芯品速遞，Design Compiler、STM32L0系列MCU以及全SiC功率模塊出新品

一手新鮮，給你帶來最新的電子行業(yè)產(chǎn)品信息。本期帶來三款產(chǎn)品：下一代 Design Compiler、STM32L0 超值系列 MCU 以及全 SiC 功率模塊。

1、新思科技推出下一代 Design Compiler，進(jìn)一步強(qiáng)化 Synthesis 領(lǐng)先地位

制造商：新思科技

描述：Design Compiler NXT 通過創(chuàng)新性的核心技術(shù)同時(shí)滿足了諸如人工智能（AI）、云計(jì)算、5G 和自動(dòng)駕駛等半導(dǎo)體市場對更小體積、更高性能、更低功耗的集成電路（IC）的需求，以及對研發(fā)周期越來越高的要求。

特點(diǎn)：
Design Compiler NXT 采用創(chuàng)新、高效的優(yōu)化引擎，可將運(yùn)行速度提升 2 倍，并提供基于云計(jì)算的分布式綜合（synthesis）技術(shù)，從而進(jìn)一步加快運(yùn)行速度。
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支持先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，通過平臺化的通用庫以及與 IC Compiler II 校準(zhǔn)的 RC 寄生參數(shù)提取，實(shí)現(xiàn)在 5nm 以及更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下極為緊密的相關(guān)一致性。
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全新的時(shí)序和功耗優(yōu)化擴(kuò)展了 Design Compiler 的 QoR 優(yōu)勢，這對于高性能和低功耗設(shè)計(jì)至關(guān)重要。
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Design Compiler NXT 能夠即插即用，與 Design Compiler Graphical 具有用戶界面和腳本的兼容性。

適用范圍：用于開發(fā)先進(jìn) SoC 和 MCU 芯片的核心軟件。?

2、意法半導(dǎo)體全新 STM32L0 超值系列 MCU，讓市場領(lǐng)先的超低 功耗 MCU 產(chǎn)品家族更具親和力

制造商：意法半導(dǎo)體

描述：一款價(jià)格親民的入門級產(chǎn)品，為飽受成本、尺寸或功率限制的設(shè)計(jì)人員帶來超低功耗技術(shù)和高效的 32 位性能以及 Arm?Cortex?-M0 +內(nèi)核。

特點(diǎn)：
STM32L0x0 片上集成高達(dá) 128KB 的閃存、20KB SRAM 和 512B 硬件嵌入式 EEPROM，為客戶節(jié)省外部元器件的占用，減少電路板空間，降低物料清單成本；

低泄漏電流節(jié)能技術(shù)和各種產(chǎn)品功能特性，如低功耗 UART、低功耗定時(shí)器、41μA 10ksample/s ADC，以及僅為 5μs 的省電模式喚醒時(shí)間，讓宏偉的能源管理目標(biāo)變得觸手可及。

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供貨情況：STM32L0x0 超值系列有六款新產(chǎn)品，為客戶提供多種存儲(chǔ)容量選擇，包括 16KB、64KB 或 128KB 的閃存，128B、256B 或 512B 的 EEPROM，還有多種封裝可選。目前，STM32 產(chǎn)品家族共有 800 多款產(chǎn)品，提供各種內(nèi)核性能和集成功能。

STM32L0x0 超值系列微控制器現(xiàn)已投產(chǎn)，有 16 KB 閃存和 128B EEPROM 的配置。

3、ROHM 推出 1700V 250A 全 SiC 功率模塊
制造商：ROHM

描述：面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級可靠性的額定值保證 1700V 250A 的全 SiC 功率模塊“BSM250D17P2E004”。

特色：
1. 在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級的可靠性
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通過采用新涂覆材料作為芯片的保護(hù)對策，并引進(jìn)新工藝方法，使新模塊通過了 HV-H3TRB 高溫高濕反偏試驗(yàn)，從而使 1700V 耐壓的產(chǎn)品得以成功走向市場。
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比如在高溫高濕反偏試驗(yàn)中，比較對象 IGBT 模塊在 1,000 小時(shí)以內(nèi)發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿，而 BSM250D17P2E004 在 85℃／85%的高溫高濕環(huán)境下，即使施加 1360V 達(dá) 1,000 小時(shí)以上，仍然無故障，表現(xiàn)出極高的可靠性。

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2. 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能，有助于設(shè)備進(jìn)一步節(jié)能
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新模塊中使用的是 ROHM 產(chǎn)的 SiC SBD 和 SiC MOSFET。通過 SiC SBD 和 SiC MOSFET 的最佳組合配置，使導(dǎo)通電阻低于同等普通產(chǎn)品 10%，這將非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。

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＜SiC 功率模塊的產(chǎn)品陣容＞

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供貨情況：本模塊已于 2018 年 10 月開始投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為 ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡），后期工序的生產(chǎn)基地為 ROHM 總部工廠（日本京都）。