加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

AMEYA360:士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

08/05 06:30
701
閱讀需 2 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

天眼查顯示,杭州士蘭微電子股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“MEMS器件及其制造方法”的專利,授權(quán)公告號(hào)為CN109665488B,授權(quán)公告日為2024年7月19日,申請(qǐng)日為2018年12月29日。

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

本申請(qǐng)公開了一種MEMS器件及其制造方法。該制造方法包括:形成CMOS電路;以及在CMOS電路上形成MEMS模塊,CMOS電路與MEMS模塊連接,用于驅(qū)動(dòng)MEMS模塊,其中,形成MEMS模塊的步驟包括:形成保護(hù)層;在保護(hù)層中形成犧牲層;在保護(hù)層與犧牲層上形成第一電極,并形成第一電極與CMOS電路之間的電連接,第一電極覆蓋犧牲層;在第一電極上形成壓電層,壓電層與犧牲層的位置對(duì)應(yīng);在壓電層上形成第二電極,并形成第二電極與CMOS電路之間的電連接;在第一電極上或保護(hù)層形成到達(dá)犧牲層的通孔;以及經(jīng)由通孔除去犧牲層形成空腔。該方法制造的MEMS器件靈敏度高同時(shí)又顯著降低制造成本和改善工藝兼容性。

 

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
2SS52M-S 1 Honeywell Sensing and Control Magnetoresistive Sensor, 0.4mT Min, 2.5mT Max, 20mA, Plastic/epoxy, Rectangular, 3 Pin, Through Hole Mount, PLASTIC, 3 PIN
$4.32 查看
ACS770ECB-200U-PFF-T 1 Allegro MicroSystems LLC Hall Effect Sensor, BICMOS, Plastic/epoxy, Rectangular, 5 Pin, Through Hole Mount, PACKAGE-5

ECAD模型

下載ECAD模型
$7.18 查看
HMC5883L-T 1 Honeywell Sensing and Control Magnetic Field Sensor, MAGNETIC FIELD SENSOR-MAGNETORESISTIVE

ECAD模型

下載ECAD模型
暫無數(shù)據(jù) 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜