宜特晶片電路修補(bǔ)技術(shù)跨入5nm制程

宜特日前宣布其IC晶片F(xiàn)ocus Ion Beam(FIB)電路修補(bǔ)技術(shù)達(dá)5nm制程，這是從2018年首度完成7nm制程的樣品后，再次挑戰(zhàn)更先進(jìn)制程的電路修補(bǔ)，并成功協(xié)助客戶優(yōu)化晶片效能，加速產(chǎn)品上市。先進(jìn)制程的開發(fā)成本越趨昂貴、晶圓產(chǎn)能短缺交期更長，即使電路模擬軟體(如EDA工具)的輔助設(shè)計不斷提升，仍無法確保晶片成品能百分之百達(dá)到設(shè)計目標(biāo)，一旦發(fā)現(xiàn)電路瑕疵只能再次進(jìn)行光罩改版；然而光罩價格不斐，且重新下光罩后，等待修改過后的晶片時間通常超過一個月，因此，多數(shù)IC設(shè)計業(yè)者會選擇IC電路修補(bǔ)，只需幾個小時內(nèi)即可完成修改，確保電路設(shè)計符合預(yù)期，并降低時間及金錢的成本耗損。

電路修改最常使用的工具為FIB聚焦離子束電子顯微鏡，是利用鎵(GA+)離子源透過電場牽引成離子束，高速碰撞樣品表面產(chǎn)生二次離、電子收集后成像；而離子轟擊過程中利用注入不同氣體，對晶片上各種材料選擇性地加速或減緩蝕刻，以及沉積導(dǎo)電和介電絕緣材料，達(dá)到修改電路的目的，搭配CAD導(dǎo)航系統(tǒng)輔助，淮確的定位目標(biāo)，提高電路修補(bǔ)精淮度。

宜特是中國臺灣首家執(zhí)行FIB電路修補(bǔ)的民營實驗室，翻轉(zhuǎn)IC設(shè)計業(yè)以往的驗證模式，大幅縮短IC設(shè)計公司從概念設(shè)計到量產(chǎn)上市時間并節(jié)省研發(fā)經(jīng)費(fèi)。宜特目前的電路修補(bǔ)技術(shù)不僅可完成5nm晶背電路修補(bǔ)外，今年更引進(jìn)的最新設(shè)備，其影像解析度更由4.5nm提升至3.5nm，提高深層、微小線徑及複雜電路修補(bǔ)的成功率，并且其介電材料有更高的電阻率(1E15 uΩ-cm)，可強(qiáng)化絕緣效果。

路徑追蹤示意圖，假設(shè)此先進(jìn)製程為 9M+AP，從晶片正面(Front side) 施工M4，需要穿過6層金屬層(Metal： AP~M5) 難度高；宜特FIB電路修補(bǔ)實驗室改由晶背(Back side)方向，僅需穿過Active Area (AA)層，并簡化內(nèi)容在M1施工，大幅提升先進(jìn)製程電路修補(bǔ)的成功率。