外延片

• 只要卷不死，就往死里卷：全球SiC襯底、外延片供應(yīng)商大統(tǒng)計
  

  前一陣子，網(wǎng)上廣為流傳的是SiC巨頭Wolfspeed巨虧的消息。明明是個熱門領(lǐng)域，一下子怎么地主家也沒有余糧了？確實沒有辦法，這個行業(yè)實在太卷了。之前我已經(jīng)發(fā)布過一般SiC器件供應(yīng)商的數(shù)據(jù)（鏈接見下方）今天，整理一下SiC器件產(chǎn)品供應(yīng)商的數(shù)據(jù)

  半導(dǎo)體綜研

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  09/22 11:25

  SiC 碳化硅襯底
• 外延生長的基礎(chǔ)與應(yīng)用
  

  在半導(dǎo)體和光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，材料生長技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色。無論是用于電腦芯片的晶體管，還是高亮度發(fā)光二極管（LED），這些現(xiàn)代電子設(shè)備都依賴于半導(dǎo)體材料的制備。而外延生長技術(shù)正是其中重要的一環(huán)，它幫助我們在晶體襯底上精確地構(gòu)建新的材料層，提升了器件的性能和可靠性。

  老虎說芯

  1922

  09/21 11:25

  外延片 外延晶圓
• 分子束外延（MBE）設(shè)備原理
  學(xué)員問：分子束外延（MBE）設(shè)備復(fù)雜嗎，有什么特點？為什么叫分子束呢？外延就是在單晶襯底上再生長出一層單晶膜層。

  TOM聊芯片智造

  3677

  04/11 15:45

  外延片
• 中國SiC外延片市場，繁榮與挑戰(zhàn)并存
  

  隨著電動汽車和新能源需求的持續(xù)擴大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢。對于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導(dǎo)，中國廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長期，近年來全球市場份額得以迅速上升。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2548

  03/22 10:20

  SiC 碳化硅
• 芯生代：GaN成本降低70%，加速開拓大功率市場
  

  回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進步？本期嘉賓是芯生代董事長/首席科學(xué)家 鐘蓉?。鐘董在訪談中分享了很多干貨：● 芯生代擁有獨特的零缺陷薄膜制備技術(shù)，可顯著提高GaN外延層各層薄膜生長的質(zhì)量?！?5?厚度的6英寸GaN-on-Si外延片，垂直擊穿電壓超過800V、器件的電流密度超過100mA/mm、漏電流控制到了10nA以下，成功實現(xiàn)了進口替代。

  行家說三代半

  3169

  02/07 08:40

  GaN 氮化鎵
• 外延片
  外延片，是一種在晶體生長過程中，將新形成的晶體沉積在已有晶體表面上生長而成的單晶薄片。外延片具有高純度、優(yōu)質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)和特定的材料特性，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光電子器件、激光器件等領(lǐng)域。

  eefocus_3901714

  5982

  04/11 16:39

  外延片
• 氮化鎵外延片工藝流程介紹
  氮化鎵外延片工藝是半導(dǎo)體微電子制造中關(guān)鍵的一環(huán)，用于在氮化鎵材料上沉積不同結(jié)構(gòu)和摻雜的多層薄膜，以實現(xiàn)高性能光電器件的制備。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵外延片的制備流程及關(guān)鍵步驟，從外延片的基礎(chǔ)知識到外延片工藝參數(shù)的選擇，帶您深入了解這一重要的半導(dǎo)體加工技術(shù)。

  eefocus_3901714

  689

  12/06 14:36

  外延片
• 外延片與晶圓的區(qū)別
  外延片（Epitaxial Wafer）和晶圓（Wafer）是在半導(dǎo)體制造過程中兩個關(guān)鍵的材料，它們在結(jié)構(gòu)、用途以及制備方法等方面存在著一些重要的區(qū)別。

  eefocus_3901714

  1812

  11/26 13:29

  晶圓 半導(dǎo)體制造

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