良率提升20%！國產(chǎn)8吋可視化SiC電阻爐亮相！

10月26日，據(jù)“證券時報”消息，晶升股份已成功研發(fā)了可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，晶體良率可提升20%以上，目前該設(shè)備已在客戶端通過驗證。

據(jù)悉，晶升股份研發(fā)的8英寸電阻法碳化硅單晶爐能夠使碳化硅晶體生長過程變得“可視”，從而降低了研發(fā)成本，并為8英寸襯底的量產(chǎn)提供了設(shè)備基礎(chǔ)。

據(jù)晶升股份董秘吳春生介紹，碳化硅單晶的生長以前在一個完全密閉的‘黑匣子’里進行，生長過程不可視導致每次看晶體就像開“盲盒”，只有打開爐體時才知曉晶體的生長狀況。由于對晶體生長狀態(tài)缺乏有效的觀測手段，晶體生長過程中的異常無法及時調(diào)整，工藝開發(fā)需要大量實驗去試錯并迭代優(yōu)化，這就導致開發(fā)周期長、費用高、良率低等問題。

而晶升股份向市場推出的8英寸電阻法碳化硅單晶爐，引入可視化檢測系統(tǒng)，可實現(xiàn)長晶過程看得見。吳春生進一步介紹道，基于實時觀測生長速度和粉料演變狀態(tài)，該單晶爐可通過干預調(diào)節(jié)功率、壓力等條件，讓晶體生長處于可控狀態(tài)。

此外，該設(shè)備針對溫度梯度控制的難題，采用多加熱器布局，每個加熱器可以單獨控制，有效解決了溫度梯度可控性差的問題，提高了晶體生長的品質(zhì)；晶升股份團隊從模擬、結(jié)構(gòu)、材料選擇等方面經(jīng)過數(shù)十次的實驗，最終找到二者的平衡點，將最低的長晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下。

資料顯示，晶升股份成立于2012年2月，從事8-12英寸半導體級單晶硅爐、6-8英寸碳化硅、砷化鎵等半導體材料長晶設(shè)備及工藝開發(fā)；2023年4月，晶升股份正式登陸科創(chuàng)板，通過IPO，晶升股份擬募資4.76億元，將用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目、半導體晶體生長設(shè)備總裝測試廠區(qū)建設(shè)項目，項目計劃包括6英寸至8英寸碳化硅單晶爐研發(fā)。

2024年H1，晶升股份營收1.99億元，同比增長73.76%；凈利潤0.35億元，同比大幅增長131.99%，實現(xiàn)了營收凈利雙增長；而在本次業(yè)績報喜前不久，晶升股份還宣布實現(xiàn)了8英寸碳化硅長晶設(shè)備批量交付，其第一批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付，開啟了批量交付進程。

晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)已進入了新的發(fā)展階段，未來將貢獻新的業(yè)績增長點。