電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能,被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高,SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng),而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試,但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。 為確保這些設(shè)