震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤

針對403震后各半導體廠動態(tài)更新，由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區(qū)域，加上臺灣地區(qū)的半導體工廠多以高規(guī)格興建，內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平，多半可以減震1至2級。以本次的震度來看，幾乎都是停機檢查后，迅速復工進行，縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管，導致在線晶圓破片或是毀損報廢，但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復工后迅速將產(chǎn)能補齊，產(chǎn)能損耗算是影響輕微。

DRAM方面，以位于新北的南亞科（Nanya）Fab3A，以及美光（Micron）林口廠受地震影響較大，南亞科該廠區(qū)主責20/30nm制程的產(chǎn)品，最新制程1Bnm正在開發(fā)中；美光林口廠與臺中廠為DRAM重要生產(chǎn)基地，內(nèi)部系統(tǒng)已將二個廠區(qū)合而為一，目前已有最新1beta nm制程的投片，后續(xù)也將有HBM在臺灣地區(qū)生產(chǎn)，仍需數(shù)日時間完全恢復運作，其余廠區(qū)多半在停機檢查后陸續(xù)復工。力積電（PSMC）、華邦電 （Winbond）等均無恙。

晶圓代工方面，臺積電（TSMC）包含F(xiàn)ab2/3/5/8等多座六英寸及八英寸廠、研發(fā)總部Fab12，以及最新的Fab20寶山工廠均位在震度4級的新竹。其中，僅Fab12因水管破裂造成部分機臺進水，主要影響在尚未量產(chǎn)的2nm制程，因此評估短期營運不受影響，但可能因機臺受潮需要新購機臺，造成資本支出小幅度增加。其余廠區(qū)在停機檢查后已陸續(xù)復工，暫無重大災損，而其余廠區(qū)個別有人員疏散或執(zhí)行停機檢查，現(xiàn)均已陸續(xù)恢復運作。

目前產(chǎn)能利用率較高的臺積電5/4/3nm先進制程廠區(qū)，未進行人員疏散，停機檢查已在震后6~8小時恢復90%以上運作，影響仍在可控范圍。CoWoS廠區(qū)方面，目前主要運作廠區(qū)龍?zhí)禔P3及竹南AP6，事發(fā)當下立即進行人員疏散，停機檢查后發(fā)現(xiàn)廠務冰水主機有水損問題，但廠務系統(tǒng)多有備援設施，評估不影響運作，已陸續(xù)復工。

此外，聯(lián)電（UMC）一座六英寸廠及六座八英寸廠均位在新竹，另有一座十二英寸廠位在臺南，以90~22nm量產(chǎn)為主；力積電（PSMC）包含十二英寸DRAM與八英寸、十二英寸Foundry皆位在新竹苗栗一帶，其中DRAM以25/21nm制程利基型產(chǎn)品為主；世界先進（Vanguard）共三座八英寸廠位于新竹，一座八英寸廠位于桃園。上述廠區(qū)多半在人員疏散、短暫停機檢查后陸續(xù)恢復運作。