晶圓制造

1、什么是埃（Angstrom）？埃（符號：?）是一種非常小的長度單位，主要用于表示微觀領(lǐng)域的尺度，例如原子、分子之間的距離，或者晶圓制造中的薄膜厚度。1 ? 等于 (10^{-10}) 米，也就是0.1納米（nm）。為了更直觀地理解這個(gè)概念，我們可以通過以下比喻說明：

作為集成電路制造中的關(guān)鍵工藝，刻蝕工藝（ETCH）在半導(dǎo)體晶圓的制造過程中起到了至關(guān)重要的作用。機(jī)臺Recipe Tuning，即“機(jī)臺配方調(diào)優(yōu)”，是確?？涛g工藝質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率、優(yōu)化成品率的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。在晶圓制造的后段工藝（BEOL）中，Recipe Tuning特別重要，因?yàn)樗苯雨P(guān)系到不同層次的刻蝕需求與設(shè)備的精確配合。

"AT"、"MV"、"HE"、"ATV"實(shí)際上是SMIC在其晶圓制造工藝中使用的一些標(biāo)識符，通常與特定的工藝、技術(shù)類型和特色流程相關(guān)。SMIC 2025 MPW 班車表如下：

IEMS、Odyssey、RMS和SPC是四個(gè)常見的系統(tǒng)工具，它們在集成電路的制造過程中起著至關(guān)重要的作用，尤其是在刻蝕工藝和其他后端工藝的控制和優(yōu)化方面。

在談?wù)?納米工藝之前，我們先了解一下“納米”是什么意思。納米（nm）是一個(gè)長度單位，1納米等于10的負(fù)九次方米。對于半導(dǎo)體芯片來說，納米通常指的是晶體管的最小尺寸，或者是構(gòu)成芯片中各個(gè)功能單元的最小結(jié)構(gòu)尺寸。因此，7納米工藝指的是在芯片上制造出其最小結(jié)構(gòu)為7納米的晶體管。

T/R（Turn Ratio），在晶圓制造領(lǐng)域中，指的是在制品的周轉(zhuǎn)率，即每片晶圓平均每天經(jīng)過的工藝步驟（Stage）的數(shù)量。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。

在晶圓制造領(lǐng)域，MI（Metrology Inline）工程師是一個(gè)至關(guān)重要的角色，其職責(zé)與集成電路制造過程中參數(shù)的測量、監(jiān)控密切相關(guān)。MI工程師通過高效、準(zhǔn)確的量測手段，對生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而保證工藝的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。

設(shè)備工程師（Equipment Engineer, EE）是晶圓制造中不可或缺的一環(huán)，其職責(zé)是通過設(shè)備維護(hù)、故障排除、設(shè)備優(yōu)化等工作，確保生產(chǎn)設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)，滿足產(chǎn)線的需求。

備受矚目的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺建成發(fā)布儀式，在第二十六屆中國國際高新技術(shù)成果交易會的現(xiàn)場隆重舉行，這一里程碑事件標(biāo)志著深圳在第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。發(fā)布會現(xiàn)場既有來自半導(dǎo)體行業(yè)的專家，也有市科創(chuàng)局、市發(fā)改委、市工信局、龍崗區(qū)政府、市重投集團(tuán)、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院、電子科技大學(xué)（深圳）高等研究院、第

Monitor Wafer，即非生產(chǎn)晶圓（Non-Product Wafer，簡稱NPW），在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它并不直接用于最終產(chǎn)品的制造，而是作為一種過程監(jiān)控工具，用于實(shí)時(shí)或周期性地“診斷”設(shè)備和工藝的健康狀況，確保整個(gè)生產(chǎn)流程的穩(wěn)定性和可靠性。

在集成電路（IC）制造中，“缺陷密度”（Defect Density）是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，用于評估晶圓制造工藝的成熟度和產(chǎn)品質(zhì)量。它代表了單位面積晶圓上產(chǎn)生的缺陷數(shù)量，直接關(guān)系到最終芯片的良率和可靠性。

學(xué)員問：溫度能影響干法刻蝕的哪些方面？麻煩講一講表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。

在晶圓制造過程中，Monitor Wafer（監(jiān)控片）和Season Wafer（暖機(jī)片）都是非生產(chǎn)晶圓（NPW）的重要組成部分。它們各自承擔(dān)著不同的角色，為生產(chǎn)晶圓的加工提供必要的保障。

Dummy Wafer，中文稱為填充片，是在晶圓制造過程中專門用于填充機(jī)臺設(shè)備的晶圓，通常不會用于實(shí)際生產(chǎn)，也不會直接作為成品出售。其主要作用是為滿足設(shè)備運(yùn)行的特定要求或約束，確保設(shè)備的工藝性能穩(wěn)定，同時(shí)優(yōu)化資源利用率并減少生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

作為晶圓制造中的核心指標(biāo)之一，生產(chǎn)周期時(shí)間（Cycle Time，簡稱CT）對于衡量制造效率和產(chǎn)能至關(guān)重要。生產(chǎn)周期時(shí)間是指從生產(chǎn)原料（如硅片）進(jìn)入生產(chǎn)線，到最終產(chǎn)品（如完成制造的晶圓或芯片）從生產(chǎn)線輸出所需要的全部時(shí)間。在晶圓制造領(lǐng)域，Cycle Time 是衡量生產(chǎn)效率、分析瓶頸問題、優(yōu)化工藝流程的關(guān)鍵指標(biāo)。