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    •   SK海力士量產(chǎn)第4代DRAM
    • 利用EUV光刻技術(shù)生產(chǎn)芯片將被擴大
    • 采用EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM的好處
    • 三大DRAM大廠開啟EUV制程競賽
    • 結(jié)尾
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【產(chǎn)業(yè)】存儲成焦點,SK海力士量產(chǎn)EUV DRAM

2021/07/23
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市場占有率排名第三的美光6月時就宣布量產(chǎn)第四代10納米級(1a)制程DRAM,并供貨AMD和Acer,是世界第一家量產(chǎn)第四代10納米級制程DRAM的公司。

 
SK海力士量產(chǎn)第4代DRAM

據(jù)韓國中央日報日語版 7月13日報道,SK海力士開始利用EUV光刻機生產(chǎn)第4代DRAM。繼內(nèi)存排名第三的鎂光之后,SK-海力士成了第二家量產(chǎn)第4代DRAM的廠家。

LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4)是專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。

此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工藝節(jié)點。預(yù)計從下半年開始向智能手機廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。

SK海力士通過此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩(wěn)定性,并表示未來的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進行生產(chǎn)。

相較前一代1z納米級工藝的同樣規(guī)格產(chǎn)品,1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25%。此次新產(chǎn)品穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度(4266Mbps),并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%。

在本次LPDDR4產(chǎn)品之后,SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。10納米級DRAM是今年1月,由鎂光首次出貨的,這給市場帶來了不小的震動。不過,鎂光將使用現(xiàn)有的氟化氬工藝而不是EUV來生產(chǎn)該產(chǎn)品。

新產(chǎn)品的速率將穩(wěn)定在4266 Mbps,是標準LPDDR4移動端DRAM規(guī)范中最快的傳輸速率,同時功耗將降低20%,SK海力士將從明年初開始將1a nm級工藝技術(shù)應(yīng)用于旗下的DDR5產(chǎn)品。

這次比較特別的是,SK海力士通過部分采用了EUV技術(shù),完成了對其穩(wěn)定性的驗證,首次使用EUV光刻設(shè)備進行量產(chǎn)。此次量產(chǎn)的1a納米級DRAM在生產(chǎn)效率和成本競爭力層面都有改善,從而可以期待更高的盈利。通過將EUV技術(shù)全面導(dǎo)入量產(chǎn)程序,SK海力士有望進一步鞏固引領(lǐng)尖端技術(shù)的高新企業(yè)地位。

利用EUV光刻技術(shù)生產(chǎn)芯片將被擴大

如今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對于芯片制作精密度的要求越來越高,半導(dǎo)體技術(shù)繼續(xù)向超微級發(fā)展,但卻卡在18nm-15nm區(qū)間無法突破。

因此,越來越多的半導(dǎo)體公司開始嘗試使用EUV光刻機進行半導(dǎo)體制作,以求實現(xiàn)技術(shù)突破。

EUV光刻機技術(shù)是指在極紫外光下,通過反射投影光學(xué)系統(tǒng),將反射掩模上的圖形投影成像在硅片表面的光刻膠上。

與先前的1znm節(jié)點相比,1anm技術(shù)將在相同尺寸的晶圓芯片上增加25%的芯片數(shù)量,穩(wěn)定運行速率達到4266Mbps,是目前標準LPDDR4移動DRAM中運行速度最快的存在;

并且在增加傳輸速率的同時減少了20%的功耗,這將減少二氧化碳的排放,有利于踐行綠色發(fā)展觀。

隨著技術(shù)的遷移,越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)采用EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)芯片,一家半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)上的領(lǐng)先取決于如何充分利EUV光刻設(shè)備。

采用EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM的好處

多年來,半導(dǎo)體光刻設(shè)備取得了許多進步,EUV能夠幫助繪制更精細的電路,因此可以讓芯片在相同的表面積內(nèi)存儲更多的數(shù)據(jù)。

采用EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM的好處:可以用更小、更精細的形式繪制電路;大幅節(jié)省了掩模成本和光刻處理步驟;在相同的表面積中能夠存儲更多的數(shù)據(jù);芯片能耗更令人滿意。

同時,使電路更精細意味著更多的邏輯門能夠安裝在單個芯片中。通過這樣的方式,就可以讓芯片變得更強大,更節(jié)能。

在部署EUV后,芯片的表面積得到了更有效的利用,為此,業(yè)內(nèi)的人爭先恐后地為自己的生產(chǎn)線完善這項技術(shù)。

三大DRAM大廠開啟EUV制程競賽

當下,韓國企業(yè)在存儲芯片市場的分量越來越重,這也推動了該國相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

據(jù)國際研究機構(gòu),2021年1-3月,全球智能手機存儲芯片市場規(guī)模達到114億美元(約合人民幣738億元),同比大增21%;

市場調(diào)查機構(gòu)《Strategy Analytics》最新研究報告資料指出,2021年第一季,全球智能手機DRAM市場總銷金額售額達114億美元,較2020年同期增長21%。

DRAM存儲器市場的先進工藝集中度極高,當前僅被極少數(shù)廠商掌握,而作為DRAM領(lǐng)域內(nèi)的三大巨頭廠商:三星、SK海力士和美光,更是掌握了大部分的先進技術(shù)和DRAM市場大半的市場份額。

在未來,三星和美光都將啟用EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品,但美光會更晚一些,按計劃要等到2024年。

三星電子在今年1月末發(fā)表業(yè)績時明確表示今年內(nèi)將使用EUV工藝來量產(chǎn)第4代DRAM產(chǎn)品。

面對美光,SK海力士也投資2月落成的M16新芯片廠,預(yù)計達8000億韓元設(shè)置生產(chǎn)設(shè)備,包括EUV曝光機,年底前達每月量產(chǎn)1.8萬片12英寸芯片。

美光也不甘示弱,日前財報會議透露正與ASML展開采購談判,預(yù)計2024年使用EUV曝光設(shè)備生產(chǎn)內(nèi)存。

SK海力士計劃在2025年底前花費4.75萬億韓元來確保EUV設(shè)備。

結(jié)尾

隨著生產(chǎn)力和成本競爭力的提高,最新的1anm DRAM不僅有助于確保高利潤率,而且還鞏固了SK 海力士作為領(lǐng)先技術(shù)公司的地位,盡早采用EUV光刻技術(shù)進行大規(guī)模生產(chǎn)。

部分資料參考:

柏柏說科技:《SK海力士計劃量產(chǎn)1anmDRAM,國際DRAM競爭加劇,國產(chǎn)DRAM迎來挑戰(zhàn)》

十輪網(wǎng):《追趕美光進度,SK海力士宣布量產(chǎn)第四代10納米級DRAM》

半導(dǎo)體行業(yè)觀察:《DRAM,進入EUV時代》

SK海力士

SK海力士

SK海力士將通過全球科技領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位為客戶、合作伙伴、投資者、社區(qū)、成員等利益相關(guān)者創(chuàng)造更大價值。SK海力士將致力于與全球合作伙伴推進突破現(xiàn)有格局的超級合作,成為引領(lǐng)全球ICT生態(tài)的解決方案提供商。SK海力士將擺脫只聚焦經(jīng)濟利益的傳統(tǒng)經(jīng)營模式,加強“ESG經(jīng)營”積極探索社會價值和健全的企業(yè)治理結(jié)構(gòu),以創(chuàng)造更大價值。SK海力士將致力于成為全球科技的領(lǐng)先企業(yè),為人類與社會的發(fā)展做出貢獻。

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