又一家華為投資的企業(yè)上市，市值近百億

2月10日，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商?hào)|微半導(dǎo)登陸科創(chuàng)板。

開(kāi)市后，東微半導(dǎo)漲至148元/股，之后有所回落。截至成文，東微半導(dǎo)報(bào)132元/股，總市值90億元。

Source：同花順截圖

募資9.39億，加碼功率半導(dǎo)體！

據(jù)悉，東微半導(dǎo)本次募集資金投資項(xiàng)目如下：

Source：公告截圖

超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

項(xiàng)目投資額為 20,414.58 萬(wàn)元。項(xiàng)目是對(duì)高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)等方面進(jìn)行改進(jìn)和提升。

高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品升級(jí)具體包括 8 英寸第三代超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品及 12 英寸先進(jìn)工藝超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)提升；中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品升級(jí)具體包括第三代高速屏蔽柵中低壓 MOSFET 及高魯棒性中低壓 MOSFET 產(chǎn)品的涉及工藝技術(shù)提升。

新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

項(xiàng)目投資10,770.32 萬(wàn)元，本項(xiàng)目擬在未來(lái)三年陸續(xù)推出高速率 IGBT、超級(jí)硅 MOSFET 以及新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品?？蓮V泛應(yīng)用于 5G 基站、新能源汽車(chē)直流充電樁、光伏逆變器等細(xì)分領(lǐng)域。

其中，IGBT 產(chǎn) 品研發(fā)涉及 900V 以下三柵 IGBT、900V 及以上三柵 IGBT、車(chē)規(guī)級(jí)高可靠性 IGBT 及 12 英寸先進(jìn)制程 IGBT 產(chǎn)品系列的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；超級(jí)硅 MOSFET 產(chǎn)品研發(fā)涉及第一 代及第二代超級(jí)硅 MOSFET 的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；新一代高速大電流功率器件系列主要為 600V/650V Hybrid-FET 器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目

項(xiàng)目總投資額為 16,984.20 萬(wàn)元，項(xiàng)目是圍繞 SiC 器件、新型硅基高壓功率器件方向進(jìn)行產(chǎn)品技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)，開(kāi)發(fā)新的技術(shù)方案，增加功率器件失效性和可靠性的固定資產(chǎn)投入，優(yōu)化實(shí)驗(yàn)環(huán)境，提升測(cè)試效率，進(jìn)一步保障產(chǎn)品質(zhì)量。

東微半導(dǎo)計(jì)劃在超薄晶圓背面加工技術(shù)和高功率密度芯片及模塊封裝技術(shù)方向進(jìn)行持續(xù)研發(fā)投入，提高工藝技術(shù)，進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能。

科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金

項(xiàng)目是結(jié)合公司戰(zhàn)略發(fā)展的目標(biāo)，在產(chǎn)業(yè)并購(gòu)及整合的用途中，公司考慮重點(diǎn)在汽車(chē)級(jí) 功率器件設(shè)計(jì)、SiC 功率器件設(shè)計(jì)以及模塊設(shè)計(jì)應(yīng)用等方向投資并購(gòu)國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

Source：公告截圖

華為哈勃投資

值得注意的是，2020年7月，東微半導(dǎo)獲得了華為哈勃的投資。

Source：企查查

同年12月，江蘇監(jiān)管局披露了東微半導(dǎo)輔導(dǎo)備案信息。其保薦機(jī)構(gòu)為中金公司，于2020年12月18日進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案。

Source：江蘇監(jiān)管局截圖

關(guān)于東微半導(dǎo)

據(jù)悉，東微半導(dǎo)成立于2008年，是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型的國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商。產(chǎn)品主要有高壓GreenMOS系列、中低壓SGTMOS系列、IGBT系列三大系列產(chǎn)品，公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以新能源汽車(chē)直 流充電樁、5G 基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源為代表的工 業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，以及以 PC 電源、適配器、TV 電源板、手機(jī)快速充電器為代表的消費(fèi) 電子應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)，公司不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了超級(jí)硅 MOSFET、 TGBT 等新產(chǎn)品。

據(jù)6月17日，東微半導(dǎo)發(fā)布招股說(shuō)明書(shū)中顯示，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入構(gòu)成情況如下：

Source：公告截圖

東微半導(dǎo)表示，未來(lái)，公司將持續(xù)開(kāi)發(fā)更多新型高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，致力于成為國(guó)際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商。

（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究 Amber）