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CINNO Research產業(yè)資訊，SK海力士繼美國Lam Research之后，將與日本JSR在下一代DRAM領域展開合作。這是確保內存技術領先地位的一個維度。
近日，JSR宣布旗下子公司Inpria和SK海力士為了實現EUV用金屬氧化物PR的應用，開展聯合研究
Inpria 是一家公關公司，成立于 2007 年，是從俄勒岡州立大學化學研究中心分拆出來的。在 2017 年收購 21% 的股份后，JSR 去年獲得了 79% 的股份，從而收購了 Inpria。
自2007年成立以來，Inpria一直致力于開發(fā)基于金屬的EUV光刻膠。其主要產品主要由氧化錫組成，使用EUV曝光系統(tǒng)實現了世界上最高分辨率。此外，金屬基光刻膠在干蝕刻過程中的圖案轉移性能方面優(yōu)于傳統(tǒng)光刻膠，非常適合半導體量產工藝。
PR是一種用于半導體曝光工藝的材料。當 PR被施加到晶圓上并暴露在光掩模上所描繪的光線下時，就會雕刻出電路圖案。這個過程就是曝光。
Inpria 的 PR 是一種基于金屬氧化物的無機材料?，F有的有機PR是通過化學物質與光發(fā)生反應來雕刻圖案，而無機PR是錫系金屬顆粒與光接觸形成電路。在一個簡單的比較中，液體和固體本質上更堅硬。
因此，無機 PR 的光吸收率是有機 PR 的 4 倍。如果光吸收好，則有利于雕刻微電路圖案。因此，被評價為適用于下一代曝光技術EUV。
然而，它尚未用于存儲器制造過程。如果SK海力士通過與Inpria的合作將其商業(yè)化，這是存儲器行業(yè)的首例。
JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進的節(jié)點器件架構。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”
SK海力士表示，“EUV很復雜，需要先進的材料。氧化錫PR將為下一代DRAM提供性能和低成本。”
此前，Lam Research 宣布將為 SK Hynix 提供干式 PR 底層和干式顯影工藝設備。該產品由 Lam Research、荷蘭 ASML 和比利時 iMac 聯合制造。
他們開發(fā)的設備在通過沉積過程形成 PR 層中發(fā)揮作用。這里使用的材料是無機PR。
據 Lam Research 稱，由于它使用的原材料比濕法少 5 到 10 倍，并且可以減少照射的光量，因此很容易降低成本。過去是旋涂法，在旋轉晶片的同時用設備滴下有機材料PR，因此在應用過程中存在浪費的部分。
此外，EUV工藝分辨率有望提高。分辨率是一個數字，表示鏡頭或感光材料能夠描繪的細節(jié)程度。如果增加分辨率，則有利于實現精細圖案。
與此同時，SK海力士宣布其在業(yè)界首次成功開發(fā)出238層NAND閃存。它正在向客戶提供 238 層 512 Gb (Gb) 三級單元 (TLC) 四維 (4D) NAND 樣品。預計明年上半年量產。
