5nm已量產(chǎn)，3nm還會遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司

晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。

根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場年均增速超過15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場年均增速超過14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。

圖|2013-2023年半導(dǎo)體前道設(shè)備增速

來源：Gartner、與非研究院整理

未來由于光刻機(jī)的波長限制，更小的微觀結(jié)構(gòu)要靠等離子體刻蝕和薄膜的組合“二重模板”和“四重模板”工藝技術(shù)來加工，刻蝕機(jī)和薄膜設(shè)備的重要性不斷提高。同時(shí)，存儲器件從2D至3D的轉(zhuǎn)換的過程中，需要大量采用多層材料薄膜沉積和極高深寬比結(jié)構(gòu)的刻蝕，等離子體刻蝕和薄膜制程成為最關(guān)鍵的步驟。

圖|芯片加工主要環(huán)節(jié)

來源：公司官網(wǎng)

今天我們來分析的中微公司就是國內(nèi)刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備的龍頭之一。目前，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已在國際一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米的集成電路加工制造及先進(jìn)封裝中有具體應(yīng)用。公司 CCP 雙反應(yīng)臺設(shè)備累計(jì)裝機(jī)量超過 2000 反應(yīng)腔，單反應(yīng)臺 CCP 和 ICP 刻蝕設(shè)備在先進(jìn)工藝生產(chǎn)線裝機(jī)超過 1000 臺。公司的 MOCVD 設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，取得世界排名前列、國內(nèi)占領(lǐng)先地位。

一、公司介紹

1.1、發(fā)展歷程

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2004 年成立于上海，2019 年 7月登陸科創(chuàng)板。公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，核心產(chǎn)品為刻蝕設(shè)備和 MOCVD 設(shè)備，兩類產(chǎn)品均在海內(nèi)外具備優(yōu)良競爭力?？涛g設(shè)備為集成電路（IC）制造的關(guān)鍵設(shè)備， MOCVD 設(shè)備是LED 芯片制造的最主要設(shè)備。服務(wù)遍布中國大陸和臺灣、新加坡、韓國、德國、意大利等國家和地區(qū)的客戶。

1.2、創(chuàng)始人

尹志堯，男，1944年生，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)學(xué)士，加州大學(xué)洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職于英特爾中心技術(shù)開發(fā)部，擔(dān)任工藝工程師；1986年至1991年，就職于泛林半導(dǎo)體，歷任研發(fā)部資深工程師、研發(fā)部資深經(jīng)理；1991年至2004年，就職于應(yīng)用材料，歷任等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品總部首席技術(shù)官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官；2004年至今，擔(dān)任中微公司董事長及總經(jīng)理。

1.3、主要股東

截止2024.9.30日，中微公司第一大股東上海創(chuàng)投（實(shí)控人為上海市國資委）持股比例 15.05%，第二大股東巽鑫投資（大基金全資子公司）持股比例為 13.04%，華芯投資管理有限責(zé)任公司-國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司持股3.93%。兩者持股比例接近，公司無實(shí)際控制人。

二、產(chǎn)品分類

公司設(shè)備產(chǎn)品主要包括刻蝕設(shè)備和 MOCVD 設(shè)備兩大類：其中刻蝕設(shè)備又包括電容性等離子體刻蝕設(shè)備（CCP）和電感性等離子體刻蝕設(shè)備（ICP）,可覆蓋90%刻蝕應(yīng)用。MOCVD 設(shè)備：用于 LED 和功率器件外延片批量生產(chǎn)。

2.1、刻蝕設(shè)備

中微公司專注于研發(fā)干法刻蝕（等離子體刻蝕）設(shè)備，用于在晶圓上加工微觀結(jié)構(gòu)。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料。根據(jù)所要去除材料和加工器件結(jié)構(gòu)的不同，可分為電介質(zhì)刻蝕、導(dǎo)體刻蝕和硅通孔刻蝕。

中微刻蝕設(shè)備分類

公司主要產(chǎn)品及應(yīng)用領(lǐng)域分布如下：

CCP 刻蝕設(shè)備：主要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料，為 65 納米到 5納米及更先進(jìn)工藝的芯片制造提供創(chuàng)新的解決方案。

ICP 刻蝕設(shè)備：主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料，為1X納米及更先進(jìn)工藝的邏輯和存儲器件刻蝕應(yīng)用提供創(chuàng)新的解決方案。

圖|中微刻蝕設(shè)備

來源：公司公告

在邏輯芯片制造方面，公司開發(fā)的 12 英寸高端刻蝕設(shè)備持續(xù)獲得國際國內(nèi)知名客戶的訂單，

已經(jīng)在從 65 納米到 5 納米及更先進(jìn)的各個(gè)技術(shù)結(jié)點(diǎn)大量量產(chǎn)；同時(shí)，先進(jìn)邏輯器件制造對加工的精確性、重復(fù)性、微粒污染水平，以及反應(yīng)腔之間的匹配度等都提出了更高的要求，公司著力改進(jìn)刻蝕設(shè)備性能以滿足、先進(jìn)工藝關(guān)鍵步驟加工的要求。

在存儲芯片制造環(huán)節(jié)，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已大量用于先進(jìn)三維閃存和動態(tài)隨機(jī)存儲器件的量產(chǎn)。先進(jìn)存儲芯片制造中最關(guān)鍵的超高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕應(yīng)用目前仍然被國外半導(dǎo)體設(shè)備公司壟斷。公司致力于提供超高深寬比掩膜（≥40:1）和超高深寬比介質(zhì)刻蝕(≥60:1)的全套解決方案，相應(yīng)的開發(fā)了配備超低頻偏壓射頻的 ICP 刻蝕機(jī)用于超高深寬比掩膜的刻蝕，并且開發(fā)了配備超低頻高功率偏壓射頻的 CCP 刻蝕機(jī)用于超高深寬比介質(zhì)刻蝕。這兩種設(shè)備都已驗(yàn)證成功，進(jìn)入量產(chǎn)。

圖|中微超高深寬比設(shè)備發(fā)展歷史

來源：公司公告

此外，公司和國內(nèi)外特殊器件制造客戶合作，在先進(jìn)封裝、功率器件、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域不斷拓展應(yīng)用，持續(xù)獲得訂單。公司通過與國際領(lǐng)先客戶合作，積極參與新興器件制造技術(shù)的研發(fā)，在超構(gòu)透鏡（Metalenses）和基于 12 英寸晶圓的微機(jī)電系統(tǒng)制造等方面都取得良好進(jìn)展，公司設(shè)備已經(jīng)在相應(yīng)的生產(chǎn)線上進(jìn)行最新技術(shù)的研發(fā)和試產(chǎn)。

2.2、MOCVD 設(shè)備

MOCVD全稱是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備），是在基板上生長半導(dǎo)體薄膜的一種技術(shù)。利用MOCVD技術(shù)，許多納米層可以以極高的精度沉積，每一層都具有可控的厚度，以形成具有特定光學(xué)和電學(xué)特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)。

圖|中微MOCVD設(shè)備

來源：公司公告

中微公司在MOCVD領(lǐng)域有非常深厚的技術(shù)積累。公司于2013年發(fā)布了第一代MOCVD設(shè)備 PRISMO D-BLUE?，2016年發(fā)布了其第二代MOCVD設(shè)備 PRISMO A7?。具有自主知識產(chǎn)權(quán)的MOCVD設(shè)備PRISMO HiT3?，是適用于高質(zhì)量氮化鋁和高鋁組分材料生長的關(guān)鍵設(shè)備。中微已經(jīng)在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。

MOCVD分類

用于藍(lán)光 LED 的 PRISMO D-Blue?、PRISMO A7? MOCVD 設(shè)備能分別實(shí)現(xiàn)單腔 14 片 4 英

寸和單腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。

用于制造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD 設(shè)備 PRISMO HiT3?，其反應(yīng)腔最高工藝溫度可達(dá)1400 度，單爐可生長 18 片 2 英寸外延晶片，并可延伸到生長 4 英寸晶片。

用于 Mini-LED 生產(chǎn)的 MOCVD 設(shè)備 PRISMO UniMax?，具有行業(yè)領(lǐng)先的高產(chǎn)能和高靈活性的特點(diǎn)，在同一系統(tǒng)中可配備多達(dá) 4 個(gè)反應(yīng)腔，每個(gè)反應(yīng)腔都可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制。PRISMO UniMax?配置了 785mm 大直徑石墨托盤，可實(shí)現(xiàn)同時(shí)加工 164 片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延晶片，PRISMO UniMax?已在領(lǐng)先客戶端開始進(jìn)行規(guī)?；a(chǎn)。

用于硅基氮化鎵功率器件用 MOCVD 設(shè)備 PRISMO PD5?，在同一系統(tǒng)中可配備多達(dá) 4 個(gè)反應(yīng)腔，每個(gè)反應(yīng)腔都可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制，僅通過更換石墨托盤即可實(shí)現(xiàn) 6 英寸與 8 英寸工藝的便捷切換，PRISMO PD5?設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上驗(yàn)證通過并獲得重復(fù)訂單。

Micro-LED 應(yīng)用的專用 MOCVD 設(shè)備開發(fā)順利，實(shí)驗(yàn)室初步結(jié)果實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，

已付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展生產(chǎn)驗(yàn)證；用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中，已

付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗(yàn)證測試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的 MOCVD 設(shè)備也正在按計(jì)劃順利開發(fā)中。

2.3、薄膜沉積設(shè)備

圖|中微薄膜沉積設(shè)備

來源：公司公告

公司開發(fā)的 CVD（化學(xué)氣相沉積）鎢設(shè)備已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證，滿足金屬互聯(lián)鎢制程各項(xiàng)性能指標(biāo)，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單。

公司在 CVD W基礎(chǔ)上開發(fā)的 HAR（高深寬比）鎢設(shè)備采用創(chuàng)新的工藝解決方案，已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證，滿足存儲器件中的高深寬比金屬互聯(lián)應(yīng)用中各項(xiàng)性能指標(biāo)，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單。

除此之外，中微進(jìn)一步開發(fā)的具備三維填充能力的 ALD（原子層沉積）鎢設(shè)備，采用完全自主知識產(chǎn)權(quán)的機(jī)臺設(shè)計(jì), 可精準(zhǔn)控制工藝過程，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的原子級別生長。該設(shè)備已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證，滿足三維存儲器件字線應(yīng)用中各項(xiàng)性能需求，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單。

公司完全自主設(shè)計(jì)開發(fā)的雙臺機(jī)金屬鎢系列設(shè)備，可以達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)率，同時(shí)保證較低的化學(xué)品消耗，具有優(yōu)秀的階梯覆蓋率和填充能力，能夠滿足先進(jìn)邏輯器件柵極金屬接觸及接觸孔填充應(yīng)用，以及 64 層和 128 層 3D NAND 中的多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用。

除此之外，公司新開發(fā)的 ALD 氮化鈦設(shè)備，產(chǎn)品性能驗(yàn)證可以達(dá)到國際先進(jìn)水平，可滿足邏輯及存儲多道關(guān)鍵應(yīng)用需求。

2.4、VOC設(shè)備

圖|中微VOC設(shè)備

來源：公司公告

憑借在復(fù)雜化學(xué)物和氣體的高端工藝設(shè)備領(lǐng)域長期積累，中微在國內(nèi)率先開發(fā)制造了工業(yè)用大型VOC 凈化設(shè)備，該產(chǎn)品符合嚴(yán)格的空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

2.5、刻蝕設(shè)備發(fā)展趨勢

線寬縮小

隨著國際上高端量產(chǎn)芯片從 14 納米到 10 納米階段向 7納米、5納米甚至更小的方向發(fā)展，當(dāng)前市場普遍使用的沉浸式光刻機(jī)受光波長的限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進(jìn)一步提升。下圖展示 10 納米多重模板工藝原理，涉及多次刻蝕。

圖|10 納米多重模板工藝原理

來源：公司公告

3D時(shí)代

除集成電路線寬不斷縮小以外，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜，例如存儲器領(lǐng)域的 NAND 閃存已進(jìn)入 3D 時(shí)代。3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從 32 層、64 層向128 層發(fā)展，國外可達(dá)200層以上?？涛g要在氧化硅和氮化硅一對的疊層結(jié)構(gòu)上，加工 40：1 到 60：1的極深孔或極深的溝槽。

每層均需要經(jīng)過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的需求。中微公司能夠滿足先進(jìn)邏輯器件柵極金屬接觸及接觸孔填充應(yīng)用，以及 64 層和 128 層 3D NAND 中的多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用。

圖|2D NAND 及 3D NAND 示意圖

來源：公司公告

市場占比情況

目前半導(dǎo)體設(shè)備市場主要由歐美、日本等國家的企業(yè)所占據(jù)。近年來我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整 體水平不斷提高。

在刻蝕設(shè)備方面，全球刻蝕設(shè)備市場呈現(xiàn)壟斷格局，泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料占據(jù) 主要市場份額；中微公司刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于全球先進(jìn)的 7 納米和 5 納米集成電路加工制造生產(chǎn)線。雖然中微公司在主要客戶的市場占有率穩(wěn)步提升，但目前在銷售規(guī)模上與全球巨頭尚有差距。 在 MOCVD 設(shè)備領(lǐng)域，公司 MOCVD 設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，持續(xù)保持在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。

根據(jù) SEMI 的統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，2023 年中國大陸成為全球最大的集成電路設(shè)備市場，占比達(dá)到 35%。另外，根據(jù)Gartner 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018 年到 2025 年全球芯片生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目共計(jì) 171 座新產(chǎn)線，其中 74 座位于中國大陸，區(qū)域占比最高達(dá) 43%。

圖|2023年集成電路前段設(shè)備全球市場分布/億美元

來源：SEMI、與非研究院整理

客戶情況

三、財(cái)務(wù)分析

3.1、營收和利潤分析

圖|公司營收和利潤及增速變化

來源：與非研究院整理

2016-2024Q3公司營收由6.1億元增長至62.64億元，復(fù)合增速為40.72%?？鄯莾衾麧櫽?2.33億元增長至11.91億元，復(fù)合增速為254.54%，其中2020年出現(xiàn)-84.19%的短暫下降，2018年實(shí)現(xiàn)250.18%，2021年1291.1%，2022年183.4%的較高增速。

2020 年扣非凈利潤較上年同期減少 84.19%，主要系公司 2020 年因?qū)嵤┕蓹?quán)激勵計(jì)劃產(chǎn)生股份支付費(fèi)用約 1.24 億元（屬于經(jīng)常性損益），營收正常增長。

2024年前三季度（1-9月）公司營業(yè)收入為55.07億元，同比增長36.27%。公司的等離子體刻蝕設(shè)備在國內(nèi)外持續(xù)獲得更多客戶的認(rèn)可。2024年前三季度刻蝕設(shè)備收入為44.13億元，較上年同期增長約53.77%；公司新產(chǎn)品LPCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)首臺銷售，收入0.28億元；公司EPI設(shè)備已順利進(jìn)入客戶端量產(chǎn)驗(yàn)證階段，已完成多家先進(jìn)邏輯器件與MTM器件客戶的工藝驗(yàn)證。

3.2、分產(chǎn)品情況

圖|公司分產(chǎn)品占比

來源：與非研究院整理

2016-2023年，公司產(chǎn)品營收分類為專用設(shè)備、備品備件、設(shè)備維護(hù)，沒有具體拆分設(shè)備。第一大營收為專用設(shè)備占比維持在80%-85%區(qū)間，變化不大；第二大營收為備品備件占比在13.87%-19.43%；第三大營收為設(shè)備維護(hù)的比例在1%-2%水平，占比不高。

圖|公司分產(chǎn)品收入

來源：與非研究院整理

通過對年報(bào)統(tǒng)計(jì)梳理，2016-2018年刻蝕設(shè)備收入分別為4.70億元、2.89億元、5.66億元，2019-2024H1刻蝕設(shè)備收入分別為8.13億元、12.89億元、20.04億元、31.47億元、47.07億元、26.98億元。

2016-2018年MOCVD設(shè)備收入分別為0.16億元、5.30億元、8.32億元2019-2024H1MOCVD設(shè)備收入分別為7.6億元、4.96億元、5.03億元、7億元、4.62億元、1.52億元。

2016年刻蝕設(shè)備占據(jù)主要收入，開始有MOCVD設(shè)備收入；2018年MOCVD營收超過刻蝕設(shè)備達(dá)到峰值；2019-2024H1年刻蝕設(shè)備收入持續(xù)增長，MOCVD設(shè)備營收震蕩下行?？涛g設(shè)備的收入占比由2017年的35%提升至2024H1的95%。

原因分析

2020年后，公司的等離子體刻蝕設(shè)備在國內(nèi)外持續(xù)獲得更多客戶的認(rèn)可，市場占有率不斷提高，在國際最先進(jìn)的 5 納米芯片生產(chǎn)線及下一代更先進(jìn)的生產(chǎn)線上均實(shí)現(xiàn)了多次批量銷售，使得公司的營收和凈利潤，毛利率和凈利率持續(xù)提升。

受終端芯片價(jià)格下降及生產(chǎn)產(chǎn)能持續(xù)釋放等因素影響， 2020 年以來LED 用MOCVD設(shè)備市場仍呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。

3.3、毛利率情況

圖|分產(chǎn)品毛利率變化

來源：與非研究院整理

產(chǎn)品毛利率方面，2016-2020年備件產(chǎn)品毛利率在40%左右，2021年大幅度提升至46%水平。備件產(chǎn)品毛利率比專用設(shè)備毛利率高3%左右，2016-2020在37%水平，2021年后大幅提升至45%水平。設(shè)備維護(hù)毛利率較高，為60%左右水平。

圖|毛利和凈利率變化

來源：與非研究院整理

綜合毛利率上，2016-2019年呈現(xiàn)下降趨勢，由42.52%降低至34.93%；2020-2023年由37.67%提升至45.83%水平。

扣非凈利率方面，2016-2019年由-38.24%提升至7.58%，2020年下降至1.03%，2021-2023年由10.44%提升至19.02%，2024年1-9月份的扣非凈利率為14.77%。

2024年1-9月份的毛利率為42.22%，2023年同期1-9月份毛利率為43.45%，同比減少1.23pct，主要是由于確認(rèn)收入的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)所帶來的正常波動。

3.4、資產(chǎn)負(fù)債率和現(xiàn)金流情況

圖|資產(chǎn)負(fù)債率和現(xiàn)金/營收變化

來源：與非研究院整理

資產(chǎn)負(fù)債率方面2016-2018年維持在較高水平，分別為180.74%、88.30%、40.09%；2019年上市以后獲得資金，資產(chǎn)負(fù)債率降低至20%安全水平，2019-2024第三季度分別為21.43%、24.68%、16.69%、22.72%、17.20%、25.85%。

2016-2024年第三季度，公司現(xiàn)金/營收比維持在100%以上水平，公司現(xiàn)金流較好。

3.5、研發(fā)投入情況

圖|研發(fā)投入及營收占比

來源：與非研究院整理

2016-2024H1公司研發(fā)投入持續(xù)增長，分別為3.02億元、3.30億元、4.04億元、4.25億元、6.40億元、7.28億元、9.29億元、12.62億元、9.50億元；研發(fā)投入占營收分別為49.62%、34%、24.65%、21.61%、28.14%、23.42%、19.59%、20.15%、27.61%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板平均10%左右的研發(fā)投入。

圖|研發(fā)人員數(shù)量及占比

來源：與非研究院整理

2018-2024H1公司研發(fā)人員數(shù)量持續(xù)增長，分別為240人、276人、346人、415人、592人、788人、967人；研發(fā)人員數(shù)量占比分別為36.75%、38.17%、38.70%、39.60%、42.93%、45.76%、46.38%。

圖|部分研發(fā)進(jìn)展

來源：公司公告

根據(jù)公司公告，公司研發(fā)進(jìn)展方向主要是圍繞先進(jìn)制程的CCP刻蝕機(jī)、MOCVD設(shè)備、ICP刻蝕機(jī)等。存儲刻蝕方向的用于制造（3D NAND，≥128層）的CCP刻蝕設(shè)備已完成驗(yàn)證，開始大規(guī)模量產(chǎn)。用于先進(jìn)邏輯芯片生產(chǎn)的5納米ICP刻蝕機(jī)已經(jīng)完成評估，實(shí)現(xiàn)銷售。用于先進(jìn)邏輯芯片生產(chǎn)的3納米ICP刻蝕機(jī)Alpha原型機(jī)已完成設(shè)計(jì)、制造、測試及初步的工藝開發(fā)和評估。

公司目前在研發(fā)的薄膜沉積類產(chǎn)品一共有20多類，2023年已經(jīng)付運(yùn)客戶端的設(shè)備有6類，主要為CVD/HAR/ALD W鎢設(shè)備，TiN/TiAI/TaN ALD設(shè)備。2024、2025年，公司會新增10余類產(chǎn)品交付客戶。

3.6、新增訂單情況

2024年前三季度（1-9月）公司新增訂單76.4億元，同比增長約52.0%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單62.5億元，同比增長約54.7%；LPCVD新增訂單3.0億元，新產(chǎn)品開始啟動放量。公司2024年預(yù)計(jì)新增訂單在110-130億元。

新增訂單中，來自存儲客戶的占比較高。先進(jìn)制程（包括先進(jìn)邏輯及存儲）占比超過70%。中微公司加速在客戶產(chǎn)線證明了公司的設(shè)備的競爭力，下游客戶對公司的信心持續(xù)提升，更多的客戶選擇中微的設(shè)備，這是訂單保持高速增長的主要原因。

四、總結(jié)

盡管受到各種限制，設(shè)備驗(yàn)證周期較長等各種不利因素影響，但從中微公司的發(fā)展過程可以看出，芯片制造設(shè)備的國產(chǎn)化過程進(jìn)程還是在不斷前行中。公司研發(fā)進(jìn)展方向主要是圍繞先進(jìn)制程的CCP刻蝕機(jī)、ICP刻蝕機(jī)、MOCVD設(shè)備等，其中下一代ICP刻蝕機(jī)產(chǎn)品性能可以達(dá)到國際先進(jìn)水平，以滿足新一代的邏輯芯片、DRAM 和 3D NAND 存儲芯片等芯片制造對刻蝕設(shè)備的需求。

多家第三方半導(dǎo)體行業(yè)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測2025年全球半導(dǎo)體市場的資本開支保持雙位數(shù)增長，中微公司將持續(xù)受益于行業(yè)的增長，還將擴(kuò)大在主要客戶的產(chǎn)線市占率，有望保持高速增長。面對950億美元的前段設(shè)備市場，中國大陸+臺灣市場占比54%，國產(chǎn)設(shè)備廠商的總體營收相比國際巨頭還有較大的差距，國產(chǎn)替代任重而道遠(yuǎn)，讓我們耐心期待。