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    • 01、合約價(jià)調(diào)漲,市場(chǎng)一片“漲聲”
    • 02、存儲(chǔ)漲價(jià),苦日子過去了?
    • 03、結(jié)語
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存儲(chǔ)漲價(jià),苦日子真的要過去了?

2023/10/27
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作者:Silvia

上半年專家們還在說存儲(chǔ)需求要在三四季度觸底復(fù)蘇,9月開始,存儲(chǔ)漲價(jià)的好消息接連傳來,被媒體報(bào)道為?存儲(chǔ)芯片史上最長(zhǎng)的庫(kù)存調(diào)整期”終于迎來曙光。

大容量存儲(chǔ)漲價(jià)尤其明顯,大家猜測(cè)是華為Mate 60系列強(qiáng)勢(shì)回歸的關(guān)系。恰逢行業(yè)慣例金九銀十的節(jié)點(diǎn),近期PC、智能手機(jī)這類消費(fèi)電子出貨量的改善或帶來了需求。

今年全球PC出貨量第二、三季度連續(xù)兩個(gè)季度的環(huán)比增長(zhǎng),業(yè)界認(rèn)為PC行業(yè)復(fù)蘇跡象顯現(xiàn)。9月國(guó)產(chǎn)手機(jī)出口大增,出口金額更是環(huán)比大漲123.37%。天風(fēng)國(guó)際證券分析師郭明錤近期發(fā)文指出,中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)底部將過,預(yù)期將重拾增長(zhǎng),4Q23手機(jī)出貨量環(huán)比、同比預(yù)期均回歸增長(zhǎng)。

行業(yè)對(duì)手機(jī)存儲(chǔ)的備貨來襲,模組廠商群聯(lián)9月已看到來自大陸的模組與智能手機(jī)客戶需求增強(qiáng),部分客戶甚至已接受了30%至35%的價(jià)格上漲,手機(jī)品牌廠、存儲(chǔ)模組廠的采購(gòu)輪流去韓國(guó)談NAND Flash價(jià)格。

韓國(guó)大廠甚至先發(fā)制人,表示減產(chǎn)后供需缺口達(dá)20%-30%,如果沒有在7月前簽約,后來追加貨源只能接受漲價(jià)。

存儲(chǔ)價(jià)格都漲起來了?存儲(chǔ)的苦日子要過去了?

01、合約價(jià)調(diào)漲,市場(chǎng)一片“漲聲”

8月初,有朋友看到存儲(chǔ)市場(chǎng)已經(jīng)出現(xiàn)小幅漲價(jià),漲到9月“不敢隨便接單”。

直到8-9月的現(xiàn)貨市場(chǎng),存儲(chǔ)芯片熱鬧非凡,SSD、eMMC這類以NAND Flash為存儲(chǔ)介質(zhì)的模組產(chǎn)品,價(jià)格率先開始反彈。“eMMC和大容量都在漲價(jià),三星在合約市場(chǎng)就漲了30%-40%?!?/p>

eMMC 128GB市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)(單位:美元?),來源:CFM閃存市場(chǎng)

全球存儲(chǔ)類芯片市場(chǎng)仍以DRAM和NAND Flash為主,2022年DRAM市場(chǎng)規(guī)模占比56.8%;NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模占比43.2%。其中,DRAM主要作為計(jì)算機(jī)的內(nèi)存,可分為DDR系列、LPDDR系列和GDDR系列、HBM系列。而NAND Flash被廣泛用作大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),可分為SSD、eMMC、SD卡等。NOR Flash則是市場(chǎng)規(guī)模第三大的存儲(chǔ)芯片,廣泛應(yīng)用于需要存儲(chǔ)系統(tǒng)程序代碼的電子設(shè)備

“現(xiàn)在大家都盯上了SSD的生意,尤其是三星的SSD?!?月初就有渠道商在某論壇爆料,國(guó)產(chǎn)二三線SSD品牌廠家近期陸續(xù)開始執(zhí)行漲價(jià)措施。

由于存儲(chǔ)漲價(jià),大存儲(chǔ)手機(jī)可能也要暫時(shí)告別“白菜價(jià)”,以爆料準(zhǔn)確著稱的博主“數(shù)碼閑聊站”表示,接下來的部分新款旗艦機(jī)型起售價(jià)預(yù)估會(huì)上浮300-500元。

華為等智能手機(jī)新機(jī)備貨潮,加上手機(jī)存儲(chǔ)大容量化,或?qū)?dòng)eMMC量?jī)r(jià)齊升。eMMC,(embeded MultiMedia Card),是由 MMC 協(xié)會(huì)針對(duì)手機(jī)平板制定的閃存標(biāo)準(zhǔn),由NAND Flash和NAND Flash控制器組成。市面上常見的手機(jī)快閃記憶體標(biāo)準(zhǔn)共有 eMMC、UFS 與 NVMe,其中 Android 手機(jī)主要采用 eMMC 與 UFS 標(biāo)準(zhǔn),而 NVMe 則是蘋果 iPhone 所使用的閃存標(biāo)準(zhǔn)。

據(jù)媒體報(bào)道,存儲(chǔ)行業(yè)下游合約市場(chǎng)的廠商紛紛表示,原廠已經(jīng)通知Q4合約價(jià)要調(diào)漲,讓客戶在9月有時(shí)間向下游通知漲價(jià)。

存儲(chǔ)市場(chǎng)非常龐大且細(xì)分,目前價(jià)格上漲帶來的反應(yīng)處于分化之中,市場(chǎng)人士感受有所不同。

做存儲(chǔ)和MTK聯(lián)發(fā)科套片的沐沐表示,雖然現(xiàn)在價(jià)格比以往有所上調(diào),但從DDR(內(nèi)存條)?、eMMC、eMCP(eMMC+LPDDR)這些來看,需求沒有完全起來,至少?zèng)]有預(yù)期中好。“我們主要做終端,前兩周多了一點(diǎn)點(diǎn)詢盤,出貨量也沒見起來,可見目前真實(shí)的需求和出貨量并沒有起來?!薄昂湍瓿跸啾?,需求量稍微上漲,但只是正常出貨,成交平淡?!?/p>

到9月底即三季度末,隨著NAND行情持續(xù)升溫,DRAM行情也開始回暖,呈現(xiàn)渠道SSD和DDR價(jià)格普漲的情形。不過,SSD“只有三星這種一線品牌生意更火熱?!币灿腥吮硎?,“DDR(主流)沒多大動(dòng)靜,LPDDR(主要用于便攜設(shè)備)漲得都拿不到貨。”

DDR里面,DDR4、DDR5這些市場(chǎng)現(xiàn)貨價(jià)格漲幅明顯,DDR4內(nèi)存條需求也開始增多,市場(chǎng)庫(kù)存非常有限,漲價(jià)對(duì)中小型客戶影響大,處于買賣雙方博弈的焦灼時(shí)期。

針對(duì)主流的DDR4,主要做美光DRAM等存儲(chǔ)顆粒的朋友盧克表示,10月DDR4顆粒已經(jīng)正式漲價(jià),原廠漲了10-15%,客戶紛紛備貨,“DDR4由三星領(lǐng)漲,其他牌子都跟進(jìn)了,像美光 、國(guó)產(chǎn)的長(zhǎng)鑫都漲了?!?/p>

原廠美光方面,NOR Flash和NAND Flash均有上漲,訂貨報(bào)價(jià)明顯提高,但需求端并未明顯好轉(zhuǎn)。

機(jī)械硬盤HDD整體需求平緩,而且詢價(jià)大多以小數(shù)量或停產(chǎn)料號(hào)為主,加上硬盤廠商從第二季度開始持續(xù)漲價(jià),所以成單較難。此前SSD的價(jià)格戰(zhàn)吸引了不少消費(fèi)者,但HDD在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的份額占比仍然很大,這是廠商漲價(jià)的底氣之一?。

多年接觸存儲(chǔ)芯片的朋友觀察到,存儲(chǔ)行業(yè)此次漲價(jià)和往年不太一樣,“2016年的9月很缺貨,記得DRAM先漲價(jià),接著NOR、eMMC、NAND、Module(內(nèi)存模塊,一般由DRAM組成)輪著漲了一遍。”如今DRAM的反應(yīng),稍微落后于以大容量存儲(chǔ)為主的NAND Flash,直到10月,原本不被看好的DDR4表現(xiàn)才較為強(qiáng)勢(shì)。

實(shí)際上,本輪存儲(chǔ)芯片漲價(jià),最早得益于原廠的主動(dòng)減產(chǎn)和漲價(jià),體現(xiàn)在今年二季度財(cái)報(bào)上,多家采取了一系列減產(chǎn)措施的頭部存儲(chǔ)廠商表示,行業(yè)已經(jīng)開始筑底,可謂是不漲價(jià)不行,此前幾乎所有存儲(chǔ)廠商均面臨虧損,意味著生產(chǎn)的幾乎每顆芯片都在賠錢。

02、存儲(chǔ)漲價(jià),苦日子過去了?

“大部分客戶接受漲價(jià),漲價(jià)后的價(jià)格還是在歷史的低位,客戶也能接受?!北R克看到,這次存儲(chǔ)價(jià)格觸底回漲,原廠減產(chǎn)是關(guān)鍵,之前供過于求,存儲(chǔ)價(jià)格跌跌不休,現(xiàn)在原廠減產(chǎn)了,供需也就平衡了,價(jià)格逐漸在回升。

芯片供過于求,原廠忍了很長(zhǎng)一段時(shí)間,持續(xù)的減產(chǎn)降庫(kù)存已經(jīng)有了初步成效。根據(jù)國(guó)金證券研究所整理的數(shù)據(jù),22Q3 全球存儲(chǔ)原廠庫(kù)存月數(shù)為 5.1 個(gè)月,高于去年同期的 3.0?個(gè)月,且連續(xù)五個(gè)季度上升,并明顯高于上一輪周期頂部(19Q1)的 3.7 個(gè)月。

今年年初三星NAND庫(kù)存水位超過20周,最高一度飆升至28周,但在8月已降至18周(126天),目標(biāo)年底NAND庫(kù)存正常化(6-8周水平)。

集邦咨詢的報(bào)告指出,三星從 2023 年 9 月開始將 NAND 閃存的產(chǎn)能削減高達(dá) 50%,被削減的主要是 128 層以下 NAND,削減產(chǎn)能后三星將與其他 NAND 制造商人為制造閃存緊張的局面,以解決當(dāng)前市場(chǎng) NAND 供過于求、價(jià)格低迷的問題。

SK海力士23Q1 PC和移動(dòng)客戶庫(kù)存水平下降,Q2看到客戶補(bǔ)庫(kù)存,今年一季度由盈轉(zhuǎn)虧的DRAM業(yè)務(wù)僅在兩個(gè)季度后即Q3實(shí)現(xiàn)扭虧為盈,連續(xù)虧損的NAND業(yè)務(wù)也跟隨市況出現(xiàn)好轉(zhuǎn)的跡象。

三星在23Q2財(cái)報(bào)電話會(huì)宣布DRAM和NAND庫(kù)存5月見頂,預(yù)計(jì)H2繼續(xù)去庫(kù)存。

美光在大力減產(chǎn)幅度下庫(kù)存,截至到FY23Q4,美光庫(kù)存基本持平前幾季度,但DOI明顯減少,大部分PC、手機(jī)和汽車客戶的存儲(chǔ)IC庫(kù)存目前已到正常水位,數(shù)據(jù)中心客戶的庫(kù)存持續(xù)改善,預(yù)計(jì)在23Q4正?;?。

原廠不會(huì)放過漲價(jià)的機(jī)會(huì),像壟斷性強(qiáng)的DRAM,“只要有5%的缺口,就可以實(shí)現(xiàn)10%的漲價(jià)?!?/p>

結(jié)合存儲(chǔ)行業(yè)周期也可以看到,存儲(chǔ)價(jià)格“跌跌不休”的日子到頭了。

存儲(chǔ)行業(yè)銷售增速最近一次見頂大致在2021年Q3 ,2022年則增速轉(zhuǎn)負(fù)?;仡櫴澜?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93/">半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)披露的歷年全球半導(dǎo)體各板塊銷售同比增速,存儲(chǔ)行業(yè)的營(yíng)收增速?gòu)囊婍數(shù)揭姷淄ǔ?-2 年,能夠推出23Q3-23Q4 迎來止跌。

進(jìn)一步看,首先廠商的毛利率走勢(shì)一般與存儲(chǔ)周期同步。今年一季度至二季度,美光、華邦、旺宏等存儲(chǔ)廠商的毛利率已經(jīng)來到最底位置,美光毛利率更是打破了近年來的歷史新低,首次達(dá)到負(fù)數(shù)。

其次,全球存儲(chǔ)看韓國(guó),韓國(guó)存儲(chǔ)芯片出口額與存儲(chǔ)價(jià)格波動(dòng)呈正比,價(jià)格波動(dòng)也呈周期性變化。近十年韓國(guó)存儲(chǔ)芯片的出口價(jià)格趨勢(shì)看,出口芯片總量波動(dòng)較為平穩(wěn),出口總額的波動(dòng)基本與價(jià)格波動(dòng)成正比,而韓國(guó)9月出口額環(huán)比增長(zhǎng)了14%,價(jià)格周期觸底市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇。

這次NAND 先于 DRAM 復(fù)蘇,與三星等NAND 廠商減產(chǎn)時(shí)間較早有直接關(guān)系。

根據(jù)TrendForce預(yù)計(jì),今年NAND供給位元增幅將收斂至 21%,NAND 需求位元同增 27%,主要得益于服務(wù)器單機(jī)搭載容量同增 24%,手機(jī)閃存容量同增22%,供需差比例從2022年的9%下降到2023年的 4%。而由于 DRAM 廠商擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃延后,預(yù)計(jì)今年 DRAM 供給位元增幅不足10%,且受疫情期間電腦透支消費(fèi),手機(jī)內(nèi)存容量增速不如閃存等因素影響,DRAM 需求位元增幅來到歷史低位,今年僅同增 1%。

9月中旬開始,隨著原廠相繼對(duì)NAND減產(chǎn)漲價(jià),存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)NAND行情全線走高,并自上而下傳導(dǎo)至現(xiàn)貨SSD、eMMC/UFS卡和U盤等成品端,NAND現(xiàn)貨價(jià)格全線走高,形成一波漲價(jià)浪潮。漲價(jià)影響也開始擴(kuò)散至現(xiàn)貨DDR4行情。

和一般的IC芯片不同,在存儲(chǔ)市場(chǎng),同時(shí)存在內(nèi)存顆粒與存儲(chǔ)模組產(chǎn)品的流通,內(nèi)存顆粒相當(dāng)于存儲(chǔ)芯片/存儲(chǔ)模組的“零部件”,DRAM內(nèi)存條、SSD等就是存儲(chǔ)模組的產(chǎn)品形態(tài),存儲(chǔ)人所說的“條子”、“內(nèi)存條”,就是相對(duì)顆粒來說的。

NAND Flash產(chǎn)品主要以模組形式發(fā)貨給終端廠商,NAND Flash模組主要產(chǎn)品,NAND Flash顆粒占其模組70%以上成本,中高端NAND Flash模組內(nèi)部會(huì)搭配DRAM顆粒。

DRAM產(chǎn)品一部分以模組形式出貨,主要應(yīng)用于PC、服務(wù)器的內(nèi)存條。另一部分以顆粒的形式出貨給下游客戶,典型的如智能手機(jī)使用的LPDDR顆粒、顯卡模組使用的GDDR/HBM顆粒,通常三星等原廠會(huì)將初步封裝好的各類顆粒發(fā)給臺(tái)積電、日月光等制造商,再以ePOP、2.5D、SiP等形式封裝為成品芯片出貨至終端廠商。

DRAM模組產(chǎn)業(yè)鏈,資料來源:各公司官網(wǎng),中金公司研究部

這段時(shí)間,由于存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)漲價(jià),一些嗅覺敏銳的模組廠,已經(jīng)偷偷提高庫(kù)存水位,買了一些低價(jià)芯片先囤著等漲價(jià)。原廠的這波操作,是要讓供需逐步平衡,也難怪SSD等價(jià)格上漲能夠帶來明顯的連鎖反應(yīng),據(jù)悉,下游SSD制造商和PC OEM也非常積極地備貨。在存儲(chǔ)市場(chǎng)上有終端客戶資源的朋友已經(jīng)開始備起了安全庫(kù)存。

03、結(jié)語

2016年,存儲(chǔ)芯片異常缺貨導(dǎo)致市場(chǎng)迅速見頂,2021年Q3則是缺芯潮導(dǎo)致,但目前整體需求還遠(yuǎn)未達(dá)到將市場(chǎng)推至頂端的盛況。有朋友觀察到,2016年夏天前,4Gb商業(yè)級(jí)的DDR3 最低1.5美元,今年跌破1美元,2Gb的DDR3 當(dāng)年最低0.9美元,之前漲至2.8美元,今年跌破0.8美元,今年幾乎都跌到了最低位,要漲回之前的價(jià)格很難,“消費(fèi)量不夠”。

終端客戶在減產(chǎn)漲價(jià)壓力下,目前會(huì)為了供貨穩(wěn)定增加備貨,部分有庫(kù)存的終端觀望供應(yīng)端態(tài)度,有實(shí)際需求的現(xiàn)貨急單接受漲價(jià),目前存儲(chǔ)市場(chǎng)的回溫多少帶有一絲被動(dòng)。有報(bào)道稱這波自上而下的漲價(jià)預(yù)計(jì)將持續(xù)到明年。

需求在緩慢回升,存儲(chǔ)至少熬過了最苦的日子,但還要一段時(shí)間來反應(yīng)。

對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)何時(shí)真正回暖,不少人認(rèn)為還是要結(jié)合明年經(jīng)濟(jì)情況和客戶需求來看,像AI帶火的HBM高性能存儲(chǔ),對(duì)DRAM產(chǎn)能需求大,可能是存儲(chǔ)行業(yè)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)的“新貴”。

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