反擊“大小姐”美光

作者：米樂

近日，韓國起訴美光，令人大跌眼鏡。對于美國企業(yè)，韓國向來是合作、和平大于爭斗的。

韓國專利管理公司Mimir IP對美國美光科技提起專利侵權(quán)訴訟，這是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生的重大事件。這是韓國非專利實施實體（NPE）起訴美國半導(dǎo)體公司的第一起案件，該訴訟于 6 月 3 日提起，還針對使用美光產(chǎn)品的公司，包括特斯拉、戴爾、惠普和聯(lián)想。該案已提交美國德克薩斯州東區(qū)地方法院和美國國際貿(mào)易委員會 (ITC)。

眾所周知，SK海力士和美光是內(nèi)存市場的競爭對手。韓國正式起訴美光，是否意味著半導(dǎo)體霸權(quán)之戰(zhàn)正從技術(shù)競爭擴(kuò)大到專利戰(zhàn)。Mimir IP 起訴美光的現(xiàn)狀及其對半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛影響仍有待觀察。

?01指誰打誰的“大小姐”

美光最近一次引起軒然大波是在中國，然而在7年前美光和中國的“緣分”已經(jīng)開始了。

美光戰(zhàn)福建晉華

2016年5月，聯(lián)電宣布接受晉華委托開發(fā)DRAM制程技術(shù)，聯(lián)電強(qiáng)電僅負(fù)責(zé)技術(shù)開發(fā)，并未進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。該合作中，由晉華支付技術(shù)報酬金，開發(fā)出的DRAM技術(shù)成果將由雙方共同擁有。2016年7月，福建晉華第一座12吋晶圓廠舉行動土儀式。

2017年2月，美光控告聯(lián)電違反營業(yè)秘密法，稱由美光跳槽到聯(lián)電的員工竊取了美光的秘密資料。2017年12月，美光在美國加州對聯(lián)電及晉華提出民事訴訟，控告兩者侵害美光的DRAM專利。美光稱聯(lián)電通過美光臺灣地區(qū)員工竊取其知識產(chǎn)權(quán)，包括DRAM的關(guān)鍵技術(shù)，并交付福建晉華。

2018年1月，福建晉華和聯(lián)電向福州市中級人民法院遞交訴狀，起訴美光公司相關(guān)產(chǎn)品侵權(quán)，包括美光數(shù)款固態(tài)硬盤產(chǎn)品存在侵權(quán)行為，并要求美光賠償1.96億元人民幣。2018年10月29日，美國商務(wù)部以威脅美國國家安全為由將福建晉華加入到《出口管理條例》的實體名單中，美國公司禁止向其出售軟件、技術(shù)和產(chǎn)品。次日，美國芯片設(shè)備廠商駐福建晉華人員全部撤出，所有設(shè)備裝機(jī)、工藝調(diào)試全部終止，已下單未出貨的芯片裝備全部暫停出貨。福建晉華廠房被迫暫時停工。2018年11月，美國司法部起訴福建晉華、中國臺灣聯(lián)電，以及陳正坤等3名臺灣人，指控共謀盜竊美光商業(yè)機(jī)密。福建晉華對此發(fā)布聲明稱：晉華集成始終重視知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作，不存在竊取其他公司技術(shù)的行為。

2021年11月26日，聯(lián)電與美光共同發(fā)布公告稱，聯(lián)華電子與美光科技今日宣布達(dá)成全球和解協(xié)議，將各自撤回向?qū)Ψ教岢龅脑V訟，聯(lián)電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方在聲明中均稱，期待未來達(dá)成共同的商業(yè)合作機(jī)會。

2023年12月24日,美光科技發(fā)言人表示,美光已與福建省晉華集成電路有限公司達(dá)成全球和解協(xié)議,兩家公司將在全球范圍內(nèi)各自撤銷對對方的起訴,結(jié)束雙方之間的所有訴訟。然而美國最終還是把福建晉華放在了“實體清單”名單中。

?02反抗

哪里有壓迫，哪里就有反抗，橫行霸道久了，與難免“濕鞋”。

長江存儲起訴美光專利侵權(quán)

中國芯片龍頭企業(yè)長江存儲近日在美國加州北區(qū)地方法院起訴美光科技有限公司及全資子公司美光消費產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司，涉嫌侵犯其8項美國專利。涉案專利涉及3DNAND存儲器件、非易失性存儲裝置、直通陣列接觸(TAC)等技術(shù)。長江存儲在專利侵權(quán)起訴書中稱，美光未經(jīng)授權(quán)使用了其專利技術(shù)，構(gòu)成了侵權(quán)行為。請求法院對美光下達(dá)產(chǎn)品永久禁令或向其支付專利授權(quán)費。

對于雙方的訴訟官司，長江存儲與美光方面均作出了回應(yīng)。盡管無法透露具體細(xì)節(jié)，但長江存儲表示，他們致力于保護(hù)自己的知識產(chǎn)權(quán)，并相信這起官司會很快得到解決。而美光則對此不予評論。長江存儲是國內(nèi)最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術(shù)，以抵御來自長江存儲的競爭，并獲得和保護(hù)市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。

對此，有專家認(rèn)為，按照目前的信息來看，長江存儲幾乎可以贏得這場官司。這充分展示了中國存儲技術(shù)的巨大進(jìn)步，也讓我們看到了中國企業(yè)在面對不公平待遇時的勇敢反擊。

美光被判向Netlist賠償4.45億美元

5月，美國德克薩斯州東區(qū)地方法院陪審團(tuán)裁定，美光侵犯了Netlist的兩項涉及內(nèi)存模塊技術(shù)的專利，需要賠償4.45億美元。根據(jù)法院提交的判決書顯示，美光因侵犯7,619,912專利需要賠償4.25 億美元，并因侵犯11,093,417專利需賠償 2000 萬美元。在文件中，陪審團(tuán)還表示，他們相信美光公司是故意侵權(quán)，這可能使 Netlist 有權(quán)要求將賠償總額增加至多三倍。盡管美光公司的一位發(fā)言人表示美光公司不同意陪審團(tuán)的裁決，但事實勝于雄辯。

韓企也不忍了

6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 Businesskorea 報道，韓國專利管理企業(yè) Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲巨頭美光發(fā)起訴訟，索賠 4.8 億美元（約 34.92 億元人民幣）。Mimir IP 此前于 5 月從 SK 海力士手中收購了 1500 項半導(dǎo)體專利，本次訴訟涉及電路、電壓測量設(shè)備和非易失性存儲設(shè)備有關(guān)的 6 項專利。

?03四面楚歌：HBM落子太晚

如果說幾次訴訟對美光的沖擊是蜻蜓點水，那技術(shù)上的落后是美光面臨的真正威脅。隨著人工智能和高性能計算的飛速發(fā)展，對存儲器的性能要求越來越高。在這樣的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)應(yīng)運而生，成為推動LLM行業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵力量。

目前，HBM市場以約65%的復(fù)合年增長率增長，到2026年可達(dá)到170億至180億美元。在HBM技術(shù)領(lǐng)域，海力士、三星和美光三家公司以其卓越的研發(fā)能力和創(chuàng)新精神，成為了這一領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。

SK海力士是HBM先驅(qū)、技術(shù)最強(qiáng)，最早與 AMD 合作開發(fā)，三星緊隨其后。三星和海力士壟斷9成HBM市場，美光份額落后。美光在 HBM 領(lǐng)域的發(fā)展并非一帆風(fēng)順。由于多種因素的影響，美光傳統(tǒng)上在 HBM 領(lǐng)域處于弱勢地位。美光在前期因為技術(shù)誤判在 HMC 技術(shù)上投入過多資金，直到 2018 年才從 HMC 轉(zhuǎn)向 HBM方向。

因此，不想錯過末班車的美光跳過了 HBM2，直接于 2020 年進(jìn)行了 HBM2E 的量產(chǎn)，以后起之秀的身份進(jìn)入了市場，隨即加速邁過 HBM3 直接在 2023 年進(jìn)行了 HBM3E 的研發(fā)，并在 2024 年 2 月份宣布開始量產(chǎn) HBM3E，并應(yīng)用在 SK 海力士的長期合作廠商 NVIDIA 的H200 芯片上，將在今年第二季度為 NVIDIA 供應(yīng) HBM3E 8Hi 24GB 的芯片，而 HBM3E 12Hi 36GB則已經(jīng)在樣本階段了，這兩種型號的帶寬將超過 1.2TB/s。

今年5月底，還傳出了美光的DRAM廠延期的消息。據(jù)《電子時報》報道，美光于 2023 年宣布將投資高達(dá) 5000 億日元（32 億美元）將 EUV 設(shè)備引入廣島。最初的目標(biāo)是在 2025 年底前在那里開始量產(chǎn)最先進(jìn)的 DRAM。

最新消息表示，該工廠的建設(shè)可能會推遲兩年。工廠竣工后，將生產(chǎn)下一代計算機(jī)內(nèi)存技術(shù)1-gamma DRAM 。它還將生產(chǎn)用于生成式 AI 的高帶寬內(nèi)存 (HBM)。SK 海力士已宣布研發(fā) HBM4，并與臺積電就 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄，計劃從 2026 年開始批量生產(chǎn) HBM 第六代產(chǎn)品——HBM4。

SK 海力士有望采用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝來提高 HBM4 的性能，針對搭載于 HBM 封裝內(nèi)最底層的基礎(chǔ)裸片進(jìn)行優(yōu)化。臺積電此前也表示，將采用 N5 和 N12FFC+工藝制造基礎(chǔ)裸片，為 HBM4 提供更強(qiáng)的性能和能源效率。

美光又慢一步。美光迅速成為韓廠威脅的重要原因之一是其能效優(yōu)勢。美光宣稱其堆疊的 24GB HBM3E 內(nèi)存功耗比競品低 30%。在 AI 需求爆發(fā)的當(dāng)下，低功耗技術(shù)逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點。更節(jié)能的 HBM3E 內(nèi)存可降低系統(tǒng)發(fā)熱和用電量，減少散熱需求。

此外，美國渴望擴(kuò)大半導(dǎo)體自給自足率，在這一大背景下美光獲得了美國政府大量資金支持，得以新建大型存儲晶圓廠。美光的美國身份也使其更容易接觸英特爾和 AMD 這另外兩家 AI 芯片企業(yè)，拿下更多的 HBM 訂單。

在產(chǎn)能方面，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢今年 3 月的研報，美光在 2023 底的 HBM 產(chǎn)能僅有每月 3000 片 12 英寸晶圓，占到整體市場的 3.2%。到 2024 年底，美光有望實現(xiàn)每月 20000 片晶圓的 HBM 產(chǎn)能，市場占比也大幅提升至 11.4%。

在美光未來產(chǎn)品方面，其單堆棧容量可達(dá) 36GB 的 12Hi HBM3E 內(nèi)存已于 3 月初完成采樣，計劃 2025 年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。展望更遠(yuǎn)的 HBM4 世代，美光計劃在 2025 下半年實現(xiàn) HBM4 內(nèi)存的開發(fā)，HBM4E 的開發(fā)完成則落在 2028 年。美光Plan A失敗，PlanB能重回霸主嗎？時間會給我們答案。