2017 年 2 月 10 日,GLOBALFOUNDRIES(格芯,原中文名為格羅方德,本文中格羅方德與格芯可互換)宣布,正式啟動成都制造基地 12 英寸晶圓制造生產(chǎn)線的建設(shè)。該晶圓制造工廠為格芯與成都地方政府合資,共分兩期建設(shè),第一期為 12 英寸成熟工藝(180 納米與 130 納米 CMOS 邏輯及模擬混合等衍生工藝),技術(shù)主要從新加坡引進(jìn),計(jì)劃將于 2018 年正式投產(chǎn);第二期為 22 納米全耗盡絕緣層上硅(FD-SOI)工藝,技術(shù)主要從德國引進(jìn),計(jì)劃將于 2019 年正式投產(chǎn)。包含配套措施在內(nèi)的兩期投資總額約為 100 億美元,第一期建設(shè)投資約占總投資額比例的九分之一或十分之一。
現(xiàn)在進(jìn)入中國市場晚不晚?
說起來與格芯(即原格羅方德)也算頗有緣分,我進(jìn)入媒體行業(yè)參加的第一場媒體會,就是格羅方德在 2014 年 12 月 ICCAD(中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會)期間舉辦的一場媒體會,當(dāng)時就問過格羅方德是否有計(jì)劃到中國設(shè)廠,彼時負(fù)責(zé)銷售的高級副總裁 Chuck Fox 的回答簡短而果斷:沒有計(jì)劃到中國設(shè)廠。
格芯 CEO Sanjay Jha 在簽約儀式上發(fā)言
在 2015 年 9 月,時任全球設(shè)計(jì)解決方案部門副總裁的 Subramani Kengeri 對于中國建廠計(jì)劃仍給出了否定的答案。
既然當(dāng)時格羅方德對于在中國建廠計(jì)劃并不熱心,為何我一再追問此問題呢?理由也很簡單,第一,其主要競爭對手均已在大陸布局,格羅方德沒有理由將市場拱手讓人;第二,作為晶圓代工的客戶,IC 設(shè)計(jì)業(yè)未來幾年增長最快的區(qū)域還是中國大陸。
南京臺積電總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球曾說,芯片輕薄短小,運(yùn)輸成本很低,因此晶圓制造天生就是全球性行業(yè),地域差異影響因素不大,工廠落地在哪里并不太重要。也許格羅方德此前一直無意在中國設(shè)廠,就有此考慮。但我認(rèn)為,該觀點(diǎn)只是從晶圓制造這一個環(huán)節(jié)來考慮,如果從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全局來看,工廠放在哪里還是還是很重要的。在 2015 年底的《10 納米以下工藝必定量產(chǎn),28 納米將成為長壽命節(jié)點(diǎn)》這篇文章中,我就曾總結(jié)道:“雖然地域性對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)沒有決定性作用,但是人才有地域性,市場配套有地域性。與非網(wǎng)分析師王樹一認(rèn)為,大陸作為全球最大集成電路應(yīng)用市場,已經(jīng)具備吸引半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈資源圍繞自己來建設(shè)的資本?!?/p>
在 2016 年中國晶圓產(chǎn)線遍地開花之后,格芯如今也落子成都,是不是有點(diǎn)晚?有業(yè)內(nèi)人士給我留言:如今大陸市場晶圓代工產(chǎn)線在建產(chǎn)能這么多,已建成產(chǎn)能也是高中低階都有,現(xiàn)在進(jìn)來,格芯能找到自己的市場定位嗎?
在與行業(yè)內(nèi)多位資深人士討論過后,總結(jié)各位專家觀點(diǎn),與非網(wǎng)行業(yè)分析師王樹一認(rèn)為,格芯現(xiàn)在落地成都并不晚。
首先,成都格芯一期為 180 納米與 130 納米工藝的 12 英寸產(chǎn)線,技術(shù)成熟,設(shè)備價格也相對便宜,既可以迅速投產(chǎn),又不會對格芯總公司的財(cái)務(wù)狀況造成很大壓力。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,從動土到量產(chǎn),格羅方德最快紀(jì)錄是 12 個月,如果以類似的速度來推進(jìn)成都廠的建設(shè),在 2018 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),那么入場時機(jī)并不會比 2016 年開建的產(chǎn)線晚。
目前國內(nèi) 180 納米加 130 納米的產(chǎn)能約為 15 萬片每月(以 8 英寸晶圓計(jì)算),市場需求量大。與 8 英寸產(chǎn)線相比,采用 12 英寸晶圓實(shí)現(xiàn) 180 納米與 130 納米工藝,在成本上有較大優(yōu)勢。格芯一期產(chǎn)能換算成 8 英寸約為 4.5 萬片每月,將會給競爭對手造成較大壓力。
其次,二期規(guī)劃為 22 納米 FD-SOI 工藝,該工藝并不與 FinFET(鰭式場效應(yīng)管)工藝直接競爭,而且 FD-SOI 生態(tài)圈尚不成熟,假如 FD-SOI 市場發(fā)展順利,按格芯成都生產(chǎn)基地建設(shè)規(guī)劃,2019 年投產(chǎn)的時間點(diǎn)也非常好。
FD-SOI 生態(tài)破冰的關(guān)鍵點(diǎn)是什么?
先進(jìn)邏輯工藝自 28 納米節(jié)點(diǎn)分野之后,F(xiàn)inFET 與 FD-SOI 工藝的爭論就開始出現(xiàn)。兩大工藝均有數(shù)家支持者,英特爾與臺積電是 FinFET 路線的堅(jiān)定支持者,二者目前均無發(fā)展 FD-SOI 工藝的計(jì)劃。此前曾有流言稱,臺積電近期也計(jì)劃發(fā)展 FD-SOI 工藝,但在 2016 年 ICCAD 期間,與非網(wǎng)分析師王樹一曾就此流言向羅鎮(zhèn)球求證,他否認(rèn)了這一傳言。羅鎮(zhèn)球說:“我們一直覺得 FDSOI 是一個暫時的產(chǎn)物。在 CMOS(此處指 FinFET,F(xiàn)D-SOI 需要采用 SOI 硅片,與普通硅片不同,因此用此指代)里面我們一直往下走,功耗一直降低,速度一直提升。FDSOI 我們沒有要做,經(jīng)過多次評估,一看再看,覺得 FD-SOI 我們不會做。它做不贏我們的 FinFET。”
格羅方德、意法半導(dǎo)體、三星等三大半導(dǎo)體制造商都有 FD-SOI 工藝在開發(fā)過程或已量產(chǎn)。FD-SOI 工藝最早由意法半導(dǎo)體(ST Microelectronics)量產(chǎn),但代工業(yè)務(wù)在意法半導(dǎo)體占比本就不高,而且除了英特爾與三星及存儲器廠商,傳統(tǒng)整合元件制造商(IDM)在資本支出上逐漸萎縮,格芯 CEO Sanjay Jha 在奠基儀式上曾表示:“在半導(dǎo)體行業(yè),停止投資就是停止競爭”,此言雖然不是針對意法半導(dǎo)體,但假如投資跟不上,那么意法半導(dǎo)體以后對 FD-SOI 工藝的推動力有限。意法半導(dǎo)體雖然是 FD-SOI 工藝早期的推動者,但有行業(yè)人士表示,這幾年 FD-SOI 工藝發(fā)展遠(yuǎn)不如 FinFET 工藝,與意法半導(dǎo)體當(dāng)初不愿意將該技術(shù)授權(quán)給英特爾與臺積電有很大關(guān)系。
三星在 FinFET 與 FD-SOI 上是兩條腿走路,日本索尼公司設(shè)計(jì)開發(fā)的一顆 GPS 芯片是三星首款 28 納米 FD-SOI 工藝量產(chǎn)芯片,已于 2016 年開始出貨。三星一向喜歡到處押寶,該工藝發(fā)展起來不一定能依靠三星,但 FD-SOI 生態(tài)如果真的活躍起來,三星肯定可以迅速擴(kuò)充產(chǎn)能。
這么看下來,F(xiàn)D-SOI 生態(tài)能否發(fā)展好,關(guān)鍵點(diǎn)之一竟在于格芯成都工廠二期能否如期投產(chǎn)。
莫大康先生前不久寫過一篇文章《SOI 與 FinFET 技術(shù)誰更優(yōu)》,專門談 FD-SOI 與 FinFET 工藝的優(yōu)劣,對 FD-SOI 工藝的相對優(yōu)勢有比較全面的總結(jié),此處我就不再贅述。
FD-SOI 工藝至少可以發(fā)展到 7 納米
法國研究機(jī)構(gòu) CEA-Leti 的研究結(jié)果表明,F(xiàn)D-SOI 工藝至少可以發(fā)展到 7 納米,但如果只有研究結(jié)果而沒有資金投入,那么 FD-SOI 的優(yōu)勢就只能停留在紙面。在前四大代工廠(臺積電、格芯、聯(lián)電、中芯國際)中,只有格芯有明確清晰的 FD-SOI 工藝發(fā)展路線圖:德國德累斯頓工廠將在 2017 年量產(chǎn) 22 納米 FD-SOI 工藝(格芯稱之為 22 納米 FDX),12 納米 FDX 將于 2019 年在德國工廠量產(chǎn)。如今格芯成都工廠又以 22 納米 FDX 作為重點(diǎn),這應(yīng)該能夠降低業(yè)內(nèi)對于 FD-SOI 工藝發(fā)展前景的擔(dān)心。
FD-SOI 工藝流片成本低、可靠性高、功耗低,非常適合多元化的中國 IC 設(shè)計(jì)業(yè)需求,行業(yè)內(nèi)有不少人士也在呼吁中國應(yīng)該發(fā)展 FD-SOI 工藝。但 FD-SOI 生態(tài)現(xiàn)在仍不成熟的主要原因,是規(guī)模經(jīng)濟(jì)不夠造成的整體成本較高。在《2016 中國半導(dǎo)體全景觀察:生機(jī)勃勃又野蠻無序的大冒險時代》中,羅鎮(zhèn)球直言“16 納米已經(jīng)建了十多萬片(每月)的產(chǎn)能,F(xiàn)D-SOI 說先建 2 萬片,這樣的規(guī)??隙]法和十幾萬的去比。一是技術(shù)不占優(yōu),一是經(jīng)濟(jì)規(guī)模不夠,兩條加起來那條路就很難走,而且 FD-SOI 的成本也不低,單 SOI 硅片就比普通硅片貴很多”。
目前 8 英寸 SOI 硅片價格為 200 至 400 美元每片(作者注:該數(shù)據(jù)有行業(yè)專家提供,未經(jīng)實(shí)證),而體硅片每片才 30 至 40 美元,SOI 硅片價格是普通硅片的十倍。莫大康先生推算,SOI 代工硅片價格約為 1000 美元每片,而中國 8 英寸普通硅片平均代工價格約為 400 美元每片,如果二者維持這樣的價格差,那么 FD-SOI 工藝制造的芯片存在一個出貨量臨界值,過了該臨界值,F(xiàn)D-SOI 芯片流片成本低的優(yōu)勢就沒有了,而且賣得越多,與普通硅片相比成本壓力越大。(注:如果不計(jì)算開發(fā)費(fèi)用,單芯片成本約為流片成本除以出貨量再加上單位晶圓成本)
而 SOI 硅片成本之所以高,又恰恰是因?yàn)橐?guī)模經(jīng)濟(jì)不夠大,上游硅片廠只能將價格維持在高位,這似乎陷入了一個死循環(huán)。打破 FD-SOI 工藝僵局的方法,就是有人肯投錢加大產(chǎn)能,從而降低 SOI 硅片的價格。
所以,格芯成都工廠二期的 22 納米 FDX 6.5 萬片每月產(chǎn)能規(guī)劃能否順利投產(chǎn),對于 FD-SOI 生態(tài)而言至關(guān)重要。
對于晶圓代工格局的影響
市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Canaccord Genuity 日前一份報(bào)告顯示,智能手機(jī)市場 92%的利潤被蘋果拿走。實(shí)際上,在晶圓代工行業(yè),利潤分配狀況也類似于智能手機(jī)市場,蘋果的合作伙伴臺積電拿走了晶圓代工市場 90%以上的利潤。
在晶圓代工領(lǐng)域,格芯其實(shí)是很有機(jī)會和臺積電掰一掰手腕的。收購了 IBM 微電子部門以后,無論是技術(shù)積累還是資本投入,臺積電和格芯都位居純代工廠中的前兩名。當(dāng)然無論是營收、產(chǎn)能還是資本支出,與臺積電相比,格芯還有明顯的差距,并沒有甩開聯(lián)電及中芯國際,目前三家同屬第二集團(tuán)。如果格芯能夠提高執(zhí)行力,減少內(nèi)部資源損耗,應(yīng)該可以大幅甩開第二集團(tuán)。
成都格芯在 SOI 工藝上能發(fā)展好,也不是沒機(jī)會在不同領(lǐng)域和臺積電各擅勝場。
在奠基儀式演講中,Sanjay Jha 用了很大篇幅來介紹 FD-SOI 工藝及其規(guī)劃。Sanjay 稱,要將成都建設(shè)成為半導(dǎo)體之都,F(xiàn)D-SOI 生態(tài)的國際中心。
雖然對第二期規(guī)劃的近 90 億美元投資能否順利到位,我還心存疑惑,但格芯的方向無疑是正確的。臺積電南京工廠 16 納米開建以后,格芯在成都工廠再建設(shè) FinFET 產(chǎn)能的意義不大。
SOI 則完全是另外一個故事。在 RF-SOI 工藝(射頻 SOI 工藝,主要用 SOI 工藝生產(chǎn)功放等射頻芯片)上,格芯非常領(lǐng)先(技術(shù)來源于原 IBM 微電子)。消息人士告訴我,成都格芯一期在建設(shè)邏輯工藝的同時,有可能會引入 180 納米 RF-SOI 工藝,因?yàn)?RF SOI 工藝與體硅(Bulk CMOS)很接近,因此極有可能統(tǒng)一建線混合生產(chǎn)。相比傳統(tǒng)的砷化鎵(GaAs)工藝,RF-SOI 工藝在成本和集成度上有明顯的優(yōu)勢,在手機(jī)射頻前端等應(yīng)用中,RF-SOI 器件正在快速取代砷化鎵器件。
當(dāng)然,由于射頻 SOI 芯片面積小,所以對于產(chǎn)能需求不大。該消息人士預(yù)估,到 2018 年,格芯 12 英寸 RF-SOI 的產(chǎn)能約為 5000 片晶圓每月,成都格芯被分配到的產(chǎn)能將不會超過 2500 片晶圓每月,即一期規(guī)劃產(chǎn)能 2 萬片的十分之一左右。
但一期 SOI 硅片供應(yīng)磨合,將對二期 FD-SOI 產(chǎn)能建設(shè)有極大的幫助。
當(dāng)然,現(xiàn)在談?wù)撚?jì)劃 2019 年才投產(chǎn)的二期產(chǎn)能對市場格局的影響為時過早。一期投產(chǎn)以后對國內(nèi)代工市場有何影響呢?
有專家表示,現(xiàn)在國內(nèi) 180 納米加 130 納米產(chǎn)能為 15 萬片每月,格芯一期等效產(chǎn)能為 4.5 萬片,這批產(chǎn)能投產(chǎn)后,顯然會對市場價格造成沖擊。如今這種成熟工藝的毛利僅有 20%左右,假設(shè)價格降低 5%,那么毛利率會降低 25%。目前在香港上市的三家國內(nèi)半導(dǎo)體公司,都將受到較大的壓力。
成都重慶與蘇州,地方發(fā)展集成電路觀之差異
格羅方德要在中國建廠的消息在 2016 年上半年即開始傳。最早的消息是在重慶設(shè)廠,2016 年 5 月時格羅方德與重慶市政府簽約,計(jì)劃將一座舊晶圓廠改造成 12 英寸產(chǎn)線。為何最終將工廠改址成都,Sanjay 給出的解釋是兩點(diǎn):第一,成都給的地更多;第二,成都產(chǎn)業(yè)鏈更成熟,更適合建廠。
“成都廠可以容納生產(chǎn) 130 納米、180 納米 CMOS 與 22 納米 FD-SOI 的規(guī)劃,這樣在一個工廠實(shí)現(xiàn)更多的產(chǎn)能,生產(chǎn)更有效率,這是很重要的一點(diǎn)?!盨anjay 說道。
集成電路產(chǎn)業(yè)被明確為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)以后,國家在政策與資金支持上給予了支持力度前所未見。各地政府對于集成電路資源的爭奪也愈演愈烈,成都與重慶對于格芯工廠之爭就是最明顯的一例。有業(yè)內(nèi)人士表示,在格羅方德與重慶已經(jīng)簽約的情況下,成都能夠最終爭得這次機(jī)會,既與其要大力發(fā)展集成電路的決心有關(guān),也與成都政府高層懂集成電路產(chǎn)業(yè)有關(guān)。
據(jù)四川日報(bào)《格芯 12 英寸晶圓項(xiàng)目落戶成都 除了巨額投資,四川還將收獲什么?》報(bào)道,四川省經(jīng)信委電子信息處相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,晶圓制造能力增強(qiáng)將極大帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的聚集,“根據(jù)此前研究,集成電路的 1 元產(chǎn)值,可以帶動電子信息相關(guān)產(chǎn)業(yè) 100 元產(chǎn)值?!?/p>
與成都重慶對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資源的火熱爭奪相比,曾經(jīng)的半導(dǎo)體重鎮(zhèn)蘇州異常平靜,對于此輪半導(dǎo)體發(fā)展沒有太多投入。在與蘇州半導(dǎo)體發(fā)展軌跡類似,也曾遭遇過挫折的近鄰無錫近日也宣布推出 200 億集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以后,仍然不見蘇州有任何大動作。
雖然僅靠政策發(fā)展不起一個產(chǎn)業(yè),只想吃政策的半導(dǎo)體公司也是行業(yè)發(fā)展的害群之馬,但蘇州現(xiàn)在卻對這輪國家集成電路發(fā)展規(guī)劃無動于衷實(shí)在是不可理解。蘇州在中國算是集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)相當(dāng)好的城市,封測業(yè)非常發(fā)達(dá),只是制造業(yè)與 IC 設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展一般,但其電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模近萬億,占江蘇省電子信息產(chǎn)業(yè)總值近三分之一,占全國比例近十分之一。這樣的下游基礎(chǔ)不去利用,再過五年也許蘇州的電子信息產(chǎn)業(yè)要為錯過這輪集成電路發(fā)展時機(jī)而還債。
就算曾經(jīng)遇到過挫折,但相比后發(fā)地區(qū),至少有以前的教訓(xùn),會少走一些彎路。就算是電子信息產(chǎn)業(yè)中很多是外來加工企業(yè),本地沒有采購權(quán),但如果政府不去推動,那么這些外來加工企業(yè)就永遠(yuǎn)只能是生產(chǎn)基地,何談產(chǎn)業(yè)升級?
即便不認(rèn)為集成電路制造是高科技產(chǎn)業(yè),但 IC 設(shè)計(jì)業(yè)絕對符合蘇州對于產(chǎn)業(yè)升級的要求,而長三角周圍制造業(yè)與封測業(yè)等配套都非常成熟,而如前所述,集成電路應(yīng)用市場也相當(dāng)巨大,僅蘇州本地就有萬億規(guī)模。在上海運(yùn)營成本不斷升高時,蘇州本有機(jī)會承接部分上海 IC 設(shè)計(jì)公司研發(fā)中心的分流,但蘇州一直無意去承接。到今日蘇州運(yùn)營成本也上升的情況下,上海設(shè)計(jì)公司外遷時顯然已經(jīng)排除蘇州了,成本高又沒有政策支持,除了離上海近還有什么優(yōu)勢?
重申我在《從蘇州之冷看全國半導(dǎo)體投資之熱,兼駁中國半導(dǎo)體威脅論》中的結(jié)論,無論是蘇州對待集成電路過于冷漠,還是某些不具備集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的地方對集成電路發(fā)展過熱,對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展來說,都不是好事。
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