新增6起SiC合作：EV主驅(qū)、飛機、儲能、襯底……

近日，國內(nèi)外新增6起SiC合作案：

●英飛凌、Wolfspeed：延長SiC晶圓供應協(xié)議；

●英飛凌、盛弘電氣：為盛弘電氣儲能系統(tǒng)提供SiC器件；

●路特斯、采埃孚：采埃孚SiC電驅(qū)用于路特斯EV車型，未來將擴大產(chǎn)能；

●粵海金、有研半導體：兩者達成SiC襯底片業(yè)務合作；

●利普思、空客集團：利普思SiC模塊將被用于空客集團氫能飛行器電驅(qū)；

●京創(chuàng)先進、仙湖半導體：基于SiC晶圓，聯(lián)合研發(fā)十萬轉(zhuǎn)超高速劃片機。

英飛凌、Wolfspeed、盛弘電氣：延長SiC晶圓供應協(xié)議，SiC器件進入儲能系統(tǒng)

最近，英飛凌又達成了2項合作，涉及晶圓與器件供應：

●1月23日，Wolfspeed宣布與英飛凌擴大并延伸現(xiàn)有的長期150mm SiC晶圓供應協(xié)議（原協(xié)議簽于2018年），后續(xù)合作還包括一個多年期產(chǎn)能預留協(xié)議，該項合作有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩(wěn)定，同時滿足電動汽車、太陽能、儲能等領域的SiC需求增長。

針對此次合作，Wolfspeed 總裁兼首席執(zhí)行官Gregg Lowe 表示，“產(chǎn)業(yè)預估對于SiC器件以及支持材料的市場需求直到 2030 年都將會實現(xiàn)顯著增長，我們在為英飛凌等關鍵客戶提供高品質(zhì)材料的同時，也在不斷擴大產(chǎn)能。”

●1月25日，英飛凌宣布與盛弘電氣達成合作，將為盛弘電氣提供的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動IC， 從而進一步提升儲能變流器的效率。

盛弘股份集團副總經(jīng)理魏曉亮先生則表示，“采用英飛凌的碳化硅器件后，儲能產(chǎn)品兼容性和靈活性明顯增強，效率顯著提高，損耗明顯降低，系統(tǒng)的散熱成本減少，促進了產(chǎn)品長期高效穩(wěn)定運行，得益于此，終端用戶提高了運行穩(wěn)定性，并縮短了投資回報周期。”

根據(jù)“行家三代半”此前報道，英飛凌一直在加強SiC晶圓多方供應，以支持其SiC產(chǎn)能擴充，滿足下游客戶的需求增長，截至2023年1月，英飛凌已跟7家SiC供應商達成合作。

路特斯、采埃孚：SiC逆變器上車應用

1月24日，采埃孚在官網(wǎng)宣布，路特斯旗下純電動SUV車型Eletre采用了他們的800V電驅(qū)系統(tǒng)，其中包括SiC逆變器。

據(jù)悉，搭載了采埃孚SiC電驅(qū)的Eletre系列車型，在道路上的總輸出功率最高為 675 kW（905 hp），扭矩最大為 985 Nm，從零加速到100公里最快僅需2.95 秒。配合112千瓦時的鋰離子電池，續(xù)航里程最長可達600公里。

根據(jù)“行家說三代半”此前報道，2023年4月，采埃孚宣布與意法半導體達成合作，從2025 年起，采埃孚將向意法半導體采購數(shù)千萬顆SiC器件，用于新型模塊化逆變器架構(gòu)中，該逆變器將在2025 年投入批量生產(chǎn)，以供應歐洲和亞洲電動汽車領域的客戶。

粵海金、有研半導體：達成SiC襯底合作

1月23日，有研半導體在官微透露，他們與山東粵海金正式簽署了《SiC襯底片業(yè)務合作協(xié)議》，未來雙方將共同拓展SiC襯底片市場與客戶。

據(jù)悉，山東有研半導體將運用其現(xiàn)有市場渠道與行業(yè)影響力優(yōu)勢，山東粵海金則將發(fā)揮其在SiC襯底片制造與供應方面的良好基礎，通過緊密合作，不斷開拓SiC襯底片市場，為國內(nèi)外客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務，滿足不斷增長的市場需求。

官網(wǎng)資料透露，有研半導體硅材料股份公司成立于2001年6月，于2022年11月在北交所上市，主要從事硅及其它半導體材料、設備的研發(fā)生產(chǎn)，不僅實現(xiàn)了6英寸、8英寸硅片的產(chǎn)業(yè)化，還率先突破12英寸工藝的技術研發(fā)。此外，公司控股股東株式會社RS Technologies是目前全球最大的半導體晶圓片再生制造企業(yè)，占有全球三成以上的市場份額。

利普思、空客集團：SiC模塊用于主驅(qū)

1月24日，利普思半導體宣布他們的ED3H系列SiC模塊將獲得空客集團電驅(qū)供應商采用，作為空客集團未來零排放商業(yè)飛行器方案的器件方案之一，用于氫能飛行器的電驅(qū)系統(tǒng)。

據(jù)悉，該系列SiC模塊專為商用汽車和飛行器領域開發(fā)，具有車規(guī)品質(zhì)、1200V耐壓、800A電流等特點，并采用半橋拓撲，針對SiC器件高頻應用的需求優(yōu)化了門級pin針的設計，方便下游廠商快速實現(xiàn)對ED3-IGBT模塊的替換升級，在降低系統(tǒng)損耗的同時，提高電機轉(zhuǎn)速。

官網(wǎng)資料顯示，利普思半導體成立于2019年11月，專注于SiC等功率半導體的研發(fā)生產(chǎn)，并提供完整的模塊應用解決方案，截至目前，利普思旗下HPD、ED3H、E0/E2系列等SiC模塊在在氫燃料電池及電動飛行器有多個應用案例，用戶涉及國內(nèi)外領域內(nèi)頭部企業(yè)。

京創(chuàng)先進、仙湖半導體：聯(lián)合研發(fā)SiC&GaN劃片機

碳化硅等新材料硬度大、脆性高的特點，需要轉(zhuǎn)速更高的劃片機設備。近日，據(jù)“合肥高投”透露，京創(chuàng)先進與仙湖半導體達成合作，雙方將成立聯(lián)合實驗室，一同研發(fā)“超高轉(zhuǎn)速10萬轉(zhuǎn)先進劃片機項目”。

京創(chuàng)先進表示，此次新技術的發(fā)展思路是基于合肥仙湖半導體科技有限公司設計生產(chǎn)的復合陶瓷材料基氮化鎵芯片，它可以實現(xiàn)更加高效快速的驅(qū)動性能，用來打造轉(zhuǎn)速更高的劃片機設備，以解決第三代半導體的精密切割加工難題。未來，公司將致力于十萬轉(zhuǎn)超高速劃片機領域，努力實現(xiàn)核心裝備技術自主可控，

官網(wǎng)資料表明，江蘇京創(chuàng)先進電子科技有限公司成立于2013年4月，專業(yè)從事半導體精密切、磨、拋設備的研發(fā)生產(chǎn)，打造劃片、減薄、拋光設備三大產(chǎn)品線，擁有數(shù)萬平米標準產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地，可以提供6-12英寸的半自動到全自動的各類劃片設備，廣泛應用在半導體集成電路、GPP/LED氮化鎵等芯片、分立器件等芯片劃切生產(chǎn)中。

合肥仙湖半導體科技有限公司成立于2019年，專注于高端功率半導體的研發(fā)生產(chǎn)，是目前國內(nèi)唯一一家提供Si、SiC、IGBT、IPM和GaN器件的公司，目前主要服務于Honeywell、TCL、海爾、海信、美的、格力、和而泰等著名品牌客戶。除了能自行設計IGBT、MOSFET等集成電路芯片以外，仙湖半導體還擁有核心變頻控制算法能力，能為客戶提供整體解決方案。