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    閃存

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    快閃存儲器(英語:flash memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ鳌_@種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲,以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進行一次抹除,就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。

    快閃存儲器(英語:flash memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ?。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲,以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進行一次抹除,就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。收起

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      采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實時性能
      實時微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設(shè)計要求方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。無論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS),這些設(shè)備都必須在惡劣環(huán)境中為時間關(guān)鍵型任務(wù)提供快速、確定性的性能。 F29H85x 系列 C2000TM MCU 基于 TI 的 C29 內(nèi)核,專為應(yīng)對高壓系統(tǒng)中嚴苛的處理和安全設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計。這 些 MCU 性能顯著提升
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      英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出業(yè)界首款用于太空和極端環(huán)境應(yīng)用的512 Mbit抗輻射加固設(shè)計QSPI NOR閃存 。這款半導體器件采用快速四串行外設(shè)接口(133 MHz),具有極高的密度、輻射和單次事件效應(yīng)(SEE)性能,是一款完全通過QML認證的非易失性存儲器,可與太空級FPGA和微處理器配合使用。 512 Mbit抗輻射加固設(shè)計QSPI NOR
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      2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調(diào)整,預(yù)計下半年價格將面臨壓力
      存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM(內(nèi)存)庫存,到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而,消費電子需求未如預(yù)期回溫,如智能手機領(lǐng)域已出現(xiàn)整機庫存過高的情況,筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買,市場繼續(xù)萎縮。這種情況下,以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱,第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤,但也暗示合約價的潛在趨勢。
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      AI算力升級,存儲將扮演什么角色?
      近期AI計算平臺已經(jīng)迎來新一輪升級。從NVIDIA發(fā)布Rubin GPU,到Intel發(fā)布至強6,再到AMD的銳龍和EPYC處理器,無一不在強調(diào)AI加速的重要性。特別是在PC領(lǐng)域,Windows on ARM產(chǎn)品蓄勢待發(fā),基于x86的AI PC更是鎖定先進制程,將AI TOPS和應(yīng)用范圍都拓寬到更廣大產(chǎn)品線中。 AI時代的到來,勢必所有的AI PC、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算、終端應(yīng)用所搭載的存儲器容量都
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      自有IP模塊,華邦電子如何引領(lǐng)安全閃存技術(shù)趨勢?
      安全閃存是一種非易失性存儲器,專為數(shù)據(jù)保護和信息安全設(shè)計,具備高安全性和防篡改能力。與傳統(tǒng)閃存主要關(guān)注存儲容量和速度不同,安全閃存增加了多層安全機制,確保數(shù)據(jù)的機密性、完整性和可用性。這些機制包括數(shù)據(jù)加密、訪問控制、防篡改保護、安全啟動和信任根(RoT)等。
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      各位“貞”朋友好,今日推薦貞光科技代理品牌,優(yōu)秀原廠——Xtxtech 芯天下,貞光科技主要代理芯天下的Nand、Nor Flash存儲芯片等產(chǎn)品。
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      不久前,有媒體報道三星和 SK 海力士最終將永久關(guān)閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線,兩家韓國存儲制造商可能在今年下半年停止向市場供應(yīng) DDR3 內(nèi)存。隨后市場傳出DDR3產(chǎn)品漲價的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解,AI火熱的當下,相關(guān)內(nèi)存供不應(yīng)求。為了利潤率,搶占未來十年的市場,存儲巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。
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      自2023下半年以來,全球NAND Flash(閃存)和模組市場開始進入回暖軌道,一直持續(xù)到現(xiàn)在。不過,在這個過程中,市場還是有起伏的,特別是2024年第一季度,是傳統(tǒng)淡季,在消費類電子產(chǎn)品市場,NAND Flash和模組的價格戰(zhàn)依然在繼續(xù),相對而言,企業(yè)級市場需求一直很堅挺,而且,市場競爭也不像消費類電子市場那么激烈,可提供企業(yè)級NAND Flash模組的企業(yè)要少很多,它們的日子過得還是不錯的。
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      北京2024年5月10日?/美通社/ -- 近日,浪潮信息發(fā)布為大模型專門優(yōu)化的分布式全閃存儲AS13000G7-N系列。該系列依托浪潮信息自研分布式文件系統(tǒng),搭載新一代數(shù)據(jù)加速引擎DataTurbo,通過盤控協(xié)同、GPU直訪存儲、全局一致性緩存等技術(shù)為AI大模型數(shù)據(jù)歸集、訓練、數(shù)據(jù)歸檔與管理等階段提供強大存儲支撐能力,助力用戶加速大模型系統(tǒng)的創(chuàng)新及應(yīng)用落地。 化解大模型時代的存儲挑戰(zhàn) 構(gòu)建堅實的
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      安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布與Alliance Memory簽訂全球分銷協(xié)議,為e絡(luò)盟的半導體產(chǎn)品組合引入一個重要的新供應(yīng)商。這項合作將助力Alliance Memory通過e絡(luò)盟的全球客戶網(wǎng)絡(luò),進一步擴大其市場范圍。 客戶現(xiàn)可通過e絡(luò)盟購買Alliance Memory的全系列SRAM、DRAM、嵌入式多媒體卡(eMMC)和閃存IC,并享受快速發(fā)貨服務(wù)。這些存儲產(chǎn)品能夠
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      每年春天,半導體產(chǎn)業(yè)最讓人期待的盛會莫過于閃存大會和SEMICON。今天來聊聊閃存大會(CFMS | MemoryS 2024)。3月20日,2024年閃存大會在深圳前海舉行,大會匯集了全球三大存儲原廠以及眾多產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。據(jù)主辦方透露,今年大會總參與企業(yè)超過1500家,預(yù)計到場人數(shù)超過4000人。
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      03/25 08:40
    • CFMS2024 | 江波龍:突破存儲模組經(jīng)營魔咒
      CFMS2024 | 江波龍:突破存儲模組經(jīng)營魔咒
      3月20日,2024中國閃存市場峰會(以下簡稱“CFMS2024”)在深圳成功舉行,本屆CFMS2024以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題,匯聚了全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè),共同探討新的市場形勢下的機遇。 在CFMS2024峰會上,江波龍董事長、總經(jīng)理蔡華波發(fā)表了題為《突破存儲模組經(jīng)營魔咒》的演講,分享公司從“存儲模組廠”向“半導體存儲品牌企業(yè)”全面轉(zhuǎn)型升級的戰(zhàn)略布局,以及如何實現(xiàn)從銷售模式到用芯服
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      美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS,助力下一代智能手機設(shè)計搭載更大容量電池
      美光通過專有固件功能提升數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用體驗,進一步鞏固在 UFS 4.0移動存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導地位 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布開始送樣增強版通用閃存(UFS)4.0 移動解決方案,該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型UFS 封裝(9 x 13mm)?;谙冗M的232層3D NAND技術(shù),美光UFS 4.0解決方案
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      提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Espressif Systems的ESP32-H2-MINI-1x模組。ESP32-H2-MINI-1x模組是功能強大的通用低功耗藍牙和IEEE 802.15.4組合模組,經(jīng)優(yōu)化兼容Matter。Matter是一種基于IP的行業(yè)統(tǒng)一連接協(xié)議,可簡化IoT應(yīng)用的開發(fā),還
    • 閃存邁入280層時代?這遠遠不是終點
      閃存邁入280層時代?這遠遠不是終點
      又一存儲大廠閃存層數(shù)迎來新突破!近期外媒報道,在今年2月即將召開的國際固態(tài)電路峰會ISSCC上,三星電子將推出下一代 V9 QLC NAND解決方案,閃存層數(shù)將達到280層。據(jù)悉,三星V9 QLC存儲密度每平方毫米達到28.5Gb,最大傳輸率可達3.2 Gbps,比目前最好的QLC產(chǎn)品(2.4 Gbps)高出了一截,甚至可以滿足未來PCIe 6.0方案的需求。

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