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存儲技術(shù)

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當(dāng)前的磁帶機(jī)(庫)支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機(jī)所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。這個數(shù)值取決于兩個因素,一是單盒磁帶的存儲容量,二是磁帶機(jī)所能容納的磁帶數(shù)目。由于磁帶機(jī)采用多種不同的備份技術(shù)所以存儲容量也不一致。

當(dāng)前的磁帶機(jī)(庫)支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機(jī)所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。這個數(shù)值取決于兩個因素,一是單盒磁帶的存儲容量,二是磁帶機(jī)所能容納的磁帶數(shù)目。由于磁帶機(jī)采用多種不同的備份技術(shù)所以存儲容量也不一致。收起

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    在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下,市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測,2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%,達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代,如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM,以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。 2020-2024年全球存儲器市場規(guī)模及
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    近日,北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長趙巍勝,分享了MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲,其是人工智能時代的根技術(shù),如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認(rèn)為未來磁存儲將被SSD完全取代,然而十年后,磁存儲依舊是最重要的存儲技術(shù)。
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    7月1日,深圳市江波龍電子股份有限公司(以下簡稱“江波龍”)宣布其巴西子公司Zilia(智憶巴西)已經(jīng)開始封裝生產(chǎn)江波龍存儲產(chǎn)線。這一成功導(dǎo)入標(biāo)志著江波龍海外并購服務(wù)和技術(shù)賦能的正式落地,為江波龍向高端、品牌、海外發(fā)展提供存儲制造競爭力。
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    6月28日,美光科技宣布,公司成功收購力成西安資產(chǎn)。此次收購?fù)瓿捎欣诩訌?qiáng)美光科技封裝測試產(chǎn)能布局。去年6月,美光宣布在西安的封裝測試工廠投資逾43億元人民幣,其中包括加建一座新廠房,引入全新產(chǎn)線,制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案,包括但不限于移動DRAM、NAND及SSD,從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測試能力。
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    前言:隨著AI技術(shù)的發(fā)展,存儲行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇也在增加。AI的興起推動了對高帶寬存儲器的需求,而傳統(tǒng)的存儲解決方案無法滿足這一需求。HBM作為一種高帶寬存儲器,打破了傳統(tǒng)存儲的瓶頸,為AI芯片提供了理想的解決方案。華邦通過創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù),積極應(yīng)對這些挑戰(zhàn),推動行業(yè)技術(shù)進(jìn)步。 HBM是一種用于GPU、服務(wù)器、高性能計算和網(wǎng)絡(luò)連接的3D堆疊DRAM存儲器。它旨在提供更高的帶寬和更低的功耗,與GDD
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    人工智能AI吹起新一輪科技革命浪潮,衍生出諸多新興應(yīng)用,龐大的需求驅(qū)動存儲技術(shù)更迭。隨著AI模型和數(shù)據(jù)集不斷擴(kuò)大,高效、高性能的存儲顯得愈發(fā)關(guān)鍵,符合AI模型需求的DDR、GDDR、HBM技術(shù)從幕后走向臺前,并隨著AI發(fā)展而不斷推陳出新。
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    高性能存儲最遠(yuǎn)可以出現(xiàn)在什么地方?對于鎧俠而言,從遙遠(yuǎn)的太空,到身邊的手機(jī)、家電,幾乎所有智能化設(shè)備與存儲息息相關(guān),特別隨著各行各業(yè)對存儲需求不斷增多,存儲容量和性能變得更為重要。 例如,在過去很長一段時間中,人類在太空收集的數(shù)據(jù)需要帶回地球、錄入計算機(jī)后才能處理。沒有了大氣層的保護(hù),太空對人類和機(jī)器都非常不友好,需要隨時對抗宇宙輻射,對抗帶電的亞原子粒子對電子設(shè)備造成的干擾,對抗突如其來的各種設(shè)
  • 2024年,存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩!
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    邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期,2024年存儲市場起勢,存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求,存儲新技術(shù)革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期;HBM加速邁進(jìn),HBM3/HBM3e持續(xù)突破,有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。
  • 價格暴漲500%,HBM市場徹底被引爆
    價格暴漲500%,HBM市場徹底被引爆
    內(nèi)存技術(shù)作為計算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。在這個背景下,高帶寬內(nèi)存(HBM)以其卓越的性能表現(xiàn),正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角,成為推動計算領(lǐng)域進(jìn)入全新時代的關(guān)鍵力量。
  • SK海力士“狂飆”,HBM是“救命良藥”
    SK海力士“狂飆”,HBM是“救命良藥”
    最近,SK海力士披露了亮眼的第四季度財報,2023年第四季度實現(xiàn)扭虧為盈,當(dāng)季營業(yè)利潤3460億韓元(約合2.6億美元),而上年同期營業(yè)虧損1.91萬億韓元。這意味著,SK海力士成功擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。
  • 巨頭押注,MRAM開始爆發(fā)
    巨頭押注,MRAM開始爆發(fā)
    存儲技術(shù)發(fā)展更迭50年,逐漸形成了SRAM、DRAM及Flash這三大主要領(lǐng)域。但是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)朝更小的技術(shù)節(jié)點邁進(jìn),傳統(tǒng)的DRAM和NAND Flash開始面臨越來越嚴(yán)峻的微縮挑戰(zhàn);再加上由于這些存儲技術(shù)與邏輯計算單元之間發(fā)展速度的失配,嚴(yán)重制約了計算性能和能效的進(jìn)一步提升。
  • 三星與紅帽攜手推動CXL存儲生態(tài)系統(tǒng)擴(kuò)展并取得重要進(jìn)展
    三星宣布,與開源軟件提供商紅帽(Red Hat)攜手,首次成功在真實用戶環(huán)境中驗證了Compute Express Link?(CXL?)內(nèi)存技術(shù)的運(yùn)行,這將進(jìn)一步擴(kuò)大三星的 CXL生態(tài)系統(tǒng)。
  • 云存儲技術(shù)
    云存儲技術(shù)是當(dāng)今信息技術(shù)領(lǐng)域的一項重要創(chuàng)新,為個人和企業(yè)提供了高效、安全的數(shù)據(jù)存儲和管理方式。隨著數(shù)字化時代的到來,海量數(shù)據(jù)的產(chǎn)生與積累給傳統(tǒng)本地存儲帶來了挑戰(zhàn),而云存儲技術(shù)以其靈活性、可擴(kuò)展性和便捷性成為了解決這一問題的有效途徑。

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