4家SiC相關(guān)企業(yè)獲融資

近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)又有4家SiC相關(guān)企業(yè)獲得融資：

新瀝半導(dǎo)體：完成A輪融資，已量產(chǎn)1200V 80毫歐碳化硅MOS；

矽迪半導(dǎo)體：完成數(shù)千萬天使輪融資，將新建試產(chǎn)線工廠；

盈鑫半導(dǎo)體：完成天使輪投資，加速CMP進口替代；

蓋澤科技：完成數(shù)千萬融資，SiC設(shè)備已量產(chǎn)交付。

新瀝半導(dǎo)體：碳化硅MOS已量產(chǎn)

3月6日，據(jù)天眼查透露，上海新瀝半導(dǎo)體技術(shù)有限公司已完成A輪融資，投資方為臨芯投資，融資金額未披露。

企查查顯示，新瀝半導(dǎo)體成立于2023年12月，注冊資本為1000萬，專注于功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計領(lǐng)域，團隊?wèi){借多年的專業(yè)經(jīng)驗和技術(shù)積累，采用獨有的配方和領(lǐng)先的技術(shù)開發(fā)創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

目前，通過與國內(nèi)外知名FAB合作，新瀝半導(dǎo)體已成功量產(chǎn)650V IGBT產(chǎn)品、30V SGT MOS、1200V 80毫歐碳化硅MOS，正計劃產(chǎn)品化新的專利。

矽迪半導(dǎo)體將新建試產(chǎn)線工廠

4月1日，據(jù)矽迪半導(dǎo)體官微信息，他們在去年9月完成數(shù)千萬天使輪融資，由九合創(chuàng)投領(lǐng)投。

據(jù)悉，本輪融資資金將用于持續(xù)加大研發(fā)投入，新建試產(chǎn)線工廠，以提高生產(chǎn)能力來滿足客戶的進一步需求，預(yù)計產(chǎn)能可提升兩倍左右。

文章透露，矽迪半導(dǎo)體（蘇州）有限公司成立于2023年2月，主營業(yè)務(wù)為功率模塊應(yīng)用解決方案、仿真平臺PLSIM以及功率半導(dǎo)體模塊的研發(fā)生產(chǎn)，產(chǎn)品技術(shù)覆蓋碳化硅和氮化鎵，以及高功率密度IGBT和FRD等。

其中，核心產(chǎn)品升壓轉(zhuǎn)換器（Boost）采用了IGBT并聯(lián)SiC MOSFET 技術(shù)，屬于國內(nèi)首創(chuàng)，組合轉(zhuǎn)換效率達99%，成本可降低至全SiC方案的6成左右，在滿足客戶對高效率和小型化需求的同時，可顯著降低生產(chǎn)成本。

盈鑫半導(dǎo)體：加速國產(chǎn)化替代

3月29日，據(jù)東莞科創(chuàng)金融集團消息，他們旗下松山湖天使基金已經(jīng)完成對盈鑫半導(dǎo)體的天使輪投資。通過本輪融資，盈鑫半導(dǎo)體可以加速核心原材料自產(chǎn)進度，實現(xiàn)半導(dǎo)體拋光研磨材料的進口替代。

文章透露，東莞市盈鑫半導(dǎo)體材料有限公司成立于2021年6月，是一家集研發(fā)、制造和銷售為一體的綜合型CMP制程材料供應(yīng)商，聚焦泛半導(dǎo)體領(lǐng)域卡脖子材料的國產(chǎn)替代。

據(jù)悉，CMP拋光材料具有較高的技術(shù)壁壘，大量專利掌握在國外巨頭手中，盈鑫半導(dǎo)體率先布局第三代半導(dǎo)體拋光研磨材料，配合行業(yè)龍頭企業(yè)工藝調(diào)試期間，同步開發(fā)SiC襯底和GaN外延CMP制程所需的吸附墊、拋光墊產(chǎn)品，率先實現(xiàn)國產(chǎn)化，占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢。

蓋澤科技：SiC設(shè)備下線量產(chǎn)

3月27日，據(jù)蓋澤智控官微信息，他們于去年11月完成了新一輪融資，由蘇創(chuàng)投·國發(fā)創(chuàng)投、蘇高新融晟、元禾原點等機構(gòu)聯(lián)合投資，融資金額為數(shù)千萬元。去年5月，他們還獲得了數(shù)千萬元Pre-A輪戰(zhàn)略融資。

據(jù)悉，本輪融資將主要用于團隊擴充，新產(chǎn)品研發(fā)及市場拓展。進一步加速半導(dǎo)體檢測設(shè)備及高端傳感產(chǎn)品的深度開發(fā)、擴大產(chǎn)品種類、加大人才和研發(fā)投入。

官微資料顯示，蓋澤精密科技（蘇州）有限公司成立于2021年11月，專注于半導(dǎo)體光學(xué)量檢設(shè)備和工業(yè)智能光學(xué)傳感產(chǎn)品的研發(fā)和創(chuàng)新，半導(dǎo)體量測設(shè)備可應(yīng)用于硅、碳化硅、氮化鎵等材料晶圓的量檢需求，成功替代進口同類設(shè)備；FTIR膜厚量測設(shè)備已下線量產(chǎn)，目前已向多家央企、國企、上市晶圓公司等知名半導(dǎo)體企業(yè)交付，并用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測中。

根據(jù)“行家說三代半”此前報道，2023年2月，蓋澤科技自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶，該設(shè)備采用最新研發(fā)的碳化硅外延檢測技術(shù)，應(yīng)用于半導(dǎo)體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進行精準(zhǔn)測量。

注：本文來源地方政府及企業(yè)官網(wǎng)，僅供信息參考，不代表“行家說三代半”觀點。