半導(dǎo)體封測(cè)

• 氧化物濕法刻蝕原理

  氧化物濕法刻蝕是一種在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域中用于去除硅片上的氧化層（如二氧化硅SiO2）的關(guān)鍵技術(shù)。很顯然這個(gè)簡(jiǎn)單的介紹不足以讓大家明白， 下面我們就完整仔細(xì)的來(lái)給大家講講這個(gè)相關(guān)原理吧！化學(xué)反應(yīng)原理：氧化物濕法刻蝕主要利用化學(xué)溶液與二氧化硅之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕。最常用的刻蝕劑是氫氟酸（HF）或其水溶液，因?yàn)闅浞崮軌蚺c二氧化硅反應(yīng)生成可溶于水的六氟硅酸（H2SiF6）。具體的化學(xué)反應(yīng)方程

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  2024/12/31

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體封測(cè)

  

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