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MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。收起

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    Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出TPSMB非對(duì)稱TVS二極管系列，這是首款上市的非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管，專門用于保護(hù)汽車應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。 這一創(chuàng)新產(chǎn)品滿足下一代電動(dòng)汽車 (EV) 系統(tǒng)對(duì)可靠過(guò)壓保護(hù)日益增長(zhǎng)的需求，提供一種結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案
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  • 英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
    2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過(guò)程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場(chǎng)多點(diǎn)開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)
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  • 協(xié)作機(jī)器人到類人機(jī)器人：將系統(tǒng)效率和安全性融入更大功率的機(jī)器人中
    隨著制造業(yè)的自動(dòng)化程度不斷提高，以及消費(fèi)者在家中安裝這些自動(dòng)化系統(tǒng)，機(jī)器人市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)。公司紛紛開始在其工廠和倉(cāng)庫(kù)中實(shí)現(xiàn)制造系統(tǒng)的自動(dòng)化，并適應(yīng)未來(lái)機(jī)器人與人類進(jìn)行更多互動(dòng)的情形。 制造機(jī)器人的設(shè)計(jì)工程師了解，有數(shù)百種不同類型的機(jī)器人系統(tǒng)。如圖 1 所示，機(jī)器人種類繁多，從功率只有幾瓦的小型輔助機(jī)器人到自主移動(dòng)機(jī)器人、類人機(jī)器人以及功率高達(dá) 4kW 及更高的重型工業(yè)機(jī)器人。 圖 1. 協(xié)作機(jī)器人
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  • 平面技術(shù)PK溝槽技術(shù)：探索碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)
    在電力電子應(yīng)用中，功率密度固然重要，但可靠性也同樣至關(guān)重要，甚至在某些應(yīng)用中可能更為關(guān)鍵。盡管工程師通常專注于性能局限性問(wèn)題，但可能導(dǎo)致計(jì)劃外停機(jī)或維修的實(shí)際故障則較難接受，因?yàn)樗鼈兛赡軙?huì)對(duì)業(yè)務(wù)產(chǎn)生不可預(yù)見的重大影響。因此，溝槽技術(shù)的潛力需要進(jìn)行更全面的評(píng)估。雖然溝槽技術(shù)有望成為電力電子工程工具箱的標(biāo)準(zhǔn)配置，事實(shí)上也已經(jīng)被采納使用，但采用這種技術(shù)的人對(duì)其提供可靠性能的能力還抱有相當(dāng)多的"大膽一試"的想法。
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  • 使用熱插拔控制器增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性
    作者：Karl Audison Cabas，產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)工程師 Ralph Clarenz Matocinos，產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)助理工程師 Christian Cruz，產(chǎn)品應(yīng)用高級(jí)工程師 摘要 本文探討了在系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用中實(shí)施熱插拔控制器的優(yōu)勢(shì)和好處。熱插拔控制器提供了一種先進(jìn)的解決方案，可無(wú)縫插入和拔出電子設(shè)備，確保持續(xù)運(yùn)行、防止過(guò)流并進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。通過(guò)提供參考設(shè)計(jì)，用戶可以更好地了解關(guān)鍵功能，從而增
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  • CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
    Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，便于無(wú)縫集成。
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  • MOSFET規(guī)格書寫的體二極管正向電流175A靠譜嗎？如何計(jì)算真實(shí)的通流能力？-電路易錯(cuò)點(diǎn)
    上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計(jì)關(guān)注點(diǎn)，其中Diode continuous forward current：體二極管連續(xù)正向電流這一參數(shù)，最大高達(dá)175A，如果是真的，那這個(gè)數(shù)據(jù)已經(jīng)很牛了，但是規(guī)格書這個(gè)參數(shù)有個(gè)角標(biāo)2）：
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  • 芯品速遞 | 希荻微推出16V、20A 高級(jí)熱插拔/電子保險(xiǎn)絲，提供強(qiáng)大的負(fù)載保護(hù)和高效的電源管理
    希荻微電子集團(tuán)股份有限公司(股票代碼:688173，以下簡(jiǎn)稱“希荻微”)是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬及電源管理的集成電路設(shè)計(jì)商，專注于推動(dòng)高效節(jié)能及智能系統(tǒng)的應(yīng)用。近日，希荻微隆重推出了HL8520E——一款先進(jìn)的熱插拔/電子保險(xiǎn)絲器件，專為敏感負(fù)載電路提供卓越的保護(hù)和精準(zhǔn)的電源控制。 HL8520E旨在保護(hù)系統(tǒng)免受輸入瞬變、短路和電壓尖峰等潛在危害的影響，同時(shí)優(yōu)化電力傳輸以增強(qiáng)可靠性。它寬泛的輸入電壓范圍(
    芯品速遞 | 希荻微推出16V、20A 高級(jí)熱插拔/電子保險(xiǎn)絲，提供強(qiáng)大的負(fù)載保護(hù)和高效的電源管理
  • 所有的MOSFET都有體二極管嗎？它有什么作用呢？硬件工程師要搞懂的電路知識(shí)點(diǎn)
    與三極管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號(hào)會(huì)包含一個(gè)寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFET都會(huì)有體二極管嗎？這個(gè)體二極管它有什么作用呢？
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  • Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET
    器件占位面積小，采用BWL設(shè)計(jì)，ID高達(dá)795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供
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  • 意法半導(dǎo)體車規(guī)八通道柵極驅(qū)動(dòng)引入專利技術(shù)，降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的物料成本
    意法半導(dǎo)體 L99MH98 8通道柵極驅(qū)動(dòng)引入專利技術(shù)，可構(gòu)建沒有電流檢測(cè)電阻的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，從而降低耗散功率和物料成本。 L99MH98 能夠獨(dú)立控制四路全橋預(yù)驅(qū)或八路半橋預(yù)驅(qū)或八路高邊/低邊預(yù)驅(qū)，適用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)座椅、天窗、側(cè)滑門和電動(dòng)尾門等直流電機(jī)應(yīng)用。L99MH98內(nèi)置電荷泵，可用于驅(qū)動(dòng)反接保護(hù) MOSFET。 L99MH98最大柵極驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)120mA, 柵極驅(qū)動(dòng)能力可配置，滿足驅(qū)動(dòng)
    意法半導(dǎo)體車規(guī)八通道柵極驅(qū)動(dòng)引入專利技術(shù)，降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的物料成本
  • 愛仕特內(nèi)絕緣型 SiC MOSFET：高效能應(yīng)用的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)引擎
    愛仕特近期推出了1200V和1700V兩款內(nèi)絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在保持標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸，通過(guò)內(nèi)置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導(dǎo)熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設(shè)計(jì)，減少了外部絕緣材料依賴，降低了材料老化導(dǎo)致的長(zhǎng)期運(yùn)行故障風(fēng)險(xiǎn)，增強(qiáng)了產(chǎn)品可靠性和耐用性。
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    2024/12/04
    愛仕特內(nèi)絕緣型 SiC MOSFET：高效能應(yīng)用的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)引擎

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