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EDA故事的起點(diǎn)是在上世紀(jì)70年代，在經(jīng)歷了pre-EDA時(shí)期、EDA 1.0時(shí)期、EDA 2.0時(shí)期，到現(xiàn)在正在探索的EDA3.0 EDAaaS。這幾十年中，伴隨著行業(yè)主流企業(yè)的浮浮沉沉，EDA商業(yè)模式也在發(fā)生轉(zhuǎn)變，但其中不變的是對關(guān)鍵技術(shù)的深耕，用拳頭產(chǎn)品來錨定進(jìn)而整合出全流程的平臺，使得以核心技術(shù)為主的發(fā)展路線至今仍然充滿創(chuàng)新生命力。

夏珍

3608

12/12 16:05

eda 與非研究院

先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技

隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大，芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納

王兵

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12/10 09:18

與非研究院 CVD

6家中國本土射頻芯片公司對比分析

隨著全球5G、WiFi7等新興通信技術(shù)的普及，射頻行業(yè)迎來新的發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)Gartner的預(yù)測，全球射頻前端市場規(guī)模到2026年將達(dá)到210億美元，年均復(fù)合增長率（CAGR）為8.3%。Yole Development則預(yù)測2028年全球移動終端射頻前端市場將達(dá)到269億美元，年均增長率約為5.8%。其中，發(fā)射端模組市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)122億美元，接收端模組為45億美元，濾波器和功率放大器分別為30

李堅(jiān)

9213

12/05 14:37

射頻與非研究院

存儲原理、分類、競爭格局及市場空間分析

前述文章我們對國內(nèi)6家存儲企業(yè)的情況進(jìn)行了對比分析，對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國內(nèi)企業(yè)發(fā)展晚，營收和利潤相對國際大廠來看還比較弱?。怀墒熘瞥陶急榷?，先進(jìn)制程占比少；產(chǎn)品也存在很大的代差，先進(jìn)HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當(dāng)前面臨各種限制，光刻機(jī)方向還未突破先進(jìn)制程，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場。但是從全球和國內(nèi)存儲市場空間來看，行業(yè)空間比較廣闊

王兵

4578

12/03 11:25

與非研究院存儲

國產(chǎn)CPU的2024：逆境前行，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵一年

在地緣政治挑戰(zhàn)下，國產(chǎn)CPU如何在先進(jìn)工藝受阻等挑戰(zhàn)下持續(xù)創(chuàng)新是關(guān)注焦點(diǎn)。并且，隨著國產(chǎn)CPU走入新階段，沖擊高端顯然是必經(jīng)之路。

張慧娟

3030

11/29 15:01

與非研究院國產(chǎn)CPU

與非研究院

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