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近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計劃用于加強尖端DRAM供應能力。兩個月時間里，美國芯片法案補貼計劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進展。
存儲大廠獲美補貼61.65億美元，加強尖端DRAM供應能力
12月10日，美國宣布，美國商務部根據(jù)《芯片與科學法案》激勵計劃，向美國存儲芯片大廠美光科技提供高達61.65億美元的直接資金資助，以支持美光科技未來20年內在紐約州投資1000億美元和在愛達荷州投資250億美元的產能建設計劃，并將幫助其在先進存儲制造領域的份額從目前的不到2%提高到2035年的約10%。據(jù)悉，商務部將根據(jù)美光項目里程碑的完成情況發(fā)放資金。此外，美國還宣布，商務部已與美光科技簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，擬撥款高達2.75億美元，用于支持美光擴建和現(xiàn)代化位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。
美國商務部表示，這項投資將通過加強國內尖端DRAM芯片的可靠供應，來幫助增強美國經濟的韌性，上述國內尖端DRAM芯片是個人計算、工業(yè)、高性能計算、汽車、工業(yè)、無線通信和人工智能等先進技術的重要組成部分。另外美光的DRAM芯片還為該公司的高性能內存（HBM）提供動力，這對于實現(xiàn)新的AI模型至關重要。利用這筆資金，美光計劃在紐約和愛達荷州擴大最先進內存半導體技術的開發(fā)和生產，并承諾在2030年前投入約500億美元。
廠房建設的進一步細節(jié)也隨之披露，擬議項目將包括把美光的1-alpha技術引入其馬納薩斯工廠，并顯著提高每月晶圓產量。公開資料顯示，美光的1-alpha節(jié)點是一種先進的DRAM工藝技術，在位密度、功率效率和性能方面都有顯著的改進。
除美光外，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，美國政府在近兩個月內接連宣布了多項芯片補貼計劃，涉及企業(yè)包括Coherent、Skywater Technology Foundry、X-Fab、Absolics、Entegris、英特爾、格芯、臺積電等。
存儲市場加速迭代，產業(yè)鏈加快調整適配明年新發(fā)展
另外，近期三星、Marvell、鎧俠等相繼釋放了最新市場動態(tài)，其中SK海力士新設AI芯片開發(fā)和量產部門；鎧俠敲定發(fā)行價，SK海力士有望成為第三大股東；三星實現(xiàn)閃存技術革新，或計劃明年增加先進存儲產量；Marvell則推出定制HBM計算架構。
鎧俠敲定發(fā)行價
鎧俠將在12月18日于東京證券交易所IPO上市，12月9日，鎧俠宣布，IPO每股發(fā)行價確定為1455日元。鎧俠在11月22日獲得東證上市許可時、所設定的預估發(fā)行價為1390日元，在根據(jù)投資人需求以及當前的市場環(huán)境后，將發(fā)行價提高至1455日元。
根據(jù)鎧俠向金融廳提交的資料顯示，在鎧俠上市后，其大股東美國投資基金貝恩資本將出售1265萬1200股鎧俠股票、股票出售數(shù)較11月22日公布的數(shù)量(1444萬7400股)減少12%。原先貝恩資本對鎧俠的出資比重預估將從現(xiàn)行的56%降至51%，但因貝恩資本縮減出售數(shù)、預估將降至52%；東芝也將出售3772萬8900股、出資比重將從41%降至32%。
Marvell推出定制HBM計算架構
12月10日，Marvell宣布推出一種新的定制HBM計算架構，使XPU能夠實現(xiàn)更高的計算和內存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正與云客戶和領先的HBM制造商美光、三星電子和SK海力士合作，為下一代XPU定義和開發(fā)定制HBM解決方案。
據(jù)悉，Marvell定制的HBM計算架構通過其獨特的HBM I/O接口設計，與標準HBM接口相比，可提高性能并將接口功耗降低高達70%。該架構還將傳統(tǒng)的HBM支持電路從XPU邊緣轉移至HBM堆棧底部的基礎裸片上，這一改變使得XPU芯片能夠節(jié)省出最多25%的面積，用于計算能力的進一步擴展；另外，單一XPU所能連接的HBM堆棧數(shù)量也實現(xiàn)了最高33%的增長。這些改進提高了XPU的性能和能效，同時降低了云運營商的總擁有成本。
三星完成400層NAND技術研發(fā)，或計劃明年增加先進存儲產量
據(jù)韓媒報道，近期半導體存儲大廠三星已完成400層NAND技術研發(fā)，并已于上月開始將這項先進技術轉移到平澤園區(qū)一號工廠的大規(guī)模生產線上。據(jù)悉，三星計劃于明年2月披露其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash快閃存儲器。至于量產時間則落在明年下半年開始。不過，有業(yè)內人士指出，如果加快生產速度，可能在第二季度末就開始量產。
值得注意的是，三星為400層NAND引入了“三層堆疊”技術。報道稱，三星400層NAND Flash快閃存儲器的成功研發(fā)，代表著NAND閃存技術的重大飛躍，該技術涉及將存儲單元堆疊在三層，也標志著三星電子在該領域的重大進步。
除了技術研發(fā)取得重大進展外，三星電子還計劃在2025年增加其先進存儲器產品線的產量。包括在平澤園區(qū)安裝新第9代（286層堆疊）的NAND Flash快閃存儲器生產設施，月產能為3萬-4萬片晶圓。此外，三星還計劃在中國西安工廠，繼續(xù)將128層堆疊（V6）NAND Flash快閃存儲器生產線，轉換為236層堆疊（V8）NAND Flash快閃存儲器產品制程。
SK海力士新設AI芯片開發(fā)和量產部門
12月5日，SK海力士宣布完成2025年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了1位總裁、33位新高管及2位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括AI基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。
據(jù)介紹，新設的AI芯片開發(fā)部門整合了DRAM、NAND和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等未來技術，旨在促進公司整體的技術協(xié)同。新設的量產部門將統(tǒng)籌前端與后端內存生產，以推動技術工藝協(xié)同，并支持包括龍仁半導體集群在內的新工廠建設。公司還加強了全球事務團隊，新增多名外交和貿易領域的專家，以應對地緣政治形勢和全球主要半導體政策。
