充電樁芯片第一股 | 東微半導(dǎo)登陸科創(chuàng)板，市值近百億元

本土MOSFET銷(xiāo)售額第七，打破外企壟斷。

芯東西2月10日?qǐng)?bào)道，今天，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商?hào)|微半導(dǎo)（股票代碼：688261）以發(fā)行價(jià)130元/股登陸科創(chuàng)板。開(kāi)市后，東微半導(dǎo)股價(jià)有所上漲，最高漲至148元/股，之后有所回落。截至芯東西成文，東微半導(dǎo)報(bào)138元/股，漲幅6%，總市值92億元。

東微半導(dǎo)的產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)及汽車(chē)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備從專(zhuān)利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，曾打破外國(guó)廠商充電樁用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET器件壟斷，被《人民日?qǐng)?bào)》所報(bào)道。

根據(jù)市場(chǎng)咨詢(xún)公司Omdia數(shù)據(jù)，以2019年MOSFET功率器件銷(xiāo)售額計(jì)算，東微半導(dǎo)在中國(guó)本土廠商中排名第七。報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)，2018年-2021年上半年各期營(yíng)收分別為1.53億元、1.96億元、3.09億元和3.21億元。由于東微半導(dǎo)股權(quán)較為分散，不存在控股股東，其實(shí)際控制人為公司聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛和龔軼。

▲東微半導(dǎo)股權(quán)結(jié)構(gòu)

本次IPO，東微半導(dǎo)計(jì)劃募集資金9.39億元，將分別用于“超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化”、“新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、“研發(fā)工程中心建設(shè)”和“科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金”4個(gè)項(xiàng)目。

▲東微半導(dǎo)募集資金投資情況

01.創(chuàng)始人研究登Science直流充電樁產(chǎn)品打破國(guó)外廠商壟斷

東微半導(dǎo)的前身東微有限設(shè)立于2008年9月，注冊(cè)資本10萬(wàn)元，兩位聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛、龔軼分別認(rèn)繳5.5萬(wàn)元和4.5萬(wàn)元。王鵬飛和龔軼兩人均曾在國(guó)外留學(xué)，并就職于AMD、英飛凌等國(guó)際芯片巨頭。王鵬飛為德國(guó)慕尼黑工業(yè)大學(xué)博士，曾在英飛凌存儲(chǔ)器研發(fā)中心擔(dān)任研發(fā)工程師，2006年5月?lián)纹鎵?mèng)達(dá)技術(shù)創(chuàng)新和集成部門(mén)研發(fā)工程師。

2008年9月，王鵬飛和龔軼聯(lián)合創(chuàng)辦了東微有限；2009年6月，王鵬飛成為復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授，并于2013年研制出全球首個(gè)半浮柵晶體管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章發(fā)表在頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊Science上，這是我國(guó)微電子領(lǐng)域研究首次登上Science，新聞聯(lián)播和人民日?qǐng)?bào)、青年報(bào)等都對(duì)此有所報(bào)道。2021年4月至今，王鵬飛任東微半導(dǎo)首席技術(shù)官。

龔軼則為英國(guó)紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)碩士，曾先后在AMD、英飛凌任工程師和技術(shù)專(zhuān)家；2020年11月至今，龔軼任東微半導(dǎo)董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。

▲東微半導(dǎo)董事長(zhǎng)、總經(jīng)理龔軼

2016年4月，東微半導(dǎo)自主研發(fā)的650V、80A快恢復(fù)GreenMOS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并進(jìn)入直流充電樁領(lǐng)域，打破了這一領(lǐng)域國(guó)外廠商的壟斷。

02.半年收入破3億產(chǎn)品性能比擬氮化鎵器件

報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)，2018年-2020年其營(yíng)收分別為1.53億元、1.96億元和3.09億元，復(fù)合增長(zhǎng)率為42.11%。2021年上半年，東微半導(dǎo)營(yíng)收為3.21億元，超過(guò)2020年全年?duì)I收。利潤(rùn)方面，東微半導(dǎo)2018年-2020年凈利潤(rùn)分別為1297.43萬(wàn)元、911.01萬(wàn)元和2768.32萬(wàn)元。2021年上半年，東微半導(dǎo)凈利潤(rùn)達(dá)5180.53萬(wàn)元。

▲東微半導(dǎo)2018年-2021年上半年?duì)I收與凈利潤(rùn)變化

主營(yíng)業(yè)務(wù)上，東微半導(dǎo)的主要收入來(lái)源為高壓超級(jí)結(jié)MOSFET器件，2018年-2020年該產(chǎn)品收入占比均超過(guò)80%。其產(chǎn)品主要分為MOSFET和IGBT兩類(lèi)，其中MOSFET產(chǎn)品分為高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET和超級(jí)硅MOSFET三類(lèi)，其IGBT產(chǎn)品則采用了不同于國(guó)際主流自研的TGBT器件結(jié)構(gòu)。2020年，東微半導(dǎo)IGBT產(chǎn)品尚未實(shí)現(xiàn)營(yíng)收。

▲2020年?yáng)|微半導(dǎo)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入占比

具體來(lái)說(shuō)，東微半導(dǎo)的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET工作電壓在400V以上，可用于工業(yè)LED照明、新能源汽車(chē)充電樁等，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)；其中低壓屏蔽柵MOSFET器件一般工作電壓覆蓋25V-150V，主要應(yīng)用于電池保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等；東微半導(dǎo)的IGBT產(chǎn)品工作電壓包括600V-1350V，適用于新能源汽車(chē)充電樁、變頻器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、太陽(yáng)能等領(lǐng)域。

▲東微半導(dǎo)產(chǎn)品與應(yīng)用范圍

東微半導(dǎo)的超級(jí)硅MOSFET則是其自主研發(fā)，對(duì)標(biāo)氮化鎵功率器件的產(chǎn)品。招股書(shū)稱(chēng)，通過(guò)調(diào)整器件結(jié)構(gòu)、優(yōu)化制造工藝，其超級(jí)硅MOSFET產(chǎn)品突破了傳統(tǒng)硅基功率器件的速度瓶頸，在電源應(yīng)用中達(dá)到了接近氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)速度的水平。相比氮化鎵功率器件，該產(chǎn)品具有工藝成熟度高、成本低、可靠性高等優(yōu)勢(shì)，且東微半導(dǎo)正在推進(jìn)超級(jí)硅系列產(chǎn)品在12英寸產(chǎn)線上的量產(chǎn)。

▲東微超級(jí)硅65W PD快充DEMO與蘋(píng)果30W充電器體積對(duì)比（來(lái)源：東微半導(dǎo)）

報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)的前五大客戶包括凱新達(dá)電子、睿創(chuàng)電子等，主要以經(jīng)銷(xiāo)商為主，其主要終端客戶包括客戶A、高斯寶電氣、永聯(lián)科技、柏怡電子、明緯電子等。

▲東微半導(dǎo)2018年-2021年上半年前五大客戶

由于東微半導(dǎo)采用Fabless（無(wú)晶圓廠）模式，不直接從事芯片的生產(chǎn)和加工環(huán)節(jié)，其主要采購(gòu)內(nèi)容為晶圓與封測(cè)服務(wù)。報(bào)告期內(nèi)，華虹半導(dǎo)體為其主要的晶圓供應(yīng)商，2018年-2020年?yáng)|微半導(dǎo)對(duì)華虹半導(dǎo)體的晶圓采購(gòu)金額占總采購(gòu)金額比例均在80%以上。東微半導(dǎo)的主要封測(cè)服務(wù)供應(yīng)商則為天水華天，報(bào)告期內(nèi)其采購(gòu)金額占比在10%以上。

▲東微半導(dǎo)2018年-2021年上半年前五大供應(yīng)商

03.本土MOSFET廠商銷(xiāo)售額第七研發(fā)人員占比46%

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)際廠商優(yōu)勢(shì)明顯，全球前十大功率半導(dǎo)體公司均為海外廠商，包括英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導(dǎo)體、亞德諾、高通、瑞薩電子等。當(dāng)前東微半導(dǎo)的主要收入來(lái)源為硅基MOSFET產(chǎn)品，單一產(chǎn)品類(lèi)別收入的占比較高。在和行業(yè)龍頭競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，東微半導(dǎo)在IGBT、功率器件模塊等方面的技術(shù)儲(chǔ)備不足，品牌知名度和影響力均存在劣勢(shì)。

▲全球前十大功率半導(dǎo)體廠商及銷(xiāo)售額

同時(shí)，功率器件正不斷朝第三代半導(dǎo)體材料方向發(fā)展，雖然東微半導(dǎo)已有碳化硅功率器件的樣品，但在第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)布局上落后于國(guó)際巨頭，未來(lái)存在競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)。

而在國(guó)內(nèi)，東微半導(dǎo)是少數(shù)專(zhuān)注工業(yè)級(jí)高壓超級(jí)結(jié)MOSFET領(lǐng)域的半導(dǎo)體廠商，其高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品在TO247封裝體內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了650V耐壓平臺(tái)以及最低14mohm導(dǎo)通電阻的規(guī)格，在性能方面已接近國(guó)際先進(jìn)水平。

2016年4月，東微半導(dǎo)推出的GreenMOS系列超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品打破了國(guó)外廠商在充電樁功率器件領(lǐng)域的壟斷地位。根據(jù)Omdia統(tǒng)計(jì)，2019年全球MOSFET銷(xiāo)售額為84.20億美元，東微半導(dǎo)MOSFET產(chǎn)品銷(xiāo)售額為2843萬(wàn)美元，在本土廠商中排名第七，占全球0.34%的市場(chǎng)份額。

▲2019年中國(guó)本土領(lǐng)先功率半導(dǎo)體廠商MOSFET功率器件全球銷(xiāo)售收入

報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)的各期毛利率分別為26.38%、14.93%、17.85%和26.75%。相比新潔能、華微電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、士蘭微等國(guó)內(nèi)同行業(yè)可比公司，東微半導(dǎo)的毛利率變化趨勢(shì)一致，但整體毛利率水平存在差異。

▲東微半導(dǎo)與同行業(yè)可比公司毛利率對(duì)比

招股書(shū)稱(chēng)，這主要是因?yàn)橹鳡I(yíng)業(yè)務(wù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)模式不同，如華微電子、華潤(rùn)微和士蘭微等可比公司采用IDM模式，不涉及晶圓的外部采購(gòu)，毛利率受外部影響較低；而華微電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技和士蘭微等可比公司產(chǎn)品種類(lèi)相對(duì)較多，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，和東微半導(dǎo)專(zhuān)注MOSFET產(chǎn)品的經(jīng)營(yíng)策略有所不同。

值得注意的是，雖然東微半導(dǎo)研發(fā)人員占員工總數(shù)的比例達(dá)46%，但由于公司規(guī)模較小，其研發(fā)人員人數(shù)為31人，低于很多國(guó)內(nèi)同行業(yè)上市公司。除首席技術(shù)官王鵬飛外，東微半導(dǎo)核心技術(shù)人員還包括研發(fā)總監(jiān)劉磊、資深研發(fā)工程師劉偉和資深研發(fā)工程師毛振東。劉磊碩士畢業(yè)于安徽大學(xué)電路與系統(tǒng)學(xué)院，2007年9月至2009年7月，擔(dān)任華潤(rùn)上華半導(dǎo)體科技有限公司技術(shù)轉(zhuǎn)移部工藝整合工程師；2009年7月加入東微有限。劉偉本科畢業(yè)于南京郵電大學(xué)微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)，曾在東莞奇力新電子有限公司、蘇州可勝科技有限公司任工程師職務(wù)；2009年8月，劉偉加入東微有限。毛振東則為中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路設(shè)計(jì)學(xué)院碩士學(xué)歷，曾在華晶電子集團(tuán)、華潤(rùn)上華科技有限公司、蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司任職，2015年3月加入東微有限。

報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)研發(fā)投入分別為1603萬(wàn)元、1202萬(wàn)元、1599萬(wàn)元和1650萬(wàn)元，占營(yíng)收比例分別為10.49%、6.13%、5.18%和5.14%。截至2021年6月30日，東微半導(dǎo)已獲授權(quán)的專(zhuān)利有53項(xiàng)，包括境內(nèi)發(fā)明專(zhuān)利37項(xiàng)、實(shí)用新型專(zhuān)利1項(xiàng)，以及境外專(zhuān)利15項(xiàng)。

▲東微半導(dǎo)研發(fā)投入與占比情況

04.聯(lián)合創(chuàng)始人為實(shí)際控制人曾獲華為哈勃投資

由于股權(quán)較為分散，東微半導(dǎo)無(wú)控股股東，其實(shí)際控制人為聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛和龔軼，通過(guò)直接或間接持股及通過(guò)一致行動(dòng)安排合計(jì)共同控制了43.51%的股份。自200年創(chuàng)建以來(lái)，東微半導(dǎo)已獲得多輪融資，投資者包括元禾資本、國(guó)中創(chuàng)投、中興創(chuàng)投、中芯聚源、華為哈勃投資等行業(yè)知名投資機(jī)構(gòu)。本次IPO發(fā)行前，持有東微半導(dǎo)5%以上的非個(gè)人股東有原點(diǎn)創(chuàng)投、聚源聚芯、中新創(chuàng)投和哈勃投資4家，分別持有15.18%、9.95%、7.12%和6.59%的股份。

▲東微半導(dǎo)股本情況

05.結(jié)語(yǔ)：東微半導(dǎo)上市或彌補(bǔ)經(jīng)營(yíng)規(guī)模缺陷

東微半導(dǎo)聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛曾在英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)和復(fù)旦大學(xué)等國(guó)內(nèi)外企業(yè)和學(xué)校任職，有著較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力。同時(shí)，東微半導(dǎo)的自研MOSFET產(chǎn)品性能較為出色。但相比國(guó)內(nèi)外行業(yè)龍頭，東微半導(dǎo)經(jīng)營(yíng)規(guī)模較小，在研發(fā)投入和人員數(shù)量上都存在不足。本次上市后，東微半導(dǎo)或?qū)浹a(bǔ)這一缺陷，加強(qiáng)研發(fā)投入和經(jīng)營(yíng)規(guī)模上，擴(kuò)大國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額。

作者 |  高歌

編輯 |  Panken