2月初,國內(nèi)光刻機巨頭上海微電子舉行國內(nèi)首臺2.5D/3D先進封裝光刻機交付儀式,旋即也被美列入實體清單。目前上海微電子的最高工藝技術(shù)水平是90nm,主流產(chǎn)品是后端封測光刻機。而在“前道、后道和面板”三類光刻機中,最被卡脖子的是前道。
如果將芯片制造比作食品生產(chǎn),前道是“食品”,后道是包裝,面板制造是“調(diào)味品”。如果沒有“食品”,其他價值為“0”。所以后道、面板的價值要通過性能優(yōu)良的前道芯片來體現(xiàn)。
“就算給圖紙,也造不出光刻機”;“就算舉全國之力發(fā)展半導(dǎo)體制造,也很難取得成功。”ASML高管和臺積電創(chuàng)始人張忠謀不止一次公開表示。目前看,前道工藝的突破幾乎沒有可能。
通羅馬的路不只一條
要做一件事,千萬別為自己設(shè)限,循規(guī)蹈矩來做,可以想很多種辦法,來達至成功。
就算是臺積電,也沒有一條道走到黑。自2015年,臺積電開始采用自研的InFO FOWLP封裝技術(shù),在沿用16nm邏輯工藝前提下包攬了蘋果A10處理器的所有代工訂單,實現(xiàn)了40%的性能提升,延長了iPhone待機時間。
這標志著基于硅中介層的3D先進封裝技術(shù)逐漸走向半導(dǎo)體制造前沿,此后代工廠、ODM甚至基板廠商等產(chǎn)業(yè)鏈玩家都紛紛加入這條延續(xù)摩爾定律的賽道,無論是3D結(jié)構(gòu)設(shè)計、新材料、制造工藝和高帶寬海量數(shù)據(jù)應(yīng)用,先進封裝都為半導(dǎo)體研究與發(fā)展打開了一扇大門。
不可否認,國內(nèi)在2.5D/3D先進封裝技術(shù)方面仍比較滯后,如何有效提高我國封裝技術(shù)水平,推動產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,把握新基建等重點應(yīng)用的歷史機遇?如何更有效地組織產(chǎn)業(yè)合作?如何進一步降低先進封裝成本,擴大市場份額?來看看制造裝備、封裝設(shè)計、測試分析和行業(yè)應(yīng)用的頭部企業(yè)如何評說。
延續(xù)摩爾先進封裝當仁不讓
過去十年,國內(nèi)封裝技術(shù)飛速發(fā)展,包括工藝、裝備、材料分析和設(shè)計能力都在提升,EDA工具的開發(fā)和應(yīng)用也有很大進展。但從國際最先進封裝技術(shù)發(fā)展來看,在延續(xù)摩爾定律特別是芯片級封裝技術(shù)方面,目前國際上主要以臺積電、英特爾、三星為代表,許多先進封裝技術(shù)都是這些國際巨頭命名的,證明延續(xù)摩爾定律先進封裝技術(shù)非常重要,也說明我國封裝技術(shù)水平還存在較大差距。
不過,如果說一直是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落后環(huán)節(jié)的晶圓制造很難趕上,而封裝技術(shù)卻是大陸半導(dǎo)體行業(yè)與全球頂尖技術(shù)之間差距最小的環(huán)節(jié)。因為高密度先進封裝技術(shù)的進展主要體現(xiàn)在互連技術(shù)的演變,即由點到面,再到3D堆疊,密度越來越高。
高密度先進封裝技術(shù)進展
當然,在國際主流晶圓廠入局先進封裝后,封裝技術(shù)的差距也有進一步拉大的趨勢。在此情形下,本土晶圓廠和封測廠如何追趕先進封裝工藝,已成為半導(dǎo)體行業(yè)的當務(wù)之急。
如何改變先進封裝滯后局面?
上面說過,2.5D、3D臺積電引領(lǐng),還有英特爾和三星;國內(nèi)封測廠商長電科技、華天科技和通富微電排在后面,已有相應(yīng)的技術(shù)積累。很多人覺得,這樣已經(jīng)很好了,國家不用再投入資金研發(fā),但實際上最前端技術(shù)還有很大差距。從先進制造走向先進封裝,需要很強悍的制造能力,特別是在0.25μm線寬,像TSV(硅通孔)和RDL(再布線)是封裝廠難以企及的,還有有源芯片TSV的實現(xiàn)、高性能CPU做中介層、Chiplet方案都在開發(fā)和推動,國內(nèi)也都相對滯后。
當前,由于具靈活、高密度、適于系統(tǒng)集成,2.5D/3D TSV以及FO(扇出)封裝已成為先進封裝的核心技術(shù)。TSV通孔及UBM(凸點下金屬層)/RDL等制程工藝在晶圓級封裝中已廣泛使用。
具體到高端部分,尤其要考慮未來技術(shù)的趨勢。首先,晶圓級封裝裝備方面的國際差距相對較小,在早期02專項支持下,本土裝備有非常好的基礎(chǔ),將2.5D、3D TSV技術(shù)用到了前道工藝,前道和中道工藝也在不斷融合。當然,尺寸越來越小,甚至到亞微米,深寬比也越來越高,確實面臨一些挑戰(zhàn)。
制造裝備首先要從全球視野出發(fā),對新技術(shù)有敏感性和前瞻性,看到跟國際的差距,雖然前道工藝有基礎(chǔ),但封裝有其特殊性,比如不同晶圓襯底的把控、有機物的處理,需要在前道基礎(chǔ)上很快整合現(xiàn)有技術(shù),很快響應(yīng)客戶需求。至于產(chǎn)業(yè)化,需要上下游一起緊密配合,才能推到量產(chǎn)。
在設(shè)計思路方面,可以借鑒很有特色的封裝結(jié)構(gòu),比如一般做2.5D是硅基板,現(xiàn)在有一些廠商在有源2.5D中嵌入一些常規(guī)模塊,再和芯片集成,有點像純3D,又不太一樣,是在硅基板中嵌入常規(guī)模塊的有源硅基板。一些EDA工具可以實現(xiàn)各種設(shè)計思路。封裝級重構(gòu)是從傳統(tǒng)封裝到先進封裝或SiP,變化非常大,在封裝級別組合多個芯片形成一個SiP,其定義非常靈活,可以做各種各樣的事情。
臺積電、英特爾能做的東西覆蓋不是很廣,目前主要做的是高密度互連處理器,國內(nèi)還有更多芯片可以集成為系統(tǒng)。至于功能密度,是在一個體積內(nèi)集成更多的功能單元,比如14nm結(jié)合先進封裝技術(shù)就能媲美7nm工藝的產(chǎn)品,這是從整個系統(tǒng)封裝產(chǎn)品來定義的。所雖然國內(nèi)在最頂端工藝上不如頂級廠商,但通過封裝級別的靈活設(shè)計,最終產(chǎn)品性能并不會比他們差。
從產(chǎn)值來講,臺積電在代工方面引領(lǐng)市場,但在技術(shù)方面美國還是領(lǐng)先。1958年,晶體管發(fā)明人William Shockley在其專利中就提到過TSV的制備方法。上世紀90年代末,香港應(yīng)用技術(shù)研究院才提出這種方法,臺積電在1998年申請了相關(guān)美國專利,關(guān)于TSV技術(shù)的最早論文發(fā)表于2000年。之后英特爾、IBM都做了很多研究,特別是在Chiplet、芯片異構(gòu)集成封裝技術(shù)等方面?,F(xiàn)在中國面臨的問題是怎么解決技術(shù)和市場滯后的問題,目前在整個封裝市場中國大陸占21%左右,但先進封裝還不到6%,所以落后顯而易見。
2020年按地理區(qū)域劃分封測廠商收入
而要解決這個問題,第一要重視人才,要有一流的科學家,所以需要大學、研究所和企業(yè)合作,取長補短?,F(xiàn)在國內(nèi)一些研究機構(gòu)的技術(shù)已不輸國外,如分析測試、材料分析、可靠性分析。另外像長電科技與中芯國際的合作,形成了制造前后段合作伙伴關(guān)系,而這些企業(yè),包括北方華創(chuàng)又是勝科納米的客戶,可以有效支持量產(chǎn)計劃。第二要認識差距,不能有一些成績就說趕上了國外,客戶市場和需求很重要,搞3D封裝一定要有先進晶圓制造做基礎(chǔ),然后封裝跟上,才能挑戰(zhàn)摩爾定律,所以要強強聯(lián)合,加強合作。
產(chǎn)業(yè)合作需要更進一步
國內(nèi)02專項還有封測聯(lián)盟對封裝行業(yè)發(fā)展起到了一定推動作用,國家科學技術(shù)獎封測龍頭榜上有名,也是十年來幾家緊密合作的結(jié)果。未來產(chǎn)業(yè)合作的效率還要進一步提高。特別是裝備企業(yè)應(yīng)該和一些有很多資源的高校、研究所合作,吸引非常著名或非常有研究水平的科研機構(gòu)為我所用,將研究成果導(dǎo)入產(chǎn)業(yè);另外,EDA工具也需要與產(chǎn)業(yè)合作,進一步快速應(yīng)用在封測領(lǐng)域。另外,在這一過程中,一定要有大型產(chǎn)品企業(yè)來推動事情的發(fā)生。
目前在產(chǎn)業(yè)合作方面大家互動比較多,但主要是出于自己的需求或看到市場機會,比如裝備企業(yè)希望往下游走,需要做一些驗證,會主動找一些上下游合作伙伴;又如材料類,光刻膠企業(yè)也會用光刻機做一些工藝,驗證后道流片材料的特性。未來,希望有產(chǎn)業(yè)鏈平臺組織產(chǎn)業(yè)界更多的討論,從應(yīng)用需求出發(fā)研討一些要攻克的題目,將相關(guān)上下游合作伙伴拉進來,設(shè)定一個目標和環(huán)節(jié),逐步推進要。
產(chǎn)業(yè)合作首先是滿足工藝要求,但設(shè)計需求和思路是由Fabless(設(shè)計公司)設(shè)計的,首先要有需求,還要有EDA工具,然后才是制造廠對技術(shù)的支撐,所以產(chǎn)業(yè)合作應(yīng)該包括晶圓廠、封測和系統(tǒng)廠商。在SiP先進封裝中很重要一點是系統(tǒng)廠商,比如蘋果,它有這樣的需求,要做這樣一個產(chǎn)品,才去找這些有工藝能力的廠商幫它生產(chǎn)。EDA也是為了支持用戶的想法和需求,利用EDA設(shè)計形成的生產(chǎn)文件、光罩或先進封裝圖形,滿足Fabless的設(shè)計想法,再由晶圓廠、封測廠去實現(xiàn)。
有效加強聯(lián)合特別重要,尤其是3D封裝必須要以先進的晶圓制造為基礎(chǔ),加上設(shè)備商提供的設(shè)備,先進制造、晶圓制造和封裝結(jié)合起來,中芯國際和長電的聯(lián)合做了表率。新加坡是除了中國臺灣和韓國以外的另一個重鎮(zhèn)。勝科納米新加坡實驗室一直為一些國際半導(dǎo)體巨頭(高通、博通、英飛凌等),還有應(yīng)用材料公司做配套服務(wù),積累了相當豐富的技術(shù)經(jīng)驗,可以首先拿到最先進的樣品,支持先進封裝、材料分析、失效分析和可靠性分析。
以前一說卡脖子就是光刻機,實際上卡脖子的東西還很多,像分析測試儀器,假如有一天國外不賣了,不給材料、配件,沒有國產(chǎn)儀器跟它匹敵,也會很難。因此,必須認識到差距,團結(jié)合作,補齊我們的短板。
把握應(yīng)用方面的歷史機遇
5G作為新基建的重要方向,為先進封裝帶來了歷史機遇。雖然我國在芯片設(shè)計、制造、封裝、模塊很多領(lǐng)域還比較落后,如果我們跟臺積電PK CoWoS的線寬是沒有任何優(yōu)勢的。臺積電去年發(fā)布的先進CoWoS封裝技術(shù)路線圖顯示,2023年將結(jié)合Chiplet與HBM3推出第5代CoWoS封裝技術(shù),有望將晶體管數(shù)量翻至第3代封裝解決方案的20倍。
臺積電先進CoWoS封裝技術(shù)路線圖
但5G應(yīng)用并不像計算邏輯封裝技術(shù)CoWoS需要高精尖的線寬。特別是在射頻領(lǐng)域,采用新材料、新工藝、新結(jié)構(gòu)是有很多機會的。因為5G射頻器件恰恰需要封裝集成、協(xié)同設(shè)計、工藝研發(fā)、工程驗證和量產(chǎn)服務(wù)等方面的合作優(yōu)勢。
針對5G射頻濾波器先進封裝,裝備企業(yè)不能閉門造車,要和下游企業(yè)綁定在一起,尤其是和細分領(lǐng)域走在前沿的下游企業(yè)緊密合作,一起做聯(lián)合裝備、工藝研發(fā)。另外也要研究行業(yè),提前做一些技術(shù)儲備。目前,在5G方面北方華創(chuàng)不僅提供封裝設(shè)備,芯片制程方面也有全面的裝備和工藝布局,包括BAW和SAW濾波器、射頻芯片和化合物芯片。
國產(chǎn)EDA目前是從點工具開始做,在某些射頻頻段都是點布局,目前還能很難形成全流程。5G的頻仿真并不需要做整個系統(tǒng),只在某些局部區(qū)域進行仿真分析,以得到最佳結(jié)果,所以對國產(chǎn)EDA來說是一個機會。比如芯和半導(dǎo)體的EDA從芯片、封裝到系統(tǒng)仿真全覆蓋,其IPD(集成無源器件)濾波器產(chǎn)品累計出貨量已超10億顆。又如合見工軟的EDA工具能夠在不需要整個流程的前提下在某些點具有一定優(yōu)勢。
關(guān)于非常復(fù)雜的5G模塊化測試分析問題,現(xiàn)在人工智能與5G高性能計算同步發(fā)展,呈現(xiàn)出兩高三低:高性能、高帶寬、低延時、低功耗、低成本。講到歷史機遇,現(xiàn)實是,臺積電發(fā)布的2021年第四季度財報顯示,其7nm及以下制程貢獻營收達到一半。2021年全年,臺積電7nm以上制程占比繼續(xù)減小,而7nm營收占比上漲2%,5nm占比提升最大,2021年底達到19%,3nm已接近量產(chǎn),2nm明年開始。
要應(yīng)對摩爾定律的挑戰(zhàn),國內(nèi)需要利用先進封裝加快趕上。作為失效分析和可靠性分析支持以及輔助研發(fā)提供商,勝科納米希望與行業(yè)配合,讓客戶體驗到Labless的成本優(yōu)勢,用上最新的技術(shù)、最好的專家、最好的分析設(shè)備和服務(wù)。
寫在最后:關(guān)鍵賽道的機會
國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)將先進封裝放到非常重要的位置,因為先進封裝已成為超越摩爾定律的關(guān)鍵賽道,無論是延續(xù)摩爾定律還是超越摩爾定律都離不開先進封裝,國際頭部企業(yè)也是如此。但是,先進封裝道路并非一帆風順,認識到差距,不怕有差距,才能不斷追趕。
先進封裝可能是下一次芯片產(chǎn)業(yè)洗牌的開端,蘊含著對中國自主高端芯片的機會。未來驅(qū)動芯片行業(yè)持續(xù)發(fā)展的是EDA工具軟件,特別是聚焦型軟件;2.5D、3D先進封裝技術(shù)同樣也有挑戰(zhàn),而把握不同功能、不同尺寸、不同工藝、不同襯底的靈活封裝可能是實現(xiàn)應(yīng)用的關(guān)鍵;同時也要利用失效分析來提升半導(dǎo)體先進封裝的良率,實現(xiàn)降本增效。