英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優(yōu)勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無人機(jī)中，應(yīng)用于小型無刷電機(jī)的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無人機(jī)通常需要尺寸小、重量輕的元器件。

這些領(lǐng)先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝，具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業(yè)界極低的導(dǎo)通電阻，能夠進(jìn)一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝，為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外，該解決方案還具有出色的電氣性能，可進(jìn)一步提高終端應(yīng)用的功率密度，縮小外形尺寸。同時(shí)，系統(tǒng)溫度的降低、性能的提升，也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實(shí)現(xiàn)更小巧的客戶應(yīng)用，充分節(jié)省空間、降低系統(tǒng)成本，打造易于設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。

供貨情況
采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市：?

• PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)

• PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)
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