華為哈勃持股23.91%，年產(chǎn)能15萬片的化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目投產(chǎn)

近日，云南鍺業(yè)發(fā)布公告稱，公司控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“鑫耀半導(dǎo)體”）實(shí)施的“磷化銦單晶片建設(shè)項(xiàng)目”已經(jīng)正式投產(chǎn)。

4英寸磷化銦單晶片產(chǎn)線投產(chǎn)、6英寸項(xiàng)目正在研發(fā)試制

根據(jù)此前公告披露，磷化銦單晶片建設(shè)項(xiàng)目總投資3.24億元，由鑫耀半導(dǎo)體在昆明高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)馬金鋪電力裝備園B-5-5地塊云南國家鍺材料基地內(nèi)建設(shè)一條磷化銦單晶片生產(chǎn)線，項(xiàng)目建設(shè)期24個(gè)月。

該項(xiàng)目的實(shí)施內(nèi)容還包括已完成的“5萬片/年2英寸磷化銦單晶及晶片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”（下稱“2英寸項(xiàng)目”）。云南鍺業(yè)表示，在2英寸項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，將實(shí)現(xiàn)4英寸磷化銦單晶及晶片的產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目生產(chǎn)線建成后將具備年產(chǎn)15萬片4英寸磷化銦單晶片的能力。

除了披露已經(jīng)投產(chǎn)的4英寸磷化銦單晶片項(xiàng)目，近日，云南鍺業(yè)還披露了6英寸磷化銦單晶技術(shù)項(xiàng)目的進(jìn)展。云南鍺業(yè)在互動(dòng)平臺(tái)上表示，6英寸磷化銦單晶技術(shù)項(xiàng)目是公司為應(yīng)對(duì)將來市場需求升級(jí)而進(jìn)行的技術(shù)儲(chǔ)備，目前該項(xiàng)目尚在研發(fā)試制過程中。

華為持股23.91%、哈勃科技關(guān)聯(lián)方供應(yīng)有保障

資料顯示，鑫耀半導(dǎo)體成立于2013年，是云南鍺業(yè)旗下控股子公司，主要負(fù)責(zé)化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵晶片（襯底）、磷化銦晶片（襯底）的研發(fā)和生產(chǎn)，產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探測器等領(lǐng)域。

2021年鑫耀半導(dǎo)體砷化鎵晶片、磷化銦晶片開始向下游客戶批量供貨，并實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入7097.72萬元，營業(yè)利潤1784.66萬元。

值得一提的是，作為國家工信部認(rèn)定的專精特新“小巨人”企業(yè)，鑫耀半導(dǎo)體還獲得了華為旗下半導(dǎo)體投資平臺(tái)哈勃科技的增資入股。

2021年初，哈勃科技以貨幣方式向鑫耀半導(dǎo)體增資3,000萬元，增資完成后哈勃科技持有鑫耀公司23.91%的股權(quán)，為第二大股東。

云南鍺業(yè)表示，哈勃科技入股公司控股子公司，將進(jìn)一步加強(qiáng)與下游廠商的溝通與協(xié)作，有利于鑫耀公司產(chǎn)品質(zhì)量的提升和推動(dòng)其市場開拓工作，鑫耀半導(dǎo)體將向哈勃科技關(guān)聯(lián)方提供砷化鎵及磷化銦襯底，并保障供應(yīng)，對(duì)方則通過對(duì)相關(guān)產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用為鑫耀公司提供技術(shù)及產(chǎn)品驗(yàn)證上的反饋。

國內(nèi)政企合力、加速布局第二代半導(dǎo)體材料

據(jù)悉，砷化鎵和磷化銦都屬于第二代半導(dǎo)體材料，其中，砷化鎵憑借高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，被廣泛應(yīng)用于光通信、高頻毫米波器件、光電器件、光電集成電路集成激光器、光探測器等領(lǐng)域，而磷化銦產(chǎn)品則在射頻、光電子、移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)通信等多項(xiàng)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

集邦咨詢半導(dǎo)體分析師龔瑞驕透露，高端磷化銦和砷化鎵材料主要用于光通信、激光器、探測器以及射頻器件等領(lǐng)域。

縱觀國內(nèi)市場，雖然以碳化硅/氮化鎵為主的第三代化合物半導(dǎo)體已經(jīng)成為研發(fā)主流，但近年來，國內(nèi)地方政府和相關(guān)企業(yè)正在加速第二代化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)。

例如，重慶市政府今年3月印發(fā)的《重慶市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃（2021—2025年）》中明確提出，積極發(fā)展化合物半導(dǎo)體，提升砷化鎵、磷化銦等第二代化合物半導(dǎo)體材料制造能力、產(chǎn)能和化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線良品率，發(fā)展激光器芯片、光電器件等產(chǎn)品。

同時(shí)，相關(guān)企業(yè)也已經(jīng)正式向資本市場發(fā)起沖擊，其中，華為哈勃持股3.74%的長光華芯已于今年4月1日正式登陸科創(chuàng)板，北京通美晶體的科創(chuàng)板申請(qǐng)則已完成首輪問詢。此外，華燦光電、有研新材、以及三安光電等A股公司在砷化鎵領(lǐng)域也有涉足。

未來，隨著5G通信、可穿戴設(shè)備、光通信、人工智能、無人駕駛等領(lǐng)域的發(fā)展，化合物半導(dǎo)體材料市場規(guī)模將逐步擴(kuò)大，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)也將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)突破。

文 |  全球半導(dǎo)體觀察 禾忍