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長鑫存儲正準備將主要應用于人工智能領域的高帶寬存儲器（HBM）以自己的技術商業(yè)化并供應給客戶。
由于美國政府的監(jiān)管，中國幾乎不可能進口三星電子和SK海力士HBM，因此長鑫存儲有機會通過壟斷當?shù)仄髽I(yè)的需求來快速增長。
據(jù)媒體12月31日報道，長鑫存儲已開始向主要客戶供應HBM2標準半導體樣品，并計劃于明年年中開始量產。
上一代 HBM 標準產品已經商業(yè)化，并且正在進行積極的生產投資。
有媒體評價道，“SK海力士、三星電子、美光等頂級公司已經開始量產HBM3E，并準備生產HBM4，但長鑫存儲的HBM2是一個非常重要的成果。”
這是因為國內科技巨頭在其主要產品中使用了HBM2。
中國企業(yè)一直依賴三星電子和SK海力士等韓國企業(yè)供應人工智能領域必不可少的HBM半導體。
然而，隨著美國政府近期決定采取監(jiān)管措施，有效禁止從中國進口HBM，相關供應鏈已難以避免出現(xiàn)重大中斷。
在美國制裁的預期下，長鑫存儲已經在利用自己的技術加速 HBM 的商業(yè)化，預計這些努力將獲得進一步的突破。
由于HBM作為高性能存儲半導體的性質，技術壁壘較高，因此在性能和產量良率上追趕三星電子和SK海力士極有可能不容易。
然而，隨著中國將人工智能半導體供應鏈完全本土化，長鑫存儲的作用變得越來越重要。
長鑫存儲在包括 DDR5 在內的最新 DRAM 技術方面已經迅速趕上三星電子和 SK 海力士。
花旗集團的報告預測，長鑫存儲的DDR5 DRAM良率一開始只有40%左右，但將在明年底達到80%和90%。
從明年開始，長鑫存儲的DDR5產能預計將增至每月10萬片晶圓，是目前水平的兩倍，被認為是韓國半導體行業(yè)的威脅變量。
然而，三星電子和SK海力士正在生產采用12納米微處理的DDR5 DRAM，而長鑫存儲與韓國廠商仍存在很大的技術差距。
