三星計(jì)劃在2025年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于GAA的2nm芯片

據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星電子正計(jì)劃通過(guò)在未來(lái)三年內(nèi)打造 3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝來(lái)追趕世界第一大代工公司 —— 臺(tái)積電。

據(jù)悉，GAA 是下一代工藝技術(shù)，改進(jìn)了半導(dǎo)體晶體管的結(jié)構(gòu)，使柵極可以接觸到晶體管的所有四面，而不是目前 FinFET 工藝的三面，GAA 結(jié)構(gòu)可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流。

根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，在 2021 年第四季度，臺(tái)積電占全球代工市場(chǎng)的 52.1%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)三星電子的 18.3%。

三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于 3 納米工藝，以追趕臺(tái)積電。據(jù)報(bào)道，這家韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭在 6 月初將 3 納米 GAA 工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用 GAA 技術(shù)的公司。三星希望通過(guò)技術(shù)上的飛躍，快速縮小與臺(tái)積電的差距。3 納米工藝將半導(dǎo)體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%，同時(shí)與 5 納米工藝相比，芯片面積減少了 35%。

繼今年上半年將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于其 3 納米工藝后，三星計(jì)劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片，并在 2025 年大規(guī)模生產(chǎn)基于 GAA 的 2 納米芯片。臺(tái)積電的戰(zhàn)略是在今年下半年使用穩(wěn)定的 FinFET 工藝進(jìn)入 3 納米半導(dǎo)體市場(chǎng)，而三星電子則押注于 GAA 技術(shù)。

專(zhuān)家稱(chēng)，如果三星在基于 GAA 的 3 納米工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場(chǎng)的游戲規(guī)則改變者。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2 納米芯片開(kāi)始引入 GAA 工藝，并在 2026 年左右發(fā)布第一個(gè)產(chǎn)品。對(duì)于三星電子來(lái)說(shuō)，未來(lái)三年將是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期。

最近，三星宣布，在未來(lái)五年內(nèi)，將在半導(dǎo)體等關(guān)鍵行業(yè)投資共計(jì) 450 萬(wàn)億韓元（約 2.34 萬(wàn)億元人民幣）。然而，三星在 3 納米工藝方面遇到了障礙。與三星一樣，臺(tái)積電在提高 3 納米工藝的產(chǎn)量方面也有困難。

臺(tái)積電原本計(jì)劃從 7 月開(kāi)始用 3 納米技術(shù)為英特爾和蘋(píng)果大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體，但在確保理想的產(chǎn)量方面遇到了困難。DigiTimes 報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電在確保 3 納米工藝的理想產(chǎn)量方面遇到了困難，因此多次修改其技術(shù)路線(xiàn)圖。

三星電子也面臨著類(lèi)似的情況，3 納米工藝的試生產(chǎn)用晶圓已經(jīng)投入使用，但由于產(chǎn)量低的問(wèn)題，該公司一直在推遲宣布正式的大規(guī)模生產(chǎn)?，F(xiàn)代汽車(chē)證券的研究主管 Roh Keun-chang 說(shuō)：“除非三星電子為其 7-nm 或更先進(jìn)的工藝確保足夠的客戶(hù)，否則可能會(huì)加劇投資者對(duì)三星電子未來(lái)業(yè)績(jī)的焦慮。”

來(lái)源：通信世界網(wǎng)