ALD技術(shù)

• ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢？
  學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

  TOM聊芯片智造

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  12/20 16:07

  ALD ALD技術(shù)
• 一項多尺度模擬技術(shù)，打通ALD的材料—過程—裝備？
  

  今天我們對話的這位專家是來自華東理工大學(xué)化工學(xué)院的莊黎偉教授，他在原子層沉積工藝中進行了非常多的探索，今天我們就請莊教授和我們一起來聊聊他所從事的事情，請莊教授和大家打個招呼。

  芯片揭秘

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  04/01 16:46

  ALD ALD技術(shù)
• 在使用ALD工藝沉積氧化物時，如何確保反應(yīng)完全且薄膜厚度可控
  原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種精密的薄膜沉積技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子和納米技術(shù)領(lǐng)域。在沉積氧化物薄膜時，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度是至關(guān)重要的，這直接影響到薄膜的質(zhì)量和性能。本文將探討如何在使用ALD工藝沉積氧化物時，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度。

  eefocus_3901714

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  08/19 09:18

  ALD ALD技術(shù)
• ALD（原子層沉積）與CVD的異同點有哪些
  ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）是常用的薄膜沉積技術(shù)，在材料科學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。雖然它們都用于沉積薄膜，但在原理、工作機制和特點上存在著一些顯著的不同。

  eefocus_3901714

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  08/16 13:37

  CVD ALD

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