全球首款12層HBM3E開始量產(chǎn)，SK海力士狠甩三星、美光

SK海力士9月26日宣布，已開始量產(chǎn)全球首款12層HBM3E，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有高帶寬存儲器（HBM）最大容量36GB（千兆字節(jié)）。

現(xiàn)有的HBM3E為24GB，8顆3GB DRAM芯片垂直堆疊，12層HBM3E最大容量顯著增加。

SK海力士12層HBM3E量產(chǎn)產(chǎn)品計劃年內(nèi)供貨給客戶。去年3月，SK海力士率先向NVIDIA供應(yīng)HBM3E 8層產(chǎn)品，并在短短六個月內(nèi)開始量產(chǎn)12層HBM3E產(chǎn)品。

SK海力士解釋說，其 12層HBM3E產(chǎn)品在人工智能 (AI) 內(nèi)存的所有重要領(lǐng)域（包括速度、容量和穩(wěn)定性）均符合世界最高標(biāo)準(zhǔn)。

SK海力士將該產(chǎn)品的運(yùn)行速度提高到了9.6Gbps，是現(xiàn)有內(nèi)存的最高速度。這是在運(yùn)行大型語言模型（LLM）“Rama 3 70B”時，使用配備四個該產(chǎn)品的單個圖形處理單元（GPU）時，每秒可以讀取 35 次總共 700 億個參數(shù)的水平。

此外，12顆3GB DRAM芯片以與現(xiàn)有8層產(chǎn)品相同的厚度堆疊，容量增加了50%；為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，單個 DRAM 芯片比以前薄了 40%，并垂直堆疊。

此外，將更薄的芯片堆疊得更高時出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)問題也得到了解決。SK海力士將其核心技術(shù)Advanced MR-MUF工藝應(yīng)用于該產(chǎn)品，散熱性能較上一代提升10%，并通過加強(qiáng)彎曲控制確保產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性。

MR-MUF是一種堆疊半導(dǎo)體芯片，然后將液體保護(hù)材料注入并硬化到空間中以保護(hù)芯片之間的電路的工藝。

SK海力士計劃通過12層HBM3E的量產(chǎn)成功，保持其在AI內(nèi)存市場領(lǐng)先的地位。

SK 海力士總裁 Kim Joo-seon 表示：“我們已經(jīng)證明了我們作為無與倫比的 AI 內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)者的地位，我們將通過穩(wěn)步準(zhǔn)備下一步，繼續(xù)保持我們作為‘全球第一大 AI 內(nèi)存提供商’的地位?！?/p>