FinFET

• FD-SOI，半導體“特色”工藝之路能否走通？
  

  在進入28納米節(jié)點時，半導體邏輯制造工藝出現了分岔。一條路線走向了三維工藝，即大家所熟知的FinFET，代表廠商有臺積電、英特爾和中芯國際等晶圓制造廠商；另一條路線則還在堅持平面工藝，被稱為FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡硅型絕緣體上硅），代表廠商有意法半導體（STMicroelectronics）。三星電子與格羅方德（GlobalFoundries）則兩條腿走路，對FinFET與FD-SOI都有布局，但三星的先進邏輯制造工藝還是以FinFET為主。

  TechSugar

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  10/31 12:50

  FinFET FD-SOI
• 什么是FD-SOI，為什么歐洲執(zhí)著于此？
  FD-SOI（fully depleted silicon-on-insulator）解決了芯片制造商的漏電問題，但該技術落后于更傳統(tǒng)的FinFET工藝。

  Astroys

  9.4萬

  09/27 12:13

  FinFET FD-SOI
• 一文讀懂 | 集成電路制造技術
  集成電路的歷史從1958年TI的第一顆Flip-Flop電路開始，那時候只有兩個晶體管組成一個反相器而已。發(fā)展至今已有十億個晶體管的CPU了，而這些都不得不來自于半導體制造業(yè)的技術推進得以持續(xù)scalable。

  溫戈

  8.9萬

  09/27 13:34

  電路 集成電路
• 什么是FinFET？一文帶你全方位認識FinFET
  今天我們一起來學習一下：什么是FinFET？它到底有多牛？它為什么這么牛？

  射頻學堂

  9.6萬

  09/26 11:46

  MOSFET FinFET
• 降低半導體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術
  

  01 介紹 銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是用溝槽刻蝕工藝在低介電二氧化硅里刻蝕溝槽圖形，然后通過大馬士革流程用銅填充溝槽。但這種方法會生出帶有明顯晶界和空隙的多晶結構，從而增加銅線電阻。為防止大馬士革退火工藝中的銅擴散，此工藝還使用了高電阻率的氮化鉭內襯材料。 我們可以使用物理氣相沉積 (PVD) 以10至100電子伏特的高

  與非網編輯

  1630

  08/15 07:24

  電阻 FinFET
• 為什么晶圓先進制程需要FinFET？
  FinFET技術在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結構，通過增強柵極控制和降低漏電流，實現了更高效的晶體管性能。這對于實現更小、更快、更節(jié)能的半導體器件是至關重要的。隨著半導體工藝節(jié)點的不斷縮小，FinFET技術的應用也變得越來越普遍和重要。

  老虎說芯

  2548

  08/05 11:50

  FinFET 先進制程
• 3D-IC中三個層次的3D
  

  自從1958集成電路發(fā)明以來，集成電路給人類文明帶來難以估量的巨大的進步?！盀楝F代信息技術奠定了基礎”是2000年諾貝爾物理學獎給予杰克?基爾比發(fā)明集成電路的中肯評價。今天，我們甚至可以說：“集成電路為現代科技奠定了基礎”。試想，沒有集成電路，人類現在的科技會退回到何種地步？

  Suny Li（李揚）

  4473

  04/01 09:50

  集成電路 晶體管
• Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
  

  這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產品設計，堅定客戶對Dolphin Design產品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。 高性能模擬、混合信號、

  與非網編輯

  1987

  02/22 18:06

  電池 ASIC

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