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ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢？

學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

TOM聊芯片智造

368

12/20 16:07

ALD ALD技術(shù)

先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技

隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大，芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納

王兵

3709

12/10 09:18

與非研究院 CVD

越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)

美日荷相繼加大對華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導(dǎo)體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機等關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴大份額，預(yù)計2025年國產(chǎn)化率將達50%。前面文章我們分析了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體

王兵

5136

11/26 12:10

與非研究院 NAND

5nm已量產(chǎn)，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——中微公司

晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。根據(jù)Gartner統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場年均增速超過15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場年均增速超過14%，這兩類設(shè)備增速遠高于其他種類的設(shè)備。圖|20

王兵

8874

11/12 10:37

與非研究院 CVD

一項多尺度模擬技術(shù)，打通ALD的材料—過程—裝備？