MPPT(Maximum Power Point Tracking)是光伏逆變器系統(tǒng)實現(xiàn)最大程度利用太陽能的關(guān)鍵部分,不同的MPPT拓撲有各自的特點。本文將對比常見的三種MPPT電路,并對雙boost (Dual Boost)的開關(guān)模式限制做了原理性分析,直觀解釋了Dual Boost 在MPPT中無法交錯開關(guān)。針對不同的電壓與電流等級,本文提供了英飛凌針對各種拓撲的參考器件選型方案,為設計高效可靠的MPPT提供便利。
EPC推出采用緊湊型QFN封裝(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC轉(zhuǎn)換、快充、電機驅(qū)動和太陽能 MPPT等應用實現(xiàn)更高的功率密度。 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比