TI德州12吋新廠啟用　模擬IC產(chǎn)能大躍進

德州儀器(TI)在德州Richardson的300mm(12吋)晶圓廠開始初期生產(chǎn)，預期可快速支援未來數(shù)月電子產(chǎn)業(yè)大量成長的半導體需求。新建的RFAB2廠與2009年啟用的RFAB1廠相連。新的RFAB2晶圓廠規(guī)模比RFAB1大30%以上，兩個晶圓廠之間保留至少630,000的總無塵室空間，待未來完成建置，兩個廠區(qū)將能透過15英里的自動化高架輸送系統(tǒng)無縫移動晶圓。新工廠全面投入生產(chǎn)后，每天將能生產(chǎn)超過個1億個模擬IC，可應用于再生能源及電動車等領域。

RFAB2廠與RFAB1廠相連，兩個晶圓廠之間未來可透過無塵室空間與自動化系統(tǒng)移動晶圓　(圖片來源：TI)

TI技術(shù)與製造集團資深副總Kyle Flessner表示，RFAB2是TI針對市場長期成長的半導體需求所投資的項目，未來將持續(xù)增加產(chǎn)量，以滿足客戶的需求。在德州Richardson的製造基地中連接兩個晶圓廠有助于提高營運規(guī)模與效率。面對企業(yè)社會責任，RFAB1是全球率先在類比IC領域獲得能源與環(huán)境先導設計((Leadership in Energy and Environmental Design, LEED)認證的晶圓廠，其設計符合評分系統(tǒng)要求的結(jié)構(gòu)效率與永續(xù)性，RFAB2也獲得此認證。

RFAB2補足了TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠規(guī)模，包含位于Dallas的DMOS6及Richardson的RFAB1在內(nèi)，RFAB2是TI計畫新增的六座12吋晶圓廠之一，期望透過建廠自行生產(chǎn)多元的類比與嵌入式處理元件。TI在晶圓產(chǎn)能的布局包含2021年TI收購位于Utah的LFAB，LFAB預計在未來幾個月內(nèi)開始初期生產(chǎn)。同時TI宣布在德州Sherman投資300億美元來興建四座晶圓廠。Sherman的第一及第二座晶圓廠正在興建，預期第一座晶圓廠能在2025年開始生產(chǎn)。