寬禁帶半導(dǎo)體“漸入佳境”
隨著微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求的快速發(fā)展,寬禁帶半導(dǎo)體材料對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性日益凸顯。尤其是伴隨人工智能、新能源汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體需求逐漸攀升,寬禁帶半導(dǎo)體在技術(shù)推進(jìn)、產(chǎn)品創(chuàng)新、行業(yè)布局上都迎來(lái)了新的變化。