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投產(chǎn)項目
1、中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地
2020 年 3 月 3 日，中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地一期項目投產(chǎn)。
項目于 2019 年 4 月 1 日開工建設， 9 月 26 日封頂。建筑面積 2.7 萬平方米，能容納 600 臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測能力，可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能。
自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專用設備研發(fā)領域的技術優(yōu)勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內(nèi)最早實現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。
2、積塔 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線
3 月，積塔半導體的 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線正式測通線運行。
開工項目
1、天和通訊（徐州）第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地項目
1 月，總投資達到 60 億元天和通訊（徐州）第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地舉行了開工儀式。
該項目主要從事第三代半導體硅基氮化鎵高性能芯片和器件的全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)。項目全面達產(chǎn)后，可年產(chǎn) 33 密耳、55 密耳、70 密耳芯片 200 億顆及各類 5G 芯片共約 10 億顆。
2、綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目
2020 年 2 月 21 日，投資 20 億元的綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目在山東淄博高新區(qū)開工。
項目建設的 6 英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，，主要從事大功率分立器件、芯片系列產(chǎn)品的設計、制造，以及功率模塊應用、制造流程的研發(fā)
3、博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目
2020 年 3 月 3 日，投資 25 億元的嘉興博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工啟動。
項目一期建設 6 英寸兼容 4 英寸氮化鎵生產(chǎn)線，設計月產(chǎn)能為 1000 片氮化鎵射頻晶圓；二期建設 6 英寸兼容 4 英寸氮化鎵生產(chǎn)線和外延片生產(chǎn)線，設計月產(chǎn)能為 3000 片氮化鎵射頻晶圓、月產(chǎn)能 20000 片氮化鎵功率晶圓。
簽約項目
1、高啟電子氮化鎵外延片項目
1 月 18 日，第三代半導體外延片生產(chǎn)線項目簽約。項目由許昌高啟電子科技有限責任公司投資，以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導體領域最前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。
許昌高啟電子科技有限責任公司成立于 2019 年 12 月 30 日，注冊資本 3 億元，董事長徐志成。
2、泰科天潤運營總部及碳化硅器件生產(chǎn)基地項目
2 月，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司和中關村科技園區(qū)順義園管理委員會簽訂項目入?yún)^(qū)協(xié)議。公司將整體遷入順義區(qū)，在臨空國際板塊占地 20 畝，總投資 4 億元，建設運營總部及應用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領域的碳化硅器件生產(chǎn)基地，項目建設期 2 年。
3、徐州碳化硅功率半導體模塊封測及封裝材料研發(fā)項目
2020 年 2 月 17 日，投資 3 億元的碳化硅功率半導體模塊封測及封裝材料研發(fā)項目簽約江蘇徐州高新區(qū)。項目主要從事碳化硅（SiC）功率半導體模塊的封測，研發(fā)生產(chǎn)耐高溫、耐腐蝕的先進封裝材料，一期項目建成投產(chǎn)后，年產(chǎn)碳化硅模塊約 20 萬只；二期項目建成投產(chǎn)后，可年產(chǎn)碳化硅模塊約 50 萬只。
4、海寧碳化硅材料研發(fā)及制造項目
2020 年 2 月 21 日，投資 2 億美元碳化硅材料研發(fā)及制造項目簽約浙江海寧。項目主要從事炭化硅材料研發(fā)及制造。
5、吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目
2020 年 2 月 21 日，投資 37 億元的吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目簽約江蘇無錫。項目主要進行 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及 GaN-On-GaN 功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。
吳越半導體成立于 2019 年 3 月 13 日，注冊資金 588 萬元。
6、合肥世紀金光產(chǎn)業(yè)化項目
3 月，合肥產(chǎn)投資本管理的語音基金與北京世紀金光半導體有限公司簽署投資協(xié)議并完成首期出資，在合肥高新區(qū)投資建設 6 英寸碳化硅單晶生長及加工項目。這是合肥首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)項目。
北京世紀金光半導體有限公司成立于 2010 年，總部位于北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，是國家大基金在第三代半導體領域投資的重點企業(yè)之一，2018 年 6 月，大基金投資 2957 萬元，持股 10.55%。
7、同光晶體碳化硅單晶襯底項目
3 月 22 日，河北同光晶體有限公司年產(chǎn) 10 萬片碳化硅單晶襯底項目簽約淶源。項目主要生產(chǎn)直徑 4-6 英寸碳化硅單晶襯底。
河北同光晶體有限公司成立于 2012 年，位于保定市高新技術開發(fā)區(qū)，主要從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。公司主要產(chǎn)品包括 4 英寸和 6 英寸導電型、半絕緣碳化硅襯底。
