寄生電容

• 淺談MOS管中的寄生電容
  MOS晶體管寄生電容是由于結(jié)構(gòu)內(nèi)不同區(qū)域的移動(dòng)電荷分離而形成的。寄生電容是電路中不想要的部分，在低頻工作時(shí)會(huì)被忽略。但在高頻射頻電路工作時(shí)無(wú)法避免；因此，我們?cè)谠O(shè)計(jì)時(shí)必須注意寄生電容。

  志芯

  12.5萬(wàn)

  09/27 10:10

  寄生電容 MOS晶體管
• 學(xué)子專(zhuān)區(qū)——ADALM2000活動(dòng)：電感自諧振
  

  目標(biāo) 本實(shí)驗(yàn)室活動(dòng)的目標(biāo)是測(cè)量電感的自諧振頻率(SRF)，并根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)確定寄生電容。 背景知識(shí) 與所有非理想電氣元器件一樣，部件套件中提供的電感并不完美。圖1為常見(jiàn)的實(shí)際電感簡(jiǎn)化模型電路圖。除了所需的電感L之外，實(shí)際元件還會(huì)有損耗（建模為串聯(lián)電阻，在圖中以R表示）和并聯(lián)寄生電容（以C表示）。電阻越?。ń咏? Ω），電容越?。ń咏? F），電感就越理想。 圖1.3元件LRC電感模型。 繞組間電容與

  亞德諾半導(dǎo)體

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  01/09 12:47

  示波器 諧振

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