PCIM Asia如期回歸，羅姆秀SiC & GaN“肌肉”

2023年，作為電力電子行業(yè)的風向標型展會，PCIM Asia如期回歸，超過180家企業(yè)參展，現(xiàn)場人氣火爆。

羅姆作為功率電子的頭部提供商，在本次展會上將展品全部聚焦在第三代半導體上面，向大家展示了其SiC和GaN產(chǎn)品的研發(fā)、量產(chǎn)進度，以及下游的應用生態(tài)情況。同期還在“第三代半導體論壇”以及“電力電子應用技術(shù)論壇”上，分別發(fā)表了以《氮化鎵相關(guān)新產(chǎn)品及系統(tǒng)介紹》和《第四代SiC以及模塊設計的注意點》為主題的報告。

第三代半導體進入產(chǎn)業(yè)發(fā)展快車道

第三代半導體又被稱為寬禁帶半導體，是繼Si和GaAs為代表的的第一代和第二代半導體材料后的第三代半導體材料，主要包括SiC和GaN兩大類。與前兩代半導體相比，無論是SiC還是GaN都具有相當多的優(yōu)勢。

比如，以Si作為參考系，我們看到SiC臨界擊穿電場強度是Si的近10倍，熱導率超過Si的3倍，飽和電子漂移速度約為Si的2倍，同時還具有良好的抗輻照和化學穩(wěn)定性，最終表現(xiàn)出了高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨特優(yōu)勢。

基于此，這幾年第三代半導體的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)逐步成熟，但其市場空間還有待進一步開發(fā)。

根據(jù)Yole發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2023年SiC的滲透率將有望達到3.75%，而GaN的滲透率將有望達到1.0%。此外，Yole預測，功率SiC器件的市場規(guī)模將從2021年的10.90億美元增長至2027年的62.97億美元，預期年復合增長率達到34%；功率GaN器件市場的價值將從2021年的1.26億美元增長到2027年的20億美元，預期年復合增長率高達59%。

于是，全球功率電子廠商，尤其是頭部的廠商，紛紛加碼SiC和GaN兩個方向的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴展。

羅姆在功率SiC領域的優(yōu)勢

從產(chǎn)業(yè)鏈的角度來看，襯底是價值鏈的核心，比如在SiC SBD器件成本中，襯底價值量占比達到47%，所以未來SiC襯底價格下降是推動SiC產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的重要基礎。駐足當前，在SiC和GaN領域，也是以IDM打天下的局面，因為他們掌握包括襯底在內(nèi)的所有供應鏈和制造環(huán)節(jié)。目前，國際上主要的第三代半導體IDM廠商有括羅姆、Wolfspeed、意法半導體等。

從功率SiC器件技術(shù)的角度來看，當前能夠量產(chǎn)溝槽型SiC MOSFET的企業(yè)主要包含羅姆的雙溝槽結(jié)構(gòu)、英飛凌的半包溝槽結(jié)構(gòu)，以及日本住友的接地雙掩埋結(jié)構(gòu)。

綜上，羅姆是第三代半導體產(chǎn)業(yè)中的重要角色。眾所周知，羅姆從從2000年開始布局SiC，又在了2009年收購了德國SiC襯底和外延片供應商SiCrystal，2010年開始量產(chǎn)SiC MOSFET，2015年率先量產(chǎn)雙溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品，2020年又推出了針對電動汽車優(yōu)化的第4代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。

圖 | PCIM Asia 2023上羅姆展出第4代SiC MOSFET

從產(chǎn)能擴展的角度來看，今年7月，羅姆宣布與Solar Frontier Co., Ltd.就收購該公司原國富工廠資產(chǎn)事宜達成基本協(xié)議，此次收購計劃于2023年10月完成，此后國富工廠將成為羅姆集團的主要生產(chǎn)基地。截至2030財年，預計SiC產(chǎn)能相比2021財年增加35倍。

圖 | 羅姆SiC業(yè)務的產(chǎn)能擴張計劃

從上下游的合作角度來看，羅姆與吉利汽車集團建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，與北汽新能源、聯(lián)合汽車電子、臻驅(qū)科技分別建立了碳化硅聯(lián)合實驗室，與基本半導體簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議，與正海集團成立了專注于功率模塊領域的合資子公司。此外，從PCIM Asia 2023展會上，我們看到羅姆的SiC產(chǎn)品已經(jīng)上車不少。

綜上所述，羅姆在功率SiC領域具有較大的技術(shù)和市場優(yōu)勢。

羅姆在功率GaN領域的進展

GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。

2022年，羅姆將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn)；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。近期，羅姆為助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化，推出了器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

圖 | PCIM Asia 2023上羅姆展出EcoGaN?系列產(chǎn)品以及解決方案

羅姆將有助于應用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并不斷致力于進一步提高器件的性能。此外，羅姆結(jié)合自身功率電子和模擬兩大核心技術(shù)優(yōu)勢，還推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅(qū)動器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝，助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積。

在本次PCIM Asia展會上，羅姆展示了氮化鎵相關(guān)的一系列重點產(chǎn)品以及電源解決方案。羅姆表示，未來將繼續(xù)以其擅長的模擬技術(shù)為中心，通過將其與“EcoGaN?系列”等GaN器件相結(jié)合，將會為基站、數(shù)據(jù)中心、FA設備和無人機等眾多應用實現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻。