時(shí)隔37年，臺(tái)積電開(kāi)啟“晶圓代工2.0”時(shí)代！

7月18日，晶圓代工大廠臺(tái)積電公布了由于市場(chǎng)預(yù)期的2024年第二季財(cái)報(bào)，上調(diào)了2024年全年?duì)I收目標(biāo)及資本支出目標(biāo)，并提出了全新的“晶圓代工2.0”概念。這也是臺(tái)積電開(kāi)創(chuàng)了晶圓代工產(chǎn)業(yè)37年之后，再度定義了“晶圓代工”。

開(kāi)啟“晶圓代工2.0”時(shí)代

在二季度的法說(shuō)會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家提出了“晶圓代工2.0”概念，認(rèn)為“晶圓代工2.0”是包括封裝、測(cè)試、光罩制作及不含存儲(chǔ)芯片制造的IDM產(chǎn)業(yè)，對(duì)于晶圓代工產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了重新定義。

眾所周知，作為晶圓代工產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)造者。1985年，張忠謀從德州儀器離職后，受中國(guó)臺(tái)灣方面邀請(qǐng)出任中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院院長(zhǎng)。隨后在1987年，張忠謀在當(dāng)?shù)氐闹С窒?，在新竹科學(xué)園區(qū)正式創(chuàng)建了全球第一家專業(yè)的晶圓代工企業(yè)——臺(tái)積電。

臺(tái)積電在成立之后，一直是專注于晶圓代工業(yè)務(wù)，并持續(xù)引領(lǐng)了這個(gè)市場(chǎng)，成為了晶圓代工產(chǎn)業(yè)的絕對(duì)龍頭，其今年一季度在晶圓代工市場(chǎng)的份額高達(dá)61.7%。

但是過(guò)去的“晶圓代工”的概念僅局限于“晶圓制造生產(chǎn)代工”，但如今，隨著芯片制造越來(lái)越復(fù)雜，晶圓代工廠也早已脫離原本單純的晶圓制造代工范疇，整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)際上還包括了封裝、測(cè)試、光罩制作與其他部分。比如，現(xiàn)在的很多的AI芯片和高性能計(jì)算芯片，臺(tái)積電不僅提供了光罩制作、晶圓制造服務(wù)，還提供了先進(jìn)封裝以及測(cè)試服務(wù)。另外一些IDM廠商也有開(kāi)始對(duì)外提供晶圓代工服務(wù)器。這實(shí)際上已經(jīng)突破了原有的對(duì)于晶圓廠代工、外包封測(cè)廠和IDM的定義。

對(duì)于重新定義晶圓代工的原因，臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨發(fā)言人黃仁昭也解釋稱，提出“晶圓代工2.0”是因?yàn)楝F(xiàn)在一些IDM廠商也要介入代工市場(chǎng)，晶圓代工界線逐漸模糊，故擴(kuò)大了晶圓制造產(chǎn)業(yè)初始定義到“晶圓制造2.0”。

黃仁昭強(qiáng)調(diào)，“晶圓制造2.0”包括封裝、測(cè)試、光罩制作與其他，以及所有除存儲(chǔ)芯片外的整合元件制造商（IDM），這樣定義更完整。在臺(tái)積電看來(lái)，新定義更能反映臺(tái)積電不斷擴(kuò)展的市場(chǎng)機(jī)會(huì)（addressable market）。但是臺(tái)積電只會(huì)專注最先進(jìn)后段封測(cè)技術(shù)，這些技術(shù)將幫助臺(tái)積電客戶制造前瞻性產(chǎn)品?！?/p>

顯然，臺(tái)積電提出“晶圓制造2.0”定義，是為了更好的利用自身的先進(jìn)封裝能力來(lái)拓展市場(chǎng)。

按照原有“晶圓代工”定義，2023年市場(chǎng)規(guī)模為1,150億美元。但根據(jù)新的“晶圓制造2.0”定義，2023年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)規(guī)模近2500億美元。雖然臺(tái)積電今年一季度的市占率已經(jīng)高達(dá)61.7%，但是按照新的“晶圓代工2.0”定義，臺(tái)積電自己計(jì)算2023年晶圓代工業(yè)務(wù)市占率僅為28%。

對(duì)此，魏哲家也表示，今年市這一市占率會(huì)進(jìn)一步成長(zhǎng)，并且在新的“晶圓代工2.0”定義下，今年晶圓代工產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)10%。

臺(tái)積電二季度營(yíng)收同比大漲40.1%

臺(tái)積電二季度合并營(yíng)收約新臺(tái)幣6,735.1億元，同比大幅增長(zhǎng)40.1%，超出了市場(chǎng)預(yù)期的新臺(tái)幣6,581.4億元；毛利率為53.2%，超出了市場(chǎng)預(yù)期的52.6%；稅后凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)36.3%至新臺(tái)幣2,478.5億元，超出了市場(chǎng)預(yù)期的新臺(tái)幣2350億元；每股EPS為9.56元（折合美國(guó)存托憑證每單位為1.48美元）。與第一季相較，2024年第二季營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)13.6%，稅后凈利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)9.9%。

如果以美元計(jì)算，臺(tái)積電2024年第二季營(yíng)收為208.2億美元，同比增長(zhǎng)32.8%，環(huán)比增長(zhǎng)10.3%。2024年第二季毛利率為53.2%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為42.5%，稅后凈利潤(rùn)率為36.8%。

此前臺(tái)積電在一季度法說(shuō)會(huì)上給出的二季度財(cái)測(cè)目標(biāo)是，二季度營(yíng)收為196億至204億美元，較第一季增加4%~8%，毛利率51%~53%，營(yíng)業(yè)利益率為40%~42%。以1美元兌換新臺(tái)幣32.3元匯率基礎(chǔ)計(jì)算，營(yíng)收6,330.8億至6,589.2億元，較第一季增加6.8%~11.2%。

顯然，臺(tái)積電第二季度的各項(xiàng)業(yè)績(jī)均超出了之前的財(cái)測(cè)目標(biāo)，也優(yōu)于市場(chǎng)的預(yù)期，并且營(yíng)收還創(chuàng)下同期歷史新高。

3nm營(yíng)收占比升至15%

從各制程工藝的營(yíng)收占比來(lái)看，二季度臺(tái)積電來(lái)自7nm及以下先進(jìn)制程的營(yíng)收占比高達(dá)67%，相比今年一季度提升了2個(gè)百分點(diǎn)。其中，3nm制程的營(yíng)收占比相比一季度也提升了6個(gè)百分點(diǎn)至15%，而這主要得益于蘋(píng)果去年推出A17 Pro系列處理器，以及M4系列處理器和即將推出的A18系列處理器。另外，5nm占比為35%，環(huán)比減少2個(gè)百分點(diǎn)；7nm占比為17%，環(huán)比下滑2個(gè)百分點(diǎn)。

從各終端應(yīng)用來(lái)源貢獻(xiàn)的營(yíng)收占比來(lái)看，智能手機(jī)占比33%（環(huán)比減少了5個(gè)百分點(diǎn)），金額環(huán)比減少1%；高性能計(jì)算占比52%（環(huán)比增長(zhǎng)6個(gè)百分點(diǎn)），金額環(huán)比大漲28%；物聯(lián)網(wǎng)占比6%（環(huán)比持平），金額環(huán)比增長(zhǎng)5%；車用電子占比5%（環(huán)比下滑1個(gè)百分點(diǎn)），金額環(huán)比增長(zhǎng)5%；消費(fèi)類電子占比2%（環(huán)比持平），金額環(huán)比增長(zhǎng)20%。

臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨發(fā)言人黃仁昭指出，臺(tái)積電2024年第二季業(yè)績(jī)雖部分受智能手機(jī)季節(jié)性影響，仍受益于市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積電3nm和5nm強(qiáng)勁需求。

三季度營(yíng)收預(yù)計(jì)224億至232億美元

對(duì)于第三季度業(yè)績(jī)目標(biāo)，臺(tái)積電表示，以美元計(jì)價(jià)，營(yíng)收將落在224億至232億美元，較第二季度環(huán)比增加7.5%，毛利率為53.5%~55.5%。以1美元兌換新臺(tái)幣32.5美元基礎(chǔ)計(jì)算，營(yíng)收金額約新臺(tái)幣7,280億至7,540億元，有機(jī)會(huì)再創(chuàng)新高。

臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭指出，第三季度毛利率相比第二季度提升1.3個(gè)百分點(diǎn)至中位數(shù)54.5%，主要是因?yàn)樵诘谌径日w產(chǎn)能利用率較高，以及最佳化成本，包括生產(chǎn)力增加，即使部分受3nm（N3）量產(chǎn)持續(xù)稀釋、5nm（N5）與3nm（N3）設(shè)備轉(zhuǎn)換成本，以及中國(guó)臺(tái)灣較高的電價(jià)影響。若排除無(wú)法控制的匯率影響，并考察全球制造足跡拓展計(jì)劃對(duì)利潤(rùn)的影響，長(zhǎng)期毛利率53%以上仍可實(shí)現(xiàn)。

調(diào)高全年?duì)I收目標(biāo)及資本支出目標(biāo)

對(duì)于2024年市場(chǎng)趨勢(shì)，臺(tái)積電維持今年不計(jì)存儲(chǔ)芯片的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長(zhǎng)預(yù)估，約增加10%，并預(yù)估包含封裝、測(cè)試等邏輯IC制造領(lǐng)域的“晶圓代工2.0”產(chǎn)業(yè)規(guī)模今年將增加近10%。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家也表示，目前臺(tái)積電3nm和5nm需求強(qiáng)勁，進(jìn)入第三季度，臺(tái)積電業(yè)績(jī)得益于智能手機(jī)和AI商機(jī)對(duì)先進(jìn)制程強(qiáng)勁需求，略拉升2024年全年美元營(yíng)收預(yù)期，較預(yù)期21%~26%提升至mid twenties（24%~26%）區(qū)間，調(diào)高低標(biāo)。

因看好未來(lái)前景，臺(tái)積電將今年資本支出預(yù)算范圍自先前的280億至320億美元，提升為300億至320億美元；其中70%至80%的資本支出將用于先進(jìn)制程技術(shù)，10%至20%的資本支出用于特殊制程技術(shù)，10%用于先進(jìn)封裝、測(cè)試及光罩制作等。

魏哲家指出，臺(tái)積電持續(xù)投資先進(jìn)制程，并支持客戶讓他們成功，客戶成功臺(tái)積電才會(huì)成功，樂(lè)見(jiàn)數(shù)年來(lái)客戶成功，領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)持續(xù)中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)，并緊密和客戶合作共享價(jià)值，相信這些策略會(huì)讓臺(tái)積電持續(xù)健康成長(zhǎng)。

今年CoWoS產(chǎn)能將增長(zhǎng)超過(guò)一倍

隨著人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）處理器需求持續(xù)增長(zhǎng)，臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能一直供不應(yīng)求。在此前的臺(tái)積電技術(shù)論壇歐洲站活動(dòng)上，臺(tái)積電宣布計(jì)劃以年均復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）超過(guò)60%，持續(xù)擴(kuò)大CoWoS產(chǎn)能至2026年。因此到2026年底，臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能將比2023年的水平增加四倍以上。

臺(tái)積電此前還預(yù)計(jì)，2022年至2026年CoWoS產(chǎn)能年復(fù)合成長(zhǎng)率超過(guò)60%。

據(jù)瑞銀投資銀行發(fā)布的最新報(bào)告稱，半導(dǎo)體CoWoS（Chip-on-Wafer）先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)速度比想像更快，今年年底將達(dá)到每月45,000片晶圓的產(chǎn)能，明年底將達(dá)65,000片，2026年會(huì)有更多公司擴(kuò)產(chǎn)，還能再增加20%~30%產(chǎn)能。

為了擴(kuò)大先進(jìn)封裝產(chǎn)能，臺(tái)積電中科的先進(jìn)封裝測(cè)試5廠在2023年興建，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)CoWoS；位于苗栗竹南的先進(jìn)封測(cè)6廠，2023年6月上旬啟用，整合SoIC、InFO、CoWoS及先進(jìn)測(cè)試等；嘉義先進(jìn)封裝測(cè)試7廠，今年5月動(dòng)工，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)，負(fù)責(zé)量產(chǎn)SoIC和CoWoS，但今年6月期間當(dāng)?shù)赝诘揭伤七z址，暫時(shí)停工。

在此次法說(shuō)會(huì)上，也有投資者提問(wèn)CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊的問(wèn)題，魏哲家回應(yīng)稱：“臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝需求非常強(qiáng)，今年產(chǎn)能將超過(guò)倍增，希望明年產(chǎn)能再超過(guò)倍增，臺(tái)積電2025~2026年會(huì)持續(xù)擴(kuò)增，希望達(dá)供需平衡。CoWoS資本支出無(wú)法明確說(shuō)明，因每年努力增加，尤其上次提到2024年產(chǎn)能成長(zhǎng)超過(guò)一倍，臺(tái)積電持續(xù)努力擴(kuò)產(chǎn)?！?/p>

魏哲家進(jìn)一步指出，臺(tái)積電先進(jìn)封裝持續(xù)降低成本，毛利率這幾年陸續(xù)提升，并和OSAT（半導(dǎo)體封裝測(cè)試服務(wù)）伙伴合作，目前產(chǎn)能仍不夠、嚴(yán)重供不應(yīng)求，臺(tái)積電和封測(cè)伙伴合作希望有更多產(chǎn)能提供給客戶，也讓臺(tái)積的晶圓可以順暢銷售。

此外，魏哲家還透露，臺(tái)積電持續(xù)研發(fā)扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)，預(yù)期3年后技術(shù)可成熟，屆時(shí)臺(tái)積電可準(zhǔn)備就緒。

臺(tái)積電下午舉行實(shí)體法人宣講會(huì)，法人詢問(wèn)臺(tái)積電在CoWoS以外其他先進(jìn)封裝技術(shù)布局。魏哲家表示，臺(tái)積電持續(xù)關(guān)注扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)，不過(guò)相關(guān)技術(shù)目前還尚未成熟；他個(gè)人預(yù)期3年后FOPLP技術(shù)可望成熟，臺(tái)積電持續(xù)研發(fā)FOPLP技術(shù)，屆時(shí)可準(zhǔn)備就緒。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在7月上旬表示，臺(tái)積電在2016年開(kāi)發(fā)名為InFO的扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)，并應(yīng)用在蘋(píng)果iPhone 7的A10處理器，吸引封測(cè)業(yè)者跟進(jìn)發(fā)展FOWLP及FOPLP技術(shù)。TrendForce指出，晶圓代工廠及封測(cè)廠將人工智能圖形處理器（AI GPU）2.5D封裝模式，從晶圓級(jí)轉(zhuǎn)換至面板級(jí)，以AMD及英偉達(dá)（NVIDIA）與臺(tái)積電、矽品洽談AI GPU產(chǎn)品，最受矚目。

其他封測(cè)廠也正開(kāi)發(fā)消費(fèi)類IC封裝轉(zhuǎn)換為FOPLP，TrendForce表示，AMD正與力成和日月光洽談電腦中央處理器（CPU）產(chǎn)品封裝，高通也與日月光洽談電源管理芯片的封裝。

力成也在積極布局FOPLP和CMOS圖像傳感器元件（CIS）等先進(jìn)封裝，在面板級(jí)封裝持續(xù)與大客戶合作，在CIS的TSV晶圓級(jí)封裝技術(shù)（TSV CSP）封裝，與客戶合作量產(chǎn)。

臺(tái)積電2nm將如期量產(chǎn)，A16制程將于2026年下半年量產(chǎn)

對(duì)于臺(tái)積電此前宣布將于2025年量產(chǎn)的2nm，將采用納米片（Nanosheet）晶體管結(jié)構(gòu)，在晶體管密度和能源效率上大幅提升。相較于N3E制程技術(shù)，在相同功耗下，速度增加10-15%。在相同速度下，功耗降低25-30%，同時(shí)芯片密度增加大于15%。

此前的爆料顯示，臺(tái)積電下周開(kāi)始在中國(guó)臺(tái)灣新竹寶山新廠為蘋(píng)果公司試產(chǎn)2nm制程芯片，同時(shí)還將測(cè)試今年二季度進(jìn)廠安裝的設(shè)備和零件。預(yù)計(jì)蘋(píng)果2025年推出的A18 Pro和M5系列處理器將會(huì)采用2nm制程。

魏哲家表示，臺(tái)積電N2制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，裝置性能和良率皆按照計(jì)劃，甚或優(yōu)于預(yù)期，也將如期在2025年進(jìn)入量產(chǎn)，其量產(chǎn)曲線預(yù)計(jì)與N3相似。接下來(lái)還有N2P制程技術(shù)做為N2家族的延伸，N2P較N2有5%的性能增長(zhǎng)，以及5%~10%的功耗優(yōu)勢(shì)。N2P未來(lái)將為智能手機(jī)和高效能運(yùn)算應(yīng)用提供支持，并計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn)。預(yù)期2nm技術(shù)在頭兩年的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案（tape outs）數(shù)量將高于3nm和5nm的同期表現(xiàn)。

對(duì)于最新宣布的A16制程技術(shù)，則是采用下一代奈米片技術(shù)，還采用了超級(jí)電軌（Super Power Rail），也就是背面供電技術(shù)，進(jìn)一步保留了柵極密度與元件寬度的彈性。相較于N2P，A16制程技術(shù)在相同功耗下，性能提升8~10%，或者在相同速度下，功耗降低15~20%，芯片密度提升7~10%，計(jì)劃于2026年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

海外擴(kuò)產(chǎn)策略不變

隨著美國(guó)總統(tǒng)大選的臨近，美國(guó)前總統(tǒng)特朗普支持率頗高，有望再度入主白宮。不過(guò)，近日特朗普在接受采訪時(shí)表示，認(rèn)為中國(guó)臺(tái)灣搶走了美國(guó)的芯片生意，臺(tái)灣應(yīng)繳交保護(hù)費(fèi)。該言論也引發(fā)了昨日臺(tái)積電美股大跌近8%。

在此次臺(tái)積電二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，摩根士丹利（Morgan Stanley）的Charlie Chan也指出了特朗普的言論，并表示“人們?cè)絹?lái)越擔(dān)心美國(guó)繼續(xù)依賴我們的島嶼/臺(tái)積電進(jìn)行芯片生產(chǎn)。因此，我們的問(wèn)題是股東，對(duì)，臺(tái)積電將如何減輕這種潛在的地緣政治風(fēng)險(xiǎn)?....也許是一個(gè)技術(shù)問(wèn)題......如果我們向美國(guó)客戶運(yùn)送芯片，我們需要支付美國(guó)的關(guān)稅嗎？”

魏哲家回應(yīng)稱：“目前為止，我們沒(méi)有改變我們最初的海外晶圓廠擴(kuò)張計(jì)劃。我們將繼續(xù)在美國(guó)亞利桑那州、日本熊本以及未來(lái)在歐洲擴(kuò)張。我們的戰(zhàn)略沒(méi)有改變。我們繼續(xù)我們目前的做法。...關(guān)于關(guān)稅，我們不知道。通常，如果有進(jìn)口關(guān)稅，客戶將對(duì)此負(fù)責(zé)，但沒(méi)有可以討論的?！?/p>

臺(tái)積電此前已宣布在美國(guó)亞利桑那州投資650億美元興建三座尖端制程晶圓廠。其中，第一座晶圓廠已經(jīng)開(kāi)始裝機(jī)，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)4nm；2022年底動(dòng)工的第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)3nm；第三座晶圓廠還在規(guī)劃中，預(yù)計(jì)2030年之前進(jìn)入量產(chǎn)。

在日本熊本，臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè)兩座晶圓廠，熊本第一座晶圓廠2022年4月動(dòng)工，今年2月24日正式開(kāi)幕，預(yù)計(jì)今年第四季度量產(chǎn)22/28nm和12/16nm制程；熊本二廠尚未動(dòng)工，預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)6/7nm制程。至于傳聞中的熊本三廠，目前還沒(méi)有定論。

在德國(guó)德累斯頓，臺(tái)積電將攜手博世、英飛凌和恩智浦共同投資100億歐元，建16nm晶圓廠，預(yù)計(jì)今年第四季度動(dòng)工，2027年量產(chǎn)，主要滿足歐洲客戶需求。

編輯：芯智訊-浪客劍