如何測量晶圓表面金屬離子的濃度？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學(xué)員問：在晶圓清洗后，我們?nèi)绾螠y量晶圓表面的金屬離子是否洗干凈？

金屬離子濃度為什么要嚴(yán)格控制？

金屬離子在電場作用下容易發(fā)生遷移。如Li?，Na?、K?等可遷移到柵氧化層，導(dǎo)致閾值電壓下降。詳見之前的文章：<芯片制造中的MIC要格外注意>

常用的檢測晶圓表面金屬離子的儀器？

全反射 X 射線熒光光譜儀，英文簡稱TXRF。

X射線熒光是什么？

當(dāng)X射線照射樣品時，樣品原子吸收X射線的能量，使原子的內(nèi)層電子被激發(fā)到更高能級，原有位置形成空穴。而外層電子會躍遷至內(nèi)層空穴，在躍遷過程中，多余的能量以特定波長的X射線形式釋放。通過檢測這些X射線，可以確定元素的種類和含量。

什么叫全反射？

TXRF 的X 射線會以極低的入射角照射樣品表面，X 射線的穿透深度僅有幾個nm，即全部反射，大大減少了背景信號干擾，因此可檢測低至 ppb級別的痕量金屬污染。TXRF的優(yōu)勢？1，靈敏度高2，非破壞性3，快速檢測，一般只要幾分鐘4，全晶圓分析
5，可以分析多種襯底，例如 Si、SiC、GaAs、InP、藍(lán)寶石、玻璃等

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