AI服務(wù)器

• SK海力士開發(fā)出61TB SSD，賦能AI服務(wù)器
  

  SK海力士12月18日表示，已完成人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心用高容量固態(tài)硬盤（Solid State Drive）產(chǎn)品“PS1012U.2”61TB的開發(fā)。U.2是指SSD的一種外形規(guī)格（FormFactor），是2.5英寸大小的SSD。其特點是存儲空間大，耐久性高。因此，SK海力士開發(fā)的PS1012將主要用于服務(wù)器或高性能工作站。

  芯片說 IC TIME

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  12/19 09:00

  SK海力士 SSD
• CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
  

  Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊，便于無縫集成。

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  12/12 10:06

  MOSFET Nexperia
• 英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET
  

  為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計。該半導(dǎo)體器

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  1188

  11/25 08:34

  英飛凌 MOSFET

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