RF功率市場擺脫低潮，GaN技術(shù)接班LDMOS

如今，電子業(yè)正邁向 4G 的終點(diǎn)、5G 的起點(diǎn)。 后者發(fā)展上仍有不少進(jìn)步空間，但可以確定，新一代無線電網(wǎng)絡(luò)勢(shì)必需要更多組件、更高頻率做支撐，可望為芯片商帶龐大商機(jī) -- 特別是對(duì) RF 功率半導(dǎo)體供貨商而言。 對(duì)此，市研機(jī)構(gòu) Yole 于 7 月發(fā)布「2017 年 RF 功率市場與科技報(bào)告」指出，RF 功率市場近期可望由衰轉(zhuǎn)盛，并以將近二位數(shù)的年復(fù)合成長率（GAGR）迅速成長；同時(shí)，氮化鎵（GaN）將逐漸取代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS），成為市場主流技術(shù)。

拜電信基站升級(jí)、小型基地臺(tái)逐漸普及所賜，RF 功率市場可望脫離 2015 年以來的低潮，開始蓬勃發(fā)展 -- 報(bào)告指出，整體市場營收到 2022 年底則有望暴增 75%之多，2016~2022 年間 CAGR 將達(dá) 9.8%；其中，占電信基礎(chǔ)設(shè)施近一半比重的基站、無線回程網(wǎng)絡(luò)等相關(guān)組件，同一時(shí)段 CAGR 各為 12.5%、5.3%。 再者，鑒于效能較高、體積較小且穩(wěn)定性較佳，砷化鎵（GaAs）、GaN 等固態(tài)技術(shù)將在國防應(yīng)用上逐漸取代真空管，提供 RF 功率組件更多發(fā)展機(jī)會(huì)。 Yole 預(yù)期，此部分營收至 2022 年將成長 20%，2016~2022 年間 CAGR 達(dá) 4.3%。

技術(shù)方面，受與日俱增的信息流量、更高操作頻率與帶寬等需求驅(qū)使，GaN 組件使用越來越普遍，正于電信大型基站、雷達(dá) / 航空用真空管與其它寬帶應(yīng)用上取代 LDMOS 組件，現(xiàn)已占據(jù)整體 20%營收以上。 針對(duì)未來網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，Yole 表示，GaN 之于載波聚合（CA）、多輸入多輸出（MIMO）等新科技，效能與帶寬上雙雙較 LDMOS 具優(yōu)勢(shì)。 此外，得力于在行動(dòng)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)發(fā)展得當(dāng)，GaAs 技術(shù)已成熟到能進(jìn)入市場，可望在國防、有線電視等應(yīng)用上穩(wěn)占一席之地。

此報(bào)告估計(jì)，GaN 將于未來 5~10 年成為 3W 以上 RF 功率應(yīng)用的主流技術(shù)，GaAs 基于其穩(wěn)定性與不錯(cuò)的性價(jià)比，也得以維持一定比重；至于 LDMOS 部分則將繼續(xù)衰退，市場規(guī)模跌至整體 15%，然考慮到其高成熟性與低成本等，短期內(nèi)在 RF 功率市場仍不至面臨淘汰。

伴隨 RF 功率組件發(fā)展趨勢(shì)日漸明朗，各家大廠開始有所動(dòng)作、搶爭新世代科技的主導(dǎo)權(quán)：主流 LDMOS 供貨商包括恩智浦（NXP）、安譜?。ˋmpleon）、英飛凌（Infineon）等，正嘗試透過外部代工獲取 GaN 技術(shù)；傳統(tǒng) GaAs 廠商亦紛紛開始著重投資在此，少部分已成功將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn) GaN、在市場拔得頭籌；至于純 GaN 供貨商如科銳（Cree ）旗下之 Wolfspeed，一方面為 LDMOS 大廠供應(yīng)相關(guān)組件、壯大市場，一方面則努力確保自身在 GaN 技術(shù)發(fā)展的領(lǐng)先地位。

據(jù) Yole 指出，待 GaN 組件成為主流，掌握 GaN 市場的廠商將取代 LDMOS 主力廠商，成為 RF 功率市場領(lǐng)導(dǎo)者 -- 現(xiàn)階段除 Wolfspeed，該領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)廠商幾乎都是由 GaAs 廠商轉(zhuǎn)進(jìn)。 就近期包括 Infineon 收購 Wolfspeed 受阻于美國政府、和康電訊（M/A-COM）與 Infineon 間的訴訟等相關(guān)事件來看，該領(lǐng)域的競爭似乎也日趨白熱化。

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