148
DRAM價(jià)格回補(bǔ)1本周DRAM現(xiàn)貨市場買氣疲弱，多半工廠大致備有近2個(gè)月庫存，在終端需求不明情況下，買家皆持觀望態(tài)度，DDR3及DDR4部分容量顆粒因先前跳漲過快，價(jià)格出現(xiàn)回補(bǔ)，不過整體DRAM顆粒供貨仍是吃緊，預(yù)期未來價(jià)格可望維持高檔態(tài)勢。
DDR4 1Gx8 2400/2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC價(jià)格稍有下跌，來到USD5.10左右，CJR-VKC下跌至USD4.95左右；Samsung WC-BCTD現(xiàn)貨報(bào)價(jià)為USD6.17附近，WB-BCRC價(jià)格下修來到USD4.25~4.30，AFR-UHC落在USD4.3x左右。
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC由于現(xiàn)貨量短缺，價(jià)格高漲，約落在USD3.65~3.80。
DDR4 512x16 2400/2666部分，SK Hynix CJR-VKC報(bào)價(jià)在USD5.40；Samsung WC-BCTD報(bào)價(jià)下修至USD6.25，WB-BCRC價(jià)格為USD6.20~6.30。
DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC報(bào)價(jià)在USD3.18~3.20。
模組現(xiàn)貨價(jià)格參考：
KST DDR3 2G 1600/1866 $14.00KST DDR3 4G 1600/1866 $25.00KST DDR3 8G 1600/1866 $48.00KST DDR4 4G 2666 $22.50KST DDR4 8G 2666 $39.50 KST DDR4 16G 2666 $76.50KST DDR4 32G 2666 $150.25KST DDR4 4G 3200 $22.75KST DDR4 8G 3200 $40.50KST DDR4 16G 3200 $78.25KST DDR4 32G 3200 $153.75
NAND Flash市場價(jià)格波動(dòng)2
本周NAND Flash整體動(dòng)能仍受SSD短缺及eMMC急速拉抬影響，市場價(jià)格相對波動(dòng)。成卡報(bào)價(jià)雖微幅向上調(diào)整，但因終端接受價(jià)格有限，且大多受交期制約，實(shí)際成交量無法放大延續(xù)，導(dǎo)致現(xiàn)貨wafer交易情況不甚理想，成交價(jià)格略顯疲軟，連帶影響顆粒報(bào)價(jià)回檔修正。
但在Kioxia供貨短缺，急單拉抬下，SLC盤勢出現(xiàn)較明顯上漲，且成交價(jià)格逐步攀升；MLC顆粒部分亦受到Kioxia高容量品項(xiàng)拉抬，盤勢積極走揚(yáng)；反觀TLC部分，表現(xiàn)則較為振蕩，但在周四eMMC顆粒有低價(jià)到貨消息釋出，部分現(xiàn)貨商積極出售獲利了結(jié)，價(jià)格波動(dòng)影響市場報(bào)價(jià)漲幅趨緩，實(shí)際交易量轉(zhuǎn)為保守。
其中，Samsung SLC顆粒受到Kioxia供貨短缺影響，部分詢單轉(zhuǎn)向2G顆粒，互相拉抬下，盤勢略為走揚(yáng)，但部分交易仍受限于品牌報(bào)價(jià)偏高，最終交易情況仍受局限。
SK Hynix SLC顆粒報(bào)價(jià)受大盤影響，2G/4G低價(jià)部位皆有詢單釋出，現(xiàn)貨供應(yīng)量不足，賣方報(bào)價(jià)大幅跳空，買家接受度有限，僅在4G低價(jià)部位有零星成交。
Micron SLC顆粒報(bào)價(jià)隨盤勢走揚(yáng)，但其實(shí)詢單需求不如預(yù)期，盤勢微幅振蕩后趨緩。
Kioxia SLC顆粒原廠端供貨吃緊，現(xiàn)貨急單涌現(xiàn)，整體盤勢大幅跳空，相對低價(jià)部位有些許成交，但大多仍受限于現(xiàn)貨量不足，實(shí)際成交量無法放大。
TF卡成交量縮減3本周TF卡表現(xiàn)持續(xù)冷清，整體需求力道依然不足，買家持續(xù)保持觀望態(tài)度，市場報(bào)價(jià)稍有增加，整體價(jià)格呈現(xiàn)下滑趨勢，買價(jià)始終偏低，整體成交量有所縮減。
以下為OEM廠商、Kioxia以及SandDisk各自在本周的報(bào)價(jià)表現(xiàn)。
