂部和底部的技術(shù)。由于它不需要HBM目前使用的微凸塊(焊球)和鍵合材料,因此有望給半導(dǎo)體行業(yè)帶來重大變化。
  • 突發(fā)!SK海力士員工被詐騙
    突發(fā)!SK海力士員工被詐騙
    據(jù)Sunday Newspaper i'報道,SK海力士并未針對Gallery K投資欺詐案采取法律行動。SK海力士相關(guān)人士表示,“我們不會就Gallery K投資欺詐事件提起訴訟,我們將繼續(xù)通過SK Histek與IFA協(xié)商,以采取針對損害的行動?!?/div>
  • 三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
    三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
    據(jù)相關(guān)行業(yè)人士11月9日透露,三星電子和SK海力士計(jì)劃從明年下半年開始量產(chǎn)12層HBM4。半導(dǎo)體公司計(jì)劃從 HBM4 開始認(rèn)真應(yīng)用新工藝“混合鍵合”。哪家公司首先穩(wěn)定應(yīng)用混合鍵合技術(shù)將決定HBM4市場的勝負(fù)。
  • SK海力士發(fā)百萬專利獎金
    SK海力士發(fā)百萬專利獎金
    SK海力士11月8日宣布,在位于京畿道利川市的總部舉行了“第六屆創(chuàng)新專利獎”頒獎典禮。與獲獎?wù)咭黄?,金東燮社長(負(fù)責(zé)對外合作)、企業(yè)中心社長宋賢鐘、金周善社長(負(fù)責(zé)AI基礎(chǔ)設(shè)施)等主要高管出席了此次活動。
  • 產(chǎn)業(yè)丨AI半導(dǎo)體熱潮中升溫,SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星
    產(chǎn)業(yè)丨AI半導(dǎo)體熱潮中升溫,SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星
    當(dāng)前,英偉達(dá)的GPU終于確立了HBM技術(shù)的領(lǐng)先地位,整個行業(yè)正緊隨其后,加速HBM技術(shù)的發(fā)展。在AI硬件競爭的激烈角逐中,時間等同于生命,任何落后都可能導(dǎo)致被淘汰的命運(yùn)。在HBM技術(shù)發(fā)展的道路上,一場無形的較量正在激烈進(jìn)行,同時也標(biāo)志著芯片市場競爭格局的重新塑造。
  • 三星 VS SK海力士:朝鮮半島的另一場硬仗
    三星 VS SK海力士:朝鮮半島的另一場硬仗
    韓國交易所27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子和SK海力士的市值份額差距縮至近13年來的最小水平。具體來看,以10月25日為準(zhǔn),三星電子普通股市值為333.71萬億韓元(約合人民幣1.7萬億元),占韓國綜指(KOSPI)整體市值的15.85%,降至近8年多的最低水平;SK海力士普通股市值為146.328萬億韓元,占KOSPI的6.95%,創(chuàng)下歷史新高。

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