對3D XPoint技術(shù)的態(tài)度大不同，英特爾和美光究竟都在想什么

我們在三張神秘的 DeBoer 幻燈片中找到了關(guān)于 XP 最后一點信息。這些幻燈片顯示了美光對未來 XP 技術(shù)進展的期望。 第一張幻燈片顯示了當(dāng)前這三種技術(shù)在性能與成本上的相對位置。

第二張幻燈片顯示了這三種技術(shù)的成本隨時間的變化情況。

第三張幻燈片展示了當(dāng)前技術(shù)路線圖終點的現(xiàn)狀，以及一種和 DRAM 性能和成本相近的新型內(nèi)存技術(shù)的出現(xiàn)。

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英特爾和美光在技術(shù)路線上選擇了相反的方向。英特爾積極投入，并準(zhǔn)備倍增產(chǎn)能，而美光盡管對 XP 技術(shù)的未來看好，但在短期內(nèi)不是特別看好，因此基本上停滯不前。英特爾現(xiàn)在雖然沒有公開預(yù)測 2019 年 XP 業(yè)務(wù)的收入，但是其 XP DIMM 的推出將幫助英特爾逐步擴大該業(yè)務(wù)，并將在 2021 年達到 80 億美金營收。

另一方面，由于美光公司的財年于 8 月份結(jié)束，所以直到 2020 年我們才能看到其 XP 業(yè)務(wù)的第一筆收入，而且自 2016 年之后它還沒有就技術(shù)細節(jié)給出過任何新內(nèi)容。而且，據(jù)稱該公司將在短期內(nèi)將其 Lehi XP 產(chǎn)品份額出售給英特爾。在第二季度利潤調(diào)查問答環(huán)節(jié)，Dave Zinsner 給出了這樣的回應(yīng)：

“所以，我們的 XP 產(chǎn)品預(yù)計將在 2019 年某個時間推出。有時候，產(chǎn)線利用不足會帶來一些費用，我們的合作伙伴可能會利用一部分晶圓產(chǎn)能，這顯然會對我們自身對產(chǎn)線利用不足提供一些幫助?！?/p>

既然美光和英特爾都認(rèn)為 XP 技術(shù)的影響可能是革命性的，那么為什么他們采取的行動卻相去甚遠呢？我認(rèn)為，這可能和兩家公司對 XP 技術(shù)成功的預(yù)期有關(guān)系。

首先，讓我們澄清一下美光對 XP 的認(rèn)識。上面三張幻燈片提供了美光是如何看到 XP 技術(shù)進展的信息。第一張幻燈片提供了 NAND/XP/DRAM 這三種技術(shù)在速度和單位比特成本上的對比。我們稍后會更詳細地談美光的 DRAM 路線圖，但是現(xiàn)在，我們需要關(guān)注這三種技術(shù)的對比?；旧?，XP 比 NAND 稍貴，但是速度要快得多。

在進一步討論之前，我們需要知道，在半導(dǎo)體世界里，密度和成本是可以互換的兩個指標(biāo)。美光認(rèn)為 XP 技術(shù)的密度會在未來幾年內(nèi)增加嗎？幻燈片 2 給出了肯定的答案。請注意，美光認(rèn)為，XP 的單位比特成本會下降到和當(dāng)今 NAND 成本相近的地步，這表明它對 XP 技術(shù)的未來非?？春?。今天的 NAND 成本大約為 10 美金 /GB，因此，如果 XP 的密度真能如幻燈片所示那樣提高，美光和英特爾顯然能通過 XP 技術(shù)賺到很多錢，密度的提高方式要么是增加層數(shù)，要么是將光刻尺寸從目前的 20nm 降到 7nm 上。

要清楚的是，這些更密集（因而成本更低）的 XP 技術(shù)時代的出現(xiàn)時機目前仍不清楚。如果我們使用 DRAM 時代 -1β作為比較，那么，從今年的 1X-1Y，1Z，1α到最后的 1β，需要經(jīng)歷 4 個時代，那么大概需要四到六年時間。關(guān)鍵是，這些幻燈片表明，美光明確得認(rèn)為 XP 會在某個時間變得成本很低，這也可能給我們探究為什么英特爾和美光決定終止他們在 IM 的 NAND 合作關(guān)系給出一些線索。

我們現(xiàn)在都知道美光的 NAND 計劃。美光準(zhǔn)備在第四代節(jié)點上使用電荷陷阱技術(shù)，上一代則是最后一代 IM 節(jié)點 -96 層芯片。鑒于 64 層技術(shù)剛剛進入上量階段，所以它將成為 2019 年的主導(dǎo)節(jié)點，第三代 96 層技術(shù)可能會在 2020 年到 2021 年實現(xiàn)具備成本效益的全面生產(chǎn)。按照這種節(jié)奏，美光可能會在 2021 年某個時間推出基于電荷陷阱技術(shù)的第四代 NAND，并可能在 2022 財年的某個時間實現(xiàn)完全投產(chǎn)。

英特爾公司目前尚未公布第三代 NAND 技術(shù)的路線圖，這是否意味著，英特爾覺得它可以提高 XP 的密度，以成為 NAND 的有力替代品，因此它可能不需要新一代的 NAND 技術(shù)了呢？對此，我們不得而知。但是美光的立場是非常清楚的，美光相信，基于電荷陷阱的 3D NAND 可能把層數(shù)提高到 200 多層，這意味著經(jīng)濟可行的 NAND 的吸引力將至少延續(xù)到 20 年代中期（如果不是更長的話）。

現(xiàn)在，讓我們來回顧一下，那些信息是已知的或者可以推斷出來的：

1、英特爾和美光在 NAND 技術(shù)路線上看法不一；
2、在 2020 財年和 2021 財年的大部分時間內(nèi)，即便不是市場領(lǐng)先，最后一代 IM 節(jié)點 - 第三代 96 層芯片也將非常具有競爭力；
3、英特爾計劃在 2021 日歷年在 XP 業(yè)務(wù)上獲得 80 億美金營收，美光公司截至 2020 財年不會在 XP 上產(chǎn)生任何收入；
4、美光已經(jīng)把 Lehi 晶圓廠的大部分 XP 產(chǎn)能轉(zhuǎn)讓給了英特爾，時間至少持續(xù)到它償還英特爾資助給它用于 Building 60 的擴建資金為止；
5、美光已經(jīng)公布了 DRAM 技術(shù)的路線圖，在當(dāng)前的 1X 節(jié)點之后還有四代節(jié)點；
6、英特爾尚未公布第三代 3D NAND 技術(shù)路線圖；
7、美光科技最近召開的技術(shù)分析師會議顯示，它認(rèn)為 XP 的密度將在未來四到六年內(nèi)提高上去。

那么，美光的關(guān)注者應(yīng)該注意哪些東西呢？我給出了以下要點，按照價值排序：

1、美光公司已經(jīng)得出結(jié)論，無論 XP 能否成功，DRAM 的技術(shù)升級至少還會持續(xù)四到六年。
2、在可以預(yù)見的未來（到 2020 年中），美光認(rèn)為在 3D NAND 業(yè)務(wù)上大有可為。
3、美光認(rèn)為，在 2020 財年以后，XP 業(yè)務(wù)會逐步開展起來，但沒有表明該業(yè)務(wù)的規(guī)模和潛在范圍。
4、美光認(rèn)為，XP 技術(shù)可能會在 20 年代中期開始影響 DRAM 業(yè)務(wù)的增長。

在上面這些要點中，第一條是決定美光公司 2021 財年業(yè)績的關(guān)鍵因素。美光科技仍然是一家以 DRAM 為主營業(yè)務(wù)的公司，它的業(yè)績將根據(jù) DRAM 市場的健康情況而上漲或下跌。我認(rèn)為，美光目前的戰(zhàn)略判斷是，DRAM 業(yè)務(wù)現(xiàn)在是一個可靠的增長性現(xiàn)金流，在可以預(yù)見的未來仍然可以依賴。美光的的確確認(rèn)為 XP 技術(shù)是可行的，而且會在未來某個時候影響到 DRAM 的需求，但是這個時間點最早也要在四到五年之后。

那么，既然美光對 DRAM 如此看好，它為什么沒有宣布建設(shè)新的 DRAM 晶圓廠呢？我認(rèn)為可能有以下幾個理由：

1、這可能是有意發(fā)給韓國 DRAM 產(chǎn)業(yè)的迷惑性信號；
2、美光公司也可能認(rèn)為，如果在即將即將到來的第三季度財報電話會議上宣布建設(shè)晶圓廠，假設(shè)新晶圓廠將于 2020 年全面投產(chǎn)，由于 XP 技術(shù)的成熟，新晶圓廠的部分產(chǎn)能或者全部產(chǎn)能可能將在 2025 年左右閑置，屆時，還沒有走完 7 年的折舊周期。
3、美光需要預(yù)留資金，在 2020 年左右建設(shè)自己的 IM XP 晶圓廠。

結(jié)論
我認(rèn)為，如果我們切實了解了美光公司至少會再開發(fā)四代 DRAM 的計劃的意義，那么美光實際上已經(jīng)清楚表明了對 XP 技術(shù)的態(tài)度。無論 XP 技術(shù)短期內(nèi)進展如何，DRAM 市場將繼續(xù)保持強勁增長和高利潤率，推動美光公司的利潤和現(xiàn)金流量在未來幾年內(nèi)創(chuàng)造新的歷史紀(jì)錄。英特爾的 XP 業(yè)務(wù)短期內(nèi)可能會成功，也可能會失敗，但其成功與否都不會對美光產(chǎn)生重大影響。從長遠來看，2020 年以后，一旦英特爾完成了開拓市場的所有開創(chuàng)性工作，即便 XP 失敗或者市場發(fā)展緩慢，美光也有望攀上 XP 技術(shù)的東風(fēng)。如果 XP 取得巨大成功，美光的獲益將更加巨大。
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