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受市場需求復蘇以及地緣政治等因素影響，當前各國政府和地區(qū)都在加速半導體產業(yè)的發(fā)展與布局。其中美國政府提出了《芯片與科學法案》，希望通過資金補助鞏固其在半導體領域的主導地位。
自2024年以來，英特爾、臺積電、三星、格芯等半導體大廠都已宣布獲得補貼。而近日，有消息稱美國存儲芯片制造大廠美光科技也將獲得逾60億美元的補貼。
如今，該消息得到了美光科技的證實。
61億美元美光確認獲高額補貼
當地時間4月25日，美光科技正式在其官網宣布，獲得61億美元政府補助。
美光在新聞稿中指出，已經與美國政府簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，將依據《芯片與科學法案》而獲得美國政府提供的61億美元資金補助，以支持愛達荷州和紐約州計劃的尖端內存制造。
據悉，除了61億美元資金補助，美光還將受益于美國財政部的投資稅收抵免，該稅收抵免將為美光合格的資本投資提供25%的抵免。此外，紐約州政府也將為美光提供高達55億美元的激勵措施。
這些撥款以及額外的州和地方激勵措施將支持美光在愛達荷州建設一個領先的DRAM存儲器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設兩座先進DRAM存儲器制造工廠。新聞稿表示，美國政府的補貼將支持美光計劃到2030年為美國國內領先的存儲器制造投資約500億美元的總資本支出。
美光表示，500億美元的投資金額也是美光未來20年在紐約和愛達荷州投資至多1250億美元、創(chuàng)造上萬個就業(yè)崗位計劃的第一步。
促進存儲芯片生產美光建設5座工廠
此前，美光已宣布將在紐約州建設4座工廠，并在其總部所在地愛達荷州博伊西市建設1座工廠。
2022年10月，美光科技宣布，為促進存儲芯片生產，計劃未來20年內投資1000億美元在紐約州北部錫拉丘茲地區(qū)新建4座工廠。該戰(zhàn)略是美光未來十年將美國DRAM產量提高到該公司全球產量的40%戰(zhàn)略的一部分。
美光表示，紐約項目正在進行初步設計、實地研究和包括NEPA在內的許可申請。第一座晶圓廠的建設預計將于2025年開始，并于2028年投產并貢獻產量，并根據未來十年的市場需求而增加。
而位于愛達荷州的工廠已于2023年10月開工。美光表示，該廠預計將于 2025年上線并投入運營，2026年正式開始DRAM的生產，DRAM產量也將隨著行業(yè)需求的增長而不斷增加。
美光預計，到2035年其愛達荷工廠和紐約的兩個工廠在先進內存制造領域的份額將從目前的不到2%增加到約10%。
對于上述建廠計劃，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra上個月表示，這些計劃“要求美光獲得足夠的芯片補貼、投資稅收抵免和當地激勵措施，以解決與海外建廠相比的成本差異?！?/p>
美光存儲業(yè)績向好
當前，手機、個人電腦以及服務器市場需求逐步復蘇，加上智能汽車、人工智能AI等應用快速發(fā)展，在大數據中心、云計算等市場推動下，存儲芯片需求出現(xiàn)回溫跡象，而美光業(yè)績也逐漸向好。
其中受惠于備貨動能回溫，以及三大原廠控產效益顯現(xiàn)，主流產品的合約價格走揚，帶動2023年第四季全球DRAM產業(yè)營收達174.6億美元，季增29.6%。其中，美光作為全球第三大DRAM內存廠商，當季由于量價齊揚，出貨位元及平均銷售單價均季增4~6%，DDR5與HBM比重相對低，故營收成長幅度較為和緩，第四季營收達33.5億美元，季增8.9%。
NAND Flash方面，受惠于終端需求因年終促銷回溫，加上零部件市場因追價而擴大訂單動能，2023年第四季NAND Flash產業(yè)營收達114.9億美元，季增24.5%。其中，美光貢獻營收11.4億美元，季減1.1%。美光認為今年NAND Flash需求位元須年增15~20%，且要加上產能持續(xù)調控，在供給位元與需求位元的平衡下，產業(yè)才能有機會出現(xiàn)獲利可能。
此外，根據美光3月公布的最新財報，其第二財季DRAM營收為42億美元，占總營收的71%，環(huán)比增長21%。NAND營收為16億美元，占美光總營收的27%，環(huán)比增長27%。
多家芯片制造商獲補貼，美國逾10座晶圓廠在路上
2022年，為重振美國半導體生產，美國政府正式通過了《芯片與科學法案》，其中包括向半導體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，為企業(yè)提供價值240億美元的投資稅抵免等。
而截至目前，除了美光的61億美元之外，美國政府此前已確定向臺積電、英特爾、格芯、三星等芯片制造商發(fā)放數百億美元的補貼。從數量上來看，上述廠商在美國建設（進行中和計劃）的晶圓廠已超10座。
4月15日，美國政府與韓國三星達成協(xié)議，將向該公司提供高達64億美元的直接資助，用于在得克薩斯州建立一個半導體生態(tài)集群，包括兩家生產4納米和2納米芯片的工廠。此外，還將建設一家專門負責研發(fā)的工廠，以及一個芯片組件封裝設施。
4月8日，美國商務部和臺積電簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT），基于《芯片與科學法案》，臺積電將獲得最高可達66億美元的直接補助。此外，臺積電還宣布，計劃在美國亞利桑那州建設第三座晶圓廠。臺積電表示，其第三座晶圓廠將使用2納米或更先進的工藝生產芯片，并計劃在2028年開始生產。
3月20日，美國商務部與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），前者向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款以擴大其高端芯片制造產能。按照計劃，英特爾將在美國四個州投入1000億美元，用于建設新工廠及升級現(xiàn)有工廠。包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠生產尖端半導體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠的設備研發(fā)和先進封裝項目。
2月19日，美國政府表示，將向格芯提供15億美元資金，以擴大半導體生產。根據格芯與美國商務部達成的初步協(xié)議，該公司將在紐約州馬爾他興建新廠，并擴大當地與佛蒙特州伯靈頓既有的生產規(guī)模。
事實上，自2023年2月開放資助申請以來，美國CHIPS計劃辦公室（The CHIPS Program Office）已收到630多份意向書和180份項目申請。由于資金有限且申請數量巨大，CHIPS項目辦公室已近日宣布，計劃關閉半導體制造工廠的資助申請，將關閉對半導體工廠或晶圓廠的聯(lián)邦資助機會，“直至另行通知”。
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