誰將成為化合物半導(dǎo)體市場贏家？

與非導(dǎo)語

你中有我，我中有你，卷在一起。

隨著世界對通信、傳感和功率效率的要求越來越高，到2027年，CS（化合物半導(dǎo)體）襯底材料市場將翻一番以上，與硅相比，預(yù)計用于功率應(yīng)用的SiC的市場份額將大幅增加。這是Yole Group旗下Yole Intelligence《2022年化合物半導(dǎo)體現(xiàn)狀》的觀點。所有的大趨勢都在其路線圖中增加了化合物半導(dǎo)體器件的使用。

用于RF（射頻）GaN的襯底包括硅和SiC，而用于功率GaN的襯底包括硅和藍(lán)寶石。從市場預(yù)測看，這個領(lǐng)域的發(fā)展?jié)摿φ娴暮苷T人，不過，要參與這一賽道的競爭卻不是一件容易的事情，因為置身其中的廠商已經(jīng)是你中有我，我中有你的卷在一起。

跨越兩代的化合物半導(dǎo)體

圖源 | 網(wǎng)絡(luò)

化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于單質(zhì)半導(dǎo)體的材料，它是由兩種或兩種以上元素、以確定的原子配比形成的化合物，其具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)。Si（硅）、Ge（鍺）等都是單質(zhì)半導(dǎo)體材料，而GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）、SiC（碳化硅）、InP（磷化銦）等是化合物半導(dǎo)體。

過去幾十年，半導(dǎo)體經(jīng)歷了三代更迭，第一代以硅為代表，第二代以GaAs、InP為代表，GaN和SiC是第三代半導(dǎo)體的代表。相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體具備高功率密度、低能耗、耐高溫、高發(fā)光效率等特性，在RF、功率器件、光電子及國防軍工等應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢顯著。另外，新興的第四代半導(dǎo)體（Ga2O3等）也一直在研發(fā)當(dāng)中，目前在國防軍工等應(yīng)用領(lǐng)域已顯示出明顯的優(yōu)勢。

GaAs具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，廣泛應(yīng)用于無線通信領(lǐng)域，目前已經(jīng)成為PA（功放）和開關(guān)的主流材料；GaN主要應(yīng)用于通信基站、功率器件等領(lǐng)域，功放效率高、功率密度大，可節(jié)省大量電能，同時減小基站體積和質(zhì)量；SiC主要用于大功率高頻功率器件，未來10年內(nèi)將大范圍應(yīng)用于需要高功率、小體積的電動汽車、牽引系統(tǒng)及工業(yè)領(lǐng)域。

化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

化合物半導(dǎo)體的制造過程與硅基工藝差不多，包括設(shè)計、制造、封裝測試等環(huán)節(jié)，其中最重要的是襯底外延工藝。不同之處在于，在化合物半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中，半導(dǎo)體企業(yè)更愿意采用IDM（垂直整合制造）商業(yè)模式——從設(shè)計、制造到器件的封裝測試的完整一條龍工藝，而且都擁有自己的品牌。

具體講，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組成。產(chǎn)業(yè)鏈上游主要涉及的設(shè)備包括：生長晶錠的單晶爐、加工襯底片的多線切割機、制造外延片的MOCVD（金屬有機化學(xué)氣相沉積）設(shè)備。MOCVD是在VPE基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長原材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體及其多元固溶體的薄層單晶材料。作為化合物半導(dǎo)體行業(yè)上游技術(shù)最復(fù)雜的重要環(huán)節(jié)，具有設(shè)計生產(chǎn)能力的企業(yè)十分有限。

MOCVD設(shè)備廠商的下游產(chǎn)業(yè)鏈包括外延片生產(chǎn)、芯片設(shè)計、晶圓代工、封裝測試等，每個環(huán)節(jié)都需要大量的專門知識，包括不同材料特性、不同工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)，以及復(fù)雜的電路器件設(shè)計等。行業(yè)中的參與者需要不斷進(jìn)行研發(fā)，以保證產(chǎn)品在行業(yè)中的競爭力。

化合物半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的眾多公司

化合物勢力范圍不斷擴張

為了增加良率，降低器件成本，襯底正在向更大的直徑轉(zhuǎn)變，襯底制造商可能會通過既提供外延片，又提供器件進(jìn)入供應(yīng)鏈的下一個層次。Wolfspeed是功率SiC和RF GaN的領(lǐng)先SiC襯底和外延片供應(yīng)商。由于更大尺寸的襯底是下一代器件制造的戰(zhàn)略資源，未來10年要實現(xiàn)的宏偉目標(biāo)是8英寸晶圓廠的投產(chǎn)和擴大材料產(chǎn)能。

在光子學(xué)領(lǐng)域，并購正在幫助在傳感和電信/數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域競爭的公司獲得更多市場份額，并增強了InP和GaAs領(lǐng)域的競爭力。在這一進(jìn)程中，2022年7月SiC大廠高意集團(tuán)（II-VI）完成對Coherent的收購，并將公司更名為Coherent，重心轉(zhuǎn)向更廣泛的InP和GaAs材料、組件和系統(tǒng)。合并后的Coherent成為了領(lǐng)先的光子學(xué)器件制造商，也是功率和RF應(yīng)用的領(lǐng)先SiC襯底供應(yīng)商。

此外，該公司還與市場領(lǐng)導(dǎo)者SEDI（住友電氣器件創(chuàng)新公司）建立了垂直整合的6英寸GaN-on-SiC晶圓平臺，合作制造RF GaN器件，并與GE（通用電氣）一起進(jìn)入功率SiC器件業(yè)務(wù)，加強從襯底到器件層面的競爭力。

早在2020年，當(dāng)時的II-VI就與GE簽署了大規(guī)模專利許可協(xié)議，以共享后者的專利技術(shù)，共同開發(fā)SiC器件和模塊并由II-VI進(jìn)行量產(chǎn)，將其應(yīng)用于飛機以外的各個行業(yè)。通過垂直整合SiC產(chǎn)業(yè)鏈，II-VI在具備SiC襯底技術(shù)的基礎(chǔ)上，將提供應(yīng)用于OBC（車載充電器）和電動汽車電機的SiC器件和模塊。2022年2月，II-VI在自有高質(zhì)量SiC襯底上制作的1200V SiC MOSFET滿足了嚴(yán)格的汽車標(biāo)準(zhǔn)，并與GE研究院簽署為期三年的技術(shù)準(zhǔn)入?yún)f(xié)議，與該實驗室的世界級SiC模塊技術(shù)和專家團(tuán)隊合作加速客戶設(shè)計導(dǎo)入。

2022年8月，光學(xué)元件供應(yīng)商Lumentum收購了激光器制造商NeoPhotonics，獲得了數(shù)據(jù)中心使用的GaAs器件專業(yè)知識，以加強新興應(yīng)用的競爭力，涵蓋智能手機和激光雷達(dá)中的3D傳感、μLED以及5G到6G的過渡。尤其是在消費3D傳感市場，科技巨頭蘋果用基于InP的接近傳感器取代了傳統(tǒng)的GaAs VCSEL，以縮小iPhone 14的劉海尺寸，促使某些傳統(tǒng)GaAs廠商將其產(chǎn)品組合擴展到InP。

另一方面，μLED也是GaAs光子學(xué)市場的一個重要增長載體，有幾家公司從蘋果進(jìn)軍μLED業(yè)務(wù)中受益。2022年4月，Ams Osram（艾邁斯歐司朗）宣布在馬來西亞建造一座耗資8億歐元的μLED晶圓廠，將于2024年投入大規(guī)模生產(chǎn)，為蘋果提供用于智能手表的μLED顯示屏。芯片設(shè)備制造商Aixtron（愛思強）將為Ams osram提供8英寸MOCVD反應(yīng)器。

GaAs、InP和半絕緣SiC襯底的領(lǐng)先供應(yīng)商包括AXT、Sumitomo Electric（住友電氣）、Freiberger和中國的SICC（天岳先進(jìn)），前三家合計約占全球半絕緣SiC襯底90%市場份額。這些廠商收入增長目標(biāo)的實現(xiàn)依賴于將業(yè)務(wù)擴展到其他化合物材料。而目前AXT和Freiberger已經(jīng)展示了8英寸GaAs襯底，并正在競爭成為蘋果的主要供應(yīng)商。

為蘋果公司提供GaAs VCSEL的廠商，如Lumentum和Coherent都已經(jīng)具備了InP生產(chǎn)能力，涵蓋數(shù)據(jù)通信、電信應(yīng)用和消費電子。在針對VCSEL的InP和GaAs方面，Coherent處于IDM商業(yè)模式，Lumentum則截然不同，其研發(fā)在內(nèi)部進(jìn)行，在為蘋果供應(yīng)器件之前，利用IQE和Win Semiconductors等代工廠制造。這一模式有助于應(yīng)對消費市場需求的季節(jié)性。而另一些公司正試圖在材料領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，或在襯底、外延片或工藝等不同層面進(jìn)入市場。

化合物半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展的拐點

除了Wolfspeed和Coherent從襯底擴展到SiC器件之外，Win Semiconductor和Freiberger也在努力獲得光子InP市場的業(yè)務(wù)。在VCSEL需求的推動下，在光電子GaAs工藝方面處于領(lǐng)先地位的Win Semiconductor正在其代工廠中引入InP，而Freiberger則希望將GaAs襯底方面的領(lǐng)先地位擴大到InP。

IDM整合愈演愈烈

車輛的電氣化和高壓應(yīng)用正在推動對SiC材料的需求，主要參與者一直在采取行動來確?；蛟黾悠湟r底供應(yīng)，因此，器件端向上游的收購愈演愈烈。

2021年，安森美收購了美國SiC材料制造商GT Advanced Technologies。同年，中國三安半導(dǎo)體斥資25億美元在開設(shè)了一條SiC生產(chǎn)線，覆蓋從晶體生長到功率器件、封裝和測試的整個供應(yīng)鏈，以提高其在功率電子領(lǐng)域的市場份額。

SiC襯底、外延片和工藝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed最近宣布在德國建設(shè)一個新的8英寸SiC工廠，以鞏固其領(lǐng)先地位并擴展到SiC器件市場。半導(dǎo)體巨頭英飛凌于2022年與歐洲汽車制造商Stellantis合作，價值超過10億歐元的交易將加強英飛凌的制造能力，并在本世紀(jì)后半葉成為Stellantis的SiC芯片供應(yīng)商。

RF GaN市場預(yù)計規(guī)模將會增長，但市場份額不會增長，部分原因是2019年美國對華為的制裁影響了GaN-on-SiC供應(yīng)鏈。2023年，由于印度等國的5G基站市場的發(fā)展，預(yù)計該市場將再次獲得增長勢頭。

采用GaN-on-Si平臺的Navitas是功率GaN行業(yè)的第一家獨角獸公司。2022年8月，該公司收購了GeneSiC，成為既有GaN也有SiC技術(shù)的功率半導(dǎo)體公司。2023年3月，英飛凌簽署協(xié)議將以8.3億美元收購GaN Systems，這是迄今為止功率GaN行業(yè)最大的一筆交易，約占英飛凌功率電子收入的18%，是截至2022年整個功率GaN市值的4倍。

Wolfspeed在SiC和RF GaN襯底方面的主導(dǎo)地位意味著，所有主要器件制造商都與該公司合作以確保供應(yīng)，這反過來又有助于其確保器件層面的業(yè)務(wù)。截至2023年，在功率SiC和RF GaN方面都具備競爭力的其他公司還有Coherent和SICC。

玩家祭出協(xié)同策略

所有參與者都對GaAs和InP襯底在RF、光子學(xué)和μLED應(yīng)用中的協(xié)同作用趨之若鶩。而半絕緣SiC襯底的參與者正在進(jìn)入n型SiC，以獲得更高增長率的市場。半絕緣SiC襯底主要用來制作微波RF器件，用于5G通信、雷達(dá)等高頻應(yīng)用領(lǐng)域；導(dǎo)電型襯底則用來制作功率器件，用于新能源汽車、光伏發(fā)電等高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

InP和GaAs光子學(xué)兩位數(shù)的復(fù)合年增長率代表了其可觀的市場規(guī)模，其中μLED是一個蓬勃發(fā)展的市場，預(yù)計在未來五年內(nèi)每年都會翻倍。外延片供應(yīng)商正受益于化合物外延片市場的開放，作為生產(chǎn)GaAs和InP襯底的Ⅲ-Ⅴ族材料化合物外延晶圓公司，IQE已涉足各個市場（如RF GaAs和GaN）；而中國臺灣VPEC（全新光電）已成為開放市場上最大的RF GaAs外延片供應(yīng)商，力圖繼續(xù)增加光子學(xué)領(lǐng)域的參與，以實現(xiàn)未來增長。

在眾多化合物半導(dǎo)體公司中，排名前十的公司在生態(tài)系統(tǒng)中具有舉足輕重的地位，要么是特定領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，要么參與了許多領(lǐng)域，或擁有一些未來的產(chǎn)品。這既表明了一個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)能力，也體現(xiàn)了不同化合物半導(dǎo)體之間的協(xié)同作用，特別是代工能力。

著名化合物半導(dǎo)體公司市場定位

化合物廠商與晶圓廠之間一直在追求一種協(xié)同效應(yīng)。功率SiC和光子學(xué)市場的增長帶來了增加制造能力的需求，正在為硅晶圓廠創(chuàng)造機會。數(shù)十年來，隨著化合物玩家不斷擴大產(chǎn)能，從2英寸、3英寸和4英寸平臺轉(zhuǎn)移到6英寸或8英寸平臺，硅晶圓廠一直在努力使用更大直徑的晶圓，與化合物廠商形成協(xié)同效應(yīng)。

現(xiàn)在，之前只致力于較小直徑化合物的IntelliEPI、GCS和Sanan IC等公司已開始考慮采用6或8英寸來保持成本競爭力，而臺積電、GlobalFoundries、英特爾和Vanguard等硅晶圓廠早就建立了可用于化合物制造的6英寸和8英寸硅工藝。

寫在最后

隨著LED、手機功率放大器以及電信和數(shù)據(jù)通信的發(fā)展，化合物半導(dǎo)體在20世紀(jì)90年代經(jīng)歷了GaAs和InP的第一個爆發(fā)點。伴隨對5G連接、電動汽車和智能手機快速充電器的需求，化合物半導(dǎo)體的銷量和市值都在增長。

展望未來，電動出行和更高電壓的應(yīng)用、各種終端系統(tǒng)中傳感、5G到6G的過渡以及μLED顯示器，都將為不同的化合物半導(dǎo)體材料帶來巨大潛力，特別是更多新興襯底的新應(yīng)用。

根據(jù)Yole預(yù)計，到2027年功率應(yīng)用SiC將成為最大的行業(yè)，其復(fù)合年增長率為21-25%，在化合物半導(dǎo)體襯底中的市場份額將增加約50%。光子學(xué)InP市場份額也將增加，并以20%的復(fù)合年增長率增長。第三個主要市場是RF GaN也將保持其市場份額，包括硅襯底和SiC襯底，隨著其他應(yīng)用的增長，將繼續(xù)以11%的復(fù)合年增長率增長。

總之，隨著高功率器件的需求不斷推動制造業(yè)的發(fā)展，化合物襯底市場正在增長，并不斷見證化合物玩家進(jìn)入不同的材料領(lǐng)域。