國內(nèi)新增一條8英寸SiC中試線

近日，深圳平湖室宣布，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺已正式舉辦通線儀式，宣告“國內(nèi)首個集科研和中試于一體的8吋先進功率半導(dǎo)體開放共享平臺”正式通線。

據(jù)悉，這是全國首條集8吋SiC/GaN科研和中試于一體的功率半導(dǎo)體開放共享平臺，覆蓋第三代功率半導(dǎo)體襯底、外延、器件制備、封裝測試、失效分析、可靠性驗證全鏈條，建成先進的8inch工藝平臺，具備向下兼容能力。

在通線儀式之后，深圳綜合平臺的運營單位深圳平湖實驗室與深圳方正微電子有限公司、深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司等17家企業(yè)分別與簽署合作框架協(xié)議，將在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全面開展前沿探索、應(yīng)用基礎(chǔ)研究、重大技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用示范等工作，與各領(lǐng)域伙伴緊密合作，形成戰(zhàn)略合力。

目前，平湖實驗室已精心布局1200-6500V SiC MOSFET及15-1200V GaN HEMT產(chǎn)品及工藝平臺，正在積極構(gòu)建從材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈，將為我國進一步完善、升級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供重要助力。

未來，深圳綜合平臺將在重點關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，加速科技成果的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化進程，持續(xù)向著成為世界領(lǐng)先的第三代及第四代功率半導(dǎo)體創(chuàng)新、中試及共享的平臺的愿景努力。